1.一种可自诊断和快速保护的低边MOSFET驱动控制电路，其特征在于：包括与相互串联在一起的车载12V电源和车辆组合灯光相连的低边MOSFET驱动开关，一低边MOSFET驱动开关诊断电路的输入端与低边MOSFET驱动开关的漏极相连，单片机的输出端通过低边MOSFET驱动控制电路与低边MOSFET驱动开关的栅极相连，在低边MOSFET驱动开关的源极和低边MOSFET驱动控制电路的输入端之间设有低边MOSFET驱动开关过流保护电路。
2.根据权利要求1所述的一种可自诊断和快速保护的低边MOSFET驱动控制电路，其特征在于：所述低边MOSFET驱动开关诊断电路包括一稳压管D1，稳压管D1的负极与单片机的输入端相连，在稳压管的正极和负极之间有一个并联的电容C1，一电阻R4一端与低边驱动MOSFET的漏极连接，另一端与一电阻R5和稳压管D1的负极连接，电阻R5另一端接地。
3.根据权利要求1所述的一种可自诊断和快速保护的低边MOSFET驱动控制电路，其特征在于：所述低边MOSFET驱动控制电路包括包括场效应管Q1，在场效应管Q1的栅极和源极之间并联一电阻R2，场效应管Q1的栅极与一电阻R1以及二极管D3串联，二极管D3的正极接在单片机的输出引脚。
4.根据权利要求1所述的一种可自诊断和快速保护的低边MOSFET驱动控制电路，其特征在于：所述低边MOSFET驱动开关过流保护电路包括电流采集电阻R6，其一端与低边驱动MOSFET开关的源极和运算比较器U1A的正输入端并联，电阻R6的另一端接地，运算比较器U1A的负输入端连接有电阻R7、电阻R8和电容C2，电阻R8和电容C2并联，电阻R8和电容C2的另一并联端接地，电阻R7另一端接电源3.3V，运算比较器的输出端与电容C3和二极管D2的正极相连，电容C3另外一端接地，二极管D2的负极接到低边MOSFET驱动控制电路的R1。