电源驱动电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型给出了一种电源驱动电路，包括第一二极管组D1～第八二极管D8、第一电容C1～第九电容C9、第一电阻R1～第九电阻R9、第一MOS管Q1～第四MOS管Q4、第一电感T1～第六电感T6、电压控制型芯片TL494。本实用新型提出的电源驱动电路，能够精确控制开关器件的开断，为开关电源提供精准稳定的电压信号。
【专利说明】
电源驱动电路
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及电源领域，尤其涉及一种电源驱动电路。
【背景技术】
[0002]随着当前电力电子技术的飞速发展，特别是大功率MOS管技术的迅速发展，开关稳压电源的应用领域更加广泛。这种发展将开关电源的工作频率提高到150-200kHz，使得电源的开关损耗更小，电源的工作效率可高达90% -95%。用高频变压器取代工频变压器，电源的体积和重量都有很大程度的降低；同时输出电压纹波降低到0.05%以内，稳定度可达0.5% -1%，抗干扰能力强而且智能化程度高。基于这些优良的特性，高功率开关电源更为广泛地应用于工业和军事上。如粒子加速器、电磁发射、电磁推进、微波武器等脉冲功率技术应用领域中，此类电源设备的平均功率通常在几百千瓦甚至几兆瓦以上，体积和重量只有线性电源的几十分之一，工作效率却比线性电源高很多。而小功率开关电源主要应用于家电、IT等领域，如计算机、彩色电视机、程控交换机、摄像机、机顶盒、VCD、电子游戏机等电子设备上。
[0003]驱动电路是开关电源的最为核心部分之一，没有它开关电源就不能正常的工作，因为它控制着开关管的开通和关断。其任务主要是为开关电源提供控制电压信号，控制开关器件的开断，达到DC-AC的转换，为以后电源的升压提供条件。本实用新型提出一种电源驱动电路，能够精确控制开关器件的开断，为开关电源提供精准稳定的电压信号。
实用新型内容
[0004]有鉴于此，本实用新型提供了一种电源驱动电路，包括第一二极管组Dl?第八二极管D8、第一电容Cl?第九电容C9、第一电阻Rl?第九电阻R9、第一MOS管Ql?第四MOS管Q4、第一电感Tl?第六电感T6、电压控制型芯片TL494，其中，所述第一电容Cl和第二电容C2并联，第三电容C3和第四电容C4并联，并且，并联型电容组Cl和C2与并联型电容组C3和C4再进行并联，所述Cl的一端连接第六二级管D6的输出端和第八二极管D8的输出端，以及TL494的12管脚，另一端连接第五二级管D5的输入端和第七二极管D7的输入端，并接地，第五二极管D5的输出端和第七二极管D7的输出端分别接电源的两极；电压控制型芯片TL494的I管脚、2管脚、4管脚、7管脚、9管脚、10管脚、15管脚、16管脚接地；3管脚空置；5管脚通过第五电容C5接地；6管脚通过串联的第三电阻R3和第四电阻R4接地；8管脚接第三MOS管Q3的栅极和第四MOS管Q4的栅极；11管脚接第一 MOS管Ql的栅极和第二 MOS管Q2的栅极；13管脚和14管脚通过第一电阻Rl接地；第二电阻R2的一端接12管脚，另一端接11管脚；第五电阻R5的一端接12管脚，另一端接8管脚；第一 MOS管Ql的源极接12管脚，漏极接第二 MOS管Q2的漏极；第二 MOS管Q2的源极接地；第三MOS管Q3的源极接12管脚；漏极接第四MOS管Q4的漏极；第四MOS管Q4的源极接地；且每个MOS管的源极和漏极由二极管连接；第一电感Tl的同名端接第一 MOS管Ql的漏极；异名端接第二 MOS管Q2的源极；第二电感T2的同名端接第六电阻R6和第七电阻R7 ;第六电阻R6的另一端接第三二极管D3的输入端；第七电阻R7的另一端接第六电容C6，第六电容C6的另一端接第二电感T2的异名端；第三电感T3的同名端接第一二极管Dl的输入端,异名端接第七电容C7和第三二极管D3的输出端,第七电容C7的另一端接第一二极管Dl的输出端并接第二电感T2的异名端；第四电感T4的同名端接第三MOS管Q3的漏极，异名端接地；第五电感T5的同名端接第八电阻R8和第九电阻R9，异名端接第八电容C8，第八电容C8的另一端接第九电阻R9的另一端和第二二极管D2的输出端，第八电阻R8的另一端接第四二极管D4的输入端，第四二极管D4的输出端接地；第六电感T6的同名端接第二二极管D2的输入端，异名端第九电容C9并接地，第九电容C9的另一端接第二二极管D2的输出端以及第五电感T5的异名端，其中，第一电感Tl和第二电感T2及第三电感T3耦合，且第二电感T2及第三电感T3为同侧；第四电感T4和第五电感T5及第六电感T6耦合，且第五电感T5及第六电感T6为同侧。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0006]图1为本实用新型一实施例提供的电源驱动电路的结构示意图。
【具体实施方式】
[0007]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0008]图1为本实用新型一实施例提供的的电源驱动电路的结构示意图，如图1所示，本实施例的电源驱动电路，包括包括第一二极管组Dl?第八二极管D8、第一电容Cl?第九电容C9、第一电阻Rl?第九电阻R9、第一 MOS管Ql?第四MOS管Q4、第一电感Tl?第六电感T6、电压控制型芯片TL494，其中，所述第一电容Cl和第二电容C2并联，第三电容C3和第四电容C4并联，并且，并联型电容组Cl和C2与并联型电容组C3和C4再进行并联，所述Cl的一端连接第六二级管D6的输出端和第八二极管D8的输出端，以及TL494的12管脚，另一端连接第五二级管D5的输入端和第七二极管D7的输入端，并接地，第五二极管D5的输出端和第七二极管D7的输出端分别接电源的两极；电压控制型芯片TL494的I管脚、2管脚、4管脚、7管脚、9管脚、10管脚、15管脚、16管脚接地；3管脚空置；5管脚通过第五电容C5接地；6管脚通过串联的第三电阻R3和第四电阻R4接地；8管脚接第三MOS管Q3的栅极和第四MOS管Q4的栅极；11管脚接第一 MOS管Ql的栅极和第二 MOS管Q2的栅极；13管脚和14管脚通过第一电阻Rl接地；第二电阻R2的一端接12管脚，另一端接11管脚；第五电阻R5的一端接12管脚，另一端接8管脚；第一 MOS管Ql的源极接12管脚，漏极接第二 MOS管Q2的漏极；第二 MOS管Q2的源极接地；第三MOS管Q3的源极接12管脚；漏极接第四MOS管Q4的漏极；第四MOS管Q4的源极接地；且每个MOS管的源极和漏极由二极管连接；第一电感Tl的同名端接第一 MOS管Ql的漏极；异名端接第二 MOS管Q2的源极；第二电感T2的同名端接第六电阻R6和第七电阻R7 ;第六电阻R6的另一端接第三二极管D3的输入端；第七电阻R7的另一端接第六电容C6，第六电容C6的另一端接第二电感T2的异名端；第三电感T3的同名端接第一二极管Dl的输入端,异名端接第七电容C7和第三二极管D3的输出端，第七电容C7的另一端接第一二极管Dl的输出端并接第二电感T2的异名端；第四电感T4的同名端接第三MOS管Q3的漏极，异名端接地；第五电感T5的同名端接第八电阻R8和第九电阻R9，异名端接第八电容CS，第八电容CS的另一端接第九电阻R9的另一端和第二二极管D2的输出端，第八电阻R8的另一端接第四二极管D4的输入端，第四二极管D4的输出端接地；第六电感T6的同名端接第二二极管D2的输入端,异名端第九电容C9并接地，第九电容C9的另一端接第二二极管D2的输出端以及第五电感T5的异名端，其中，第一电感Tl和第二电感T2及第三电感T3耦合，且第二电感T2及第三电感T3为同侧；第四电感T4和第五电感T5及第六电感T6耦合，且第五电感T5及第六电感T6为同侧。
[0009]本实施例的驱动电路器件为电压控制型芯片TL494，TL494是一种电压控制模式的PWM控制和驱动的集成电路芯片。由于它具有两路相位相差180°的PWM驱动信号输出，所以被广泛地用来构成电压控制模式的单端式(正激式和反激式)和双端式(半桥式、全桥式和推挽式)开关稳压电源电路。它内部包含两个独立的误差放大器、一个频率可调的振荡器、一个死区时间控制比较器、一个脉冲触发的控制器和一个稳压精度可达5%的内部基准电压源。主要性能:
[0010](I)具有完整的PWM控制和驱动电路。
[0011](2)具有200mA吸收和输出电流的驱动能力。
[0012](3)具有单端或双端并联工作能力。
[0013](4)具有两路相位相差180ο的输出驱动级。
[0014](5)具有死区时间可调功能，因而可实现过热、过压和过流等参数范围的控制。
[0015](6)内部5V基准电压源具有5%稳压精度。
[0016](7)具有外同步功能。
[0017](8)工作频率可在l-300kHz之间任选。
[0018](9)输入电源电压可达40V。
[0019]本实施例的电源驱动电路先由TL494产生驱动的脉冲信号，再经过功率管的功率放大，通过变压器的升压，整流等，输出满足条件的脉冲信号实现电压DC-AC的转换。其中，TL494的管脚的功能分别为:
[0020]引講_功籠_}}\?*}_功能
1IINw误差敢大■ I N顧输入9IEi输出晶侔If Vl发射機
2IIN: ?I!放大器1反_输入10 2Et输HIIfi倬管iV2发射极
3McmiP； Sit PWM比較器输入112C:输_晶体管V2集电极
4COMdt:死K时闻控制12Vcci电源屯
5CTi达时电容醞13CONqut;输出状态控W
6RT:定N电隱.器14Ueefs ?池电1?输出
7GNDi地152IN_;误凌放火器2)5?输入
8ICi输出ilV体管V!集电极_162ΙΝ+；娱I;放大器2 M相输入
[0021]本实用新型的电源驱动电路的为了降低通态电阻或压降，大功率高压MOSFET管的驱动电压要有12-15V，使栅-源极驱动脉冲电压幅值尽量大以达到降低通态电阻或压降的作用；此外，由于栅-源之间的击穿电压约为50V，为防止栅-源之间的击穿，为此可以采用钳位电压为20V的肖特二极管钳来限制过电压使得驱动电路的输出电压小于20V。
[0022]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
【权利要求】
1.一种电源驱动电路，其特征在于，所述电路包括第一二极管组Dl?第八二极管D8、第一电容Cl?第九电容C9、第一电阻Rl?第九电阻R9、第一 MOS管Ql?第四MOS管Q4、第一电感Tl?第六电感T6、电压控制型芯片TL494，其中，所述第一电容Cl和第二电容C2并联，第三电容C3和第四电容C4并联，并且，并联型电容组Cl和C2与并联型电容组C3和C4再进行并联，所述Cl的一端连接第六二级管D6的输出端和第八二极管D8的输出端，以及TL494的12管脚，另一端连接第五二级管D5的输入端和第七二极管D7的输入端，并接地，第五二极管D5的输出端和第七二极管D7的输出端分别接电源的两极；电压控制型芯片TL494的I管脚、2管脚、4管脚、7管脚、9管脚、10管脚、15管脚、16管脚接地；3管脚空置；5管脚通过第五电容C5接地；6管脚通过串联的第三电阻R3和第四电阻R4接地；8管脚接第三MOS管Q3的栅极和第四MOS管Q4的栅极；11管脚接第一 MOS管Ql的栅极和第二 MOS管Q2的栅极；13管脚和14管脚通过第一电阻Rl接地；第二电阻R2的一端接12管脚，另一端接11管脚；第五电阻R5的一端接12管脚，另一端接8管脚；第一 MOS管Ql的源极接12管脚，漏极接第二 MOS管Q2的漏极；第二 MOS管Q2的源极接地；第三MOS管Q3的源极接12管脚；漏极接第四MOS管Q4的漏极；第四MOS管Q4的源极接地；且每个MOS管的源极和漏极由二极管连接；第一电感Tl的同名端接第一 MOS管Ql的漏极；异名端接第二 MOS管Q2的源极；第二电感T2的同名端接第六电阻R6和第七电阻R7 ;第六电阻R6的另一端接第三二极管D3的输入端；第七电阻R7的另一端接第六电容C6，第六电容C6的另一端接第二电感T2的异名端；第三电感T3的同名端接第一二极管Dl的输入端，异名端接第七电容C7和第三二极管D3的输出端，第七电容C7的另一端接第一二极管Dl的输出端并接第二电感T2的异名端；第四电感T4的同名端接第三MOS管Q3的漏极，异名端接地；第五电感T5的同名端接第八电阻R8和第九电阻R9，异名端接第八电容C8，第八电容C8的另一端接第九电阻R9的另一端和第二二极管D2的输出端，第八电阻R8的另一端接第四二极管D4的输入端，第四二极管D4的输出端接地；第六电感T6的同名端接第二二极管D2的输入端，异名端第九电容C9并接地，第九电容C9的另一端接第二二极管D2的输出端以及第五电感T5的异名端，其中，第一电感Tl和第二电感T2及第三电感T3耦合，且第二电感T2及第三电感T3为同侧；第四电感T4和第五电感T5及第六电感T6耦合，且第五电感T5及第六电感T6为同侧。
【文档编号】H02M3/335GK204013269SQ201420453692
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月7日 优先权日:2014年8月7日
【发明者】郑敏 申请人:郑敏