1.一种升降压电路，其特征在于，包括第一单元（1）、第二单元（2）及主电感L1，所述第一单元（1）和第二单元（2）的电路结构相同，均采用双向斩波器电路；所述第一单元（1）的一端连接于A端口，所述第一单元（1）的另一端通过主电感L1与第二单元（2）的一端连接，所述第二单元（2）的另一端连接于B端口；所述双向斩波器电路为由电容、开关管组及与开关管组配合的二极管组成的驱动电路。
2.根据权利要求1所述的升降压电路，其特征在于，所述第一单元（1）的驱动电路包括第一电容C1、第一开关管Q1、第三开关管Q3、第一二极管D1、第三二极管D3，每个开关管均与一个二极管配合；所述第二单元（2）的驱动电路包括第二电容C2、第二开关管Q2、第四开关管Q4、第二二极管D2、第四二极管D4，每个开关管均与一个二极管配合；所述主电感L1的一端连接至第一开关管Q1与第三开关管Q3之间的F点，主电感L1的另一端连接至第二开关管Q2与第四开关管Q4之间的I点。
3.根据权利要求1或2所述的升降压电路，其特征在于，所述第一单元（1）和/或第二单元（2）中开关管为IGBT或MOSFET半导体功率器件。
4.根据权利要求1或2所述的升降压电路，其特征在于，所述第一单元（1）和/或第二单元（2）中二极管为在开关管内封装反并的二极管。