一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置与流程

本发明涉及功率变换技术领域，尤其涉及一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置。

背景技术：

目前，电力电子领域对图腾柱电路中的半导体器件的研究和应用，已从第一、二代半导体器件逐渐转向第三代半导体器件，例如，从si(硅)mos(metaloxidesemiconductor，金属氧化物半导体)器件逐步转向gan(氮化镓)mos器件等。现下对图腾柱电路中的ganmos器件的驱动方式绝大多数还沿袭着第一、二代半导体器件的驱动方式，即将预先设定的两个固定电压值作为ganmos器件的开通驱动电压和关断驱动电压，如将2.2v设置为开通驱动电压，将-7v设置为关断驱动电压。

对于simos器件而言，在有反向电流(即电流从漏极流到源极)流过时，无论其本身是否有驱动电压开通，其自身具备的体二极管都会不受控的导通(二极管特性)，因而其导通电压(如vds)可为有驱动电压开通时的通态压降，或者为无开通驱动电压时的体二极管压降，如，可为0.8v(有开通电压驱动)或者-1.5v(无开通电压驱动)等。

而对于ganmos器件而言，由于其本身没有体二极管，在有反向电流流过时，由于其导通电压通常会受其驱动电压的影响，例如，在反向电流为6a、且驱动电压为0v时，ganmos器件的导通电压为-2.2v，在反向电流为6a、且驱动电压为-5v时，ganmos器件的导通电压为-7v。如果在有反向电流流过时，采用幅值过高的驱动电压(可为栅极电压低于源极电压的负电压)，就可能会使得在一些工作状态点上，ganmos器件会出现不必要的高压降，进而影响电路效率，带来能源浪费。

也就是说，现有的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方式存在灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

技术实现要素：

本发明实施例提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置，用以解决现有的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法所存在的灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

本发明实施例提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法，包括：

在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；

若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。

具体地，在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，包括：

在所述图腾柱电路处于死区时间时。

具体地，向所述氮化镓器件提供设定驱动电压，包括：

确定所述图腾柱电路的工作状态点；所述工作状态点是指所述图腾柱电路的当前工作时刻；

基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压。

可选地，基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压，包括：

确定与所述工作状态点相对应的时间段；

向所述氮化镓器件提供与所述时间段相对应的设定驱动电压；其中，越靠近所述氮化镓器件的关断时刻的时间段所对应的设定驱动电压越小。

可选地，基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压，包括：

确定图腾柱电路的工作状态点与设定驱动电压之间的关系曲线；所述关系曲线为递增曲线，所述递增曲线是通过实验分析得到的；

基于所述关系曲线，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压。

相应地，本发明实施例还提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动装置，包括：

确定模块，用于在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；

驱动模块，用于若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。

具体地，所述确定模块，具体用于在所述图腾柱电路处于死区时间时，确定流过所述氮化镓器件的电流。

具体地，所述驱动模块，具体用于确定所述图腾柱电路的工作状态点；并基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压；其中，所述工作状态点是指所述图腾柱电路的当前工作时刻。

可选地，所述驱动模块，具体用于确定与所述工作状态点相对应的时间段；并向所述氮化镓器件提供与所述时间段相对应的设定驱动电压；其中，越靠近所述氮化镓器件的关断时刻的时间段所对应的设定驱动电压越小。

可选地，所述驱动模块，还具体用于确定图腾柱电路的工作状态点与设定驱动电压之间的关系曲线；并基于所述关系曲线，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压；其中，所述关系曲线为递增曲线，所述递增曲线是通过实验分析得到的。

再者，本发明实施例还提供了一种计算设备，包括存储器和处理器，其中：

所述存储器，用于存储程序指令；

所述处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，并按照获得的程序执行本发明实施例中所述的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法。

另外，本发明实施例还提供了一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使所述计算机执行本发明实施例中所述的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置，可在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。相比于现有技术，在图腾柱电路中的某一个已经处于关断状态的氮化镓器件上有反向电流流过时，可向该氮化镓器件提供大于所述氮化镓器件的关断驱动电压且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压的设定驱动电压，而不是一直保持在关断驱动电压，从而既能够保证所述氮化镓器件的可靠关断，也能降低所述氮化镓器件的导通电压，避免了不必要的电路损耗。解决了现有技术中所存在的氮化镓器件的驱动方式的灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本发明实施例一中提供的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法的流程示意图；

图2所示为本发明实施例一中提供的图腾柱电路的结构示意图；

图3所示为本发明实施例一中提供的流过图腾柱电路中的电感电流的波形示意图；

图4所示为本发明实施例一中提供的图腾柱电路中的ganmos管的传统时序图；

图5所示为本发明实施例一中提供的在反向电流流过氮化镓器件时其驱动电压和导通电压之间的关系示意图；

图6所示为本发明实施例一中提供的图腾柱电路中的ganmos管的第一种时序图；

图7所示为本发明实施例一中提供的图腾柱电路中的ganmos管的第二种时序图；

图8(a)所示为本发明实施例一中提供的图腾柱电路中的ganmos管的第三种时序图；

图8(b)所示为本发明实施例一中提供的图腾柱电路中的ganmos管的第四种时序图；

图9所示为本发明实施例二中提供的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动装置的结构示意图；

图10所示为本发明实施例三中提供的计算机设备的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：

为了解决现有的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法所存在的灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题，本发明实施例一提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法，如图1所示，其为本发明实施例一中所述的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法的流程示意图。具体地，由图1可知，本发明实施例中所述的图腾柱电路的驱动方法可包括以下步骤：

步骤101：在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；

步骤102：若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。

也就是说，本发明实施例中，可在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。相比于现有技术，在图腾柱电路中的某一个已经处于关断状态的氮化镓器件上有反向电流流过时，可向该氮化镓器件提供大于所述氮化镓器件的关断驱动电压且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压的设定驱动电压，而不是一直保持在关断驱动电压上，从而既能够保证所述氮化镓器件的可靠关断，也能降低所述氮化镓器件的导通电压，避免了不必要的电路损耗。解决了现有技术中所存在的氮化镓器件的驱动方式的灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

具体地，在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，可包括：

在所述图腾柱电路中的第一氮化镓器件处于关断状态、且第二氮化镓器件处于开通状态时；或者，

在所述图腾柱电路中的第二氮化镓器件处于关断状态、且第一氮化镓器件处于开通状态时。

需要说明的是，所述第一氮化镓器件以及所述第二氮化镓器件分别可为所述图腾柱电路中的第一桥臂中的氮化镓器件以及第二桥臂中的氮化镓器件，例如可将图腾柱电路中的上管称为第一氮化镓器件，将图腾柱电路中的下管称为第二氮化镓器件，对此不作赘述。

由上述内容可知，只要图腾柱电路中的关断氮化镓器件上有反向电流流过时，即可采用本发明实施例中所述的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法向所述关断氮化镓器件提供相应的设定驱动电压，由于所述设定驱动电压小于所述氮化镓器件的开通驱动电压，因而能保证所述关断氮化镓器件的可靠关断；再由于所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压，因而所述设定驱动电压所带来的导通电压不会过高，能够有效降低电路损耗，节约能源。

优选地，在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，可包括：

在所述图腾柱电路处于死区时间时。

其中，所述死区时间即可为所述图腾柱电路中的第一氮化镓器件以及第二氮化镓器件均处于关断状态的时间段。

由于图腾柱电路中的第一氮化镓器件和第二氮化镓器件在交错开通时，可能会由于开关器件的延时或者开关速度等原因，导致两个氮化镓器件同时导通，这就可能会影响到图腾柱电路的安全性以及可靠性。为了避免图腾柱电路中的两个氮化镓器件同时导通，业内通常会为图腾柱电路设置相应的死区时间。

在本发明实施例中，当处于死区时间的图腾柱电路中的某一个氮化镓器件上流过了反向电流时，仍可采用本发明实施例中所述的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法实现该氮化镓器件的驱动，具体地驱动方式可与前述方式相同，此处不再赘述。

下面，以图腾柱电路处于死区时间内、且所述图腾柱电路中的第一氮化镓器件上流过了反向电流为例，对本发明实施例中所述的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法进行详细地介绍：

以ccm(continuousconductionmodel，连续导通模式)控制的图腾柱电路为例，假设所述图腾柱电路中的氮化镓器件为ganmos管，如图2所示，其为本发明实施例中所述的一种图腾柱电路的结构示意图。具体地，由图2可知，所述图腾柱电路可包括电感lpfc、第一桥臂电路以及第二桥臂电路，其中，所述第一桥臂电路中可包括第一ganmos管q1以及开关管q3，所述第二桥臂电路中可包括第二ganmos管q2以及开关管q4，所述开关管q3以及开关管q4可为普通晶体管，如三极管、mos管等，当然，也可为ganmos管，对此不作任何限定。

正常情况下，所述图腾柱电路中的电感lpfc上的电流可如图3所示，其为本发明实施例中所述的图腾柱电路中的电感电流的波形示意图。具体地，由图3可知，在本发明实施例中，在图腾柱电路的工作状态点处于t0至t1期间时，所述q2导通，所述q1关闭，所述电感lpcf上的电流为正向电流、且完全流过所述q2，此时，没有任何电流流过所述q1；在图腾柱电路的工作状态点处于t1至t2期间时，所述q1导通，所述q2关闭，所述电感lpcf上的电流为反向电流、且完全流过所述q1，此时，没有任何电流流过所述q2。

假设，当前时刻所述图腾柱电路处于死区时间内、且q1上流过了反向电流，若通过现有技术中的驱动方式，即不考虑ganmos管的导通电压和驱动电压之间的关系，按照第一、二代开关器件的驱动方式向q1和q2提供驱动电压，则所述q1、所述q2上的驱动电压和导通电压的波形示意图通常可如图4所示，其为图腾柱电路中的ganmos管的各特性的传统波形示意图(即时序图)。具体地，由图4可知，无论图腾柱电路处于何种工作状态，所述q1和所述q2都只有两种驱动电压，例如，针对所述q1，在a时刻之前(图4中的0～a时刻之间)时，其驱动电压可为-7.7v，在死区时间(图4中的a时刻～c时刻之间)时，其驱动电压也为-7.7v，在c时刻之后(图4中的c时刻～n时刻之间)时，其驱动电压可为2.2v；针对所述q2，在a时刻之前时，其驱动电压可为2.2v，在死区时间时，其驱动电压可为-7.7v，在c时刻之后时，其驱动电压仍可为-7.7v。

由于ganmos管的导通电压是跟随着驱动电压的变化而变化的，如图5所示，其为ganmos管的导通电压与驱动电压之间的关系示意图。具体地，由图5可知，针对任一ganmos管，在有反向电流流过所述ganmos管时，所述ganmos管的导通电压以及驱动电压通常可为负电压，且，所述ganmos管的导通电压(或幅值)随着所述ganmos管的驱动电压(或幅值)的增大而增大。例如，当流过所述ganmos管的反向电流为-6a时，假设所述ganmos管的驱动电压为0v，则所述ganmos管的导通电压即可为-2v；假设所述ganmos管的驱动电压为-2v，则所述ganmos管的导通电压即可为-4v；假设所述ganmos管的驱动电压为-5v，则所述ganmos管的导通电压即可为-7v，本发明实施例对此不作赘述。

由上述内容可知，如果采用现有技术，在死区时间内，当有反向电流流过所述q1时，可将所述q1的驱动电压设置为-7.7v的关断驱动电压，这虽然能够保证所述q1的可靠关断，但却给所述q1提供了-10v左右的导通电压。在所述q1已经可靠关断、且仍处于死区时间的时间段内，-10v左右的导通电压就会给整个图腾柱电路带来较大的电路损耗，进而会影响整个图腾柱电路的工作效率，可能会出现能源浪费的问题。

而在本发明实施例中，在死区时间内，当有反向电流流过所述q1时，可向所述q1提供足够可靠关断所述q1、且足够小的设定驱动电压，如-1v，一来能够保证所述q1的可靠关断，二来能够降低所述q1的导通电压，从而实现降低电路损耗以及避免能源浪费的目的。

具体地，向所述氮化镓器件提供设定驱动电压，可包括：

确定所述图腾柱电路的工作状态点；所述工作状态点是指所述图腾柱电路的当前工作时刻；

基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压。

例如，在确定所述图腾柱电路的工作状态点正处于死区时间、且所述q1上流过了反向电流时，假设所述工作状态点较接近死区时间的起始时刻，则可向所述q1提供较小的设定驱动电压，此时，所述设定驱动电压具体可为幅值足够大的负电压，以保证所述q1的可靠关断以及图腾柱电路的安全性；假设所述工作状态点较接近死区时间的终止时刻，则可说明此时所述q1已经可靠关断了，因而可向所述q1提供较大的设定驱动电压，此时，所述设定驱动电压具体可为幅值足够小的负电压，或者直接为小于开通驱动电压的正电压，以降低图腾柱电路的电路损耗，节约能源。

可选地，基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压，可包括：

确定与所述工作状态点相对应的时间段；

向所述氮化镓器件提供与所述时间段相对应的设定驱动电压；其中，越靠近所述氮化镓器件的关断时刻的时间段所对应的设定驱动电压越小。

由于越靠近所述氮化镓器件的关断时刻的时间段所对应的设定驱动电压通常为负电压，因而此处所述的“越小”实际上是指绝对值越大，对此不作赘述。

需要说明的是，在本发明实施例中，可事先(或者临时)将图腾柱电路的整个工作周期(优选为死区时间)划分为一个或两个以上个时间段，针对每一个时间段，设置一个设定驱动电压，后续在所述图腾柱电路中的任一氮化镓器件关断、并有反向电流流过所述氮化镓器件时，可首先确定所述图腾柱电路的工作状态点，并可根据预先设定的时间段与设定驱动电压的对应关系，向氮化镓器件提供相应的设定驱动电压。

其中，时间段与设定驱动电压的对应关系可预先存储在相应的存储单元中，如存储在内部存储器、或者外部存储器中，本发明实施例对此不作任何限定。

以仅考虑死区时间为例，假设整个死区时间对应一个时间段，则可在确定所述图腾柱电路的工作状态点处于死区时间时，直接向q1提供一个固定的设定驱动电压，其大小可根据实际情况灵活设置，如可设置为-1v、-2v或者-3v等，只要能够保证q1的可靠关断和q1的导通电压较小即可。

例如，如图6所示，其为本发明实施例中所述的图腾柱电路中的ganmos管的第一种时序示意图，其横轴为时间(即工作状态点)，纵轴为电压或者电流。由图6可知，在本发明实施例中，在死区时间内，当有反向电流流过q1时，可向q1提供-1v的驱动电压，从而不仅实现了q1的可靠关断，也实现了降低导通电压的目的。

需要说明的是，由图6可知，q1的驱动电压的调整不会影响q1的导通电压的下降速度，如图中q1的vds的下降阶段(或者q2的vds的上升阶段)，而只会影响最终稳定后的导通电压的大小，因而不会对整个图腾柱电路的正常工作造成任何影响。

再者，需要说明的是，由于ganmos管动作非常快，所以其自身的电流的开通和关断要比vds的升降更快，如图6中所示的a～d时间段。

仍以仅考虑死区时间为例，假设整个死区时间对应两个时间段，则可在确定所述图腾柱电路的工作状态点处于死区时间之后，进一步确定所述工作状态点对应的时间段，之后，可根据时间段与设定驱动电压的对应关系，向q1提供不同的设定驱动电压。

例如，如图7所示，其为本发明实施例中所述的图腾柱电路中的ganmos管的第二种时序示意图。由图7可知，在本发明实施例中，当处于死区时间的前半段时，如果有反向电流流过q1，则可向q1提供较小的设定驱动电压(幅值较大的负电压)，如-6v或者-5v等，以保证q1的可靠关断和图腾柱电路的安全性；当处于死区时间的后半段时，如果有反向电流流过q1，则可向q1提供较大的设定驱动电压(幅值较小的负电压、或者幅值较大的正电压)，如-1v或者1v，以实现降低电路损耗，避免能源浪费的目的。

当然，需要说明的是，在本发明实施例中，还可将死区时间划分为更多个时间段，提供的设定驱动电压可逐步提升(如从-6v变为-1v等，形状可为阶梯状)，以确保在接近死区时间的起始时刻，对q1进行可靠关断，则接近死区时间的终止时刻，尽量降低q1的导通电压，本发明实施例对此不作任何限定。

可选地，在确定所述关断氮化镓器件上的反向电流已经稳定、且持续时长大于设定时长(如5秒等。具体可灵活设定)时，基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压，还可包括：

确定图腾柱电路的工作状态点与设定驱动电压之间的关系曲线；所述关系曲线为递增曲线，所述递增曲线是通过实验分析得到的；

基于所述关系曲线，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压。

其中，所述关系曲线可为斜率固定的斜线或者斜率变化的曲线，且所述关系曲线可预先建立并存储在相应的存储单元中，如对多次实验结果进行统计分析，得到相应的关系曲线，并对所述关系曲线进行存储等，对此不作赘述。

例如，如图8(a)所示，其为本发明实施例中所述的图腾柱电路中的ganmos管的第三种时序示意图。具体地，由图8(a)可知，此时，所述关系曲线为斜率逐渐增大的曲线。当然，所述关系曲线还可为斜率逐渐降低的曲线，对此不作赘述。

再者，如图8(b)所示，其为本发明实施例中所述的图腾柱电路中的ganmos管的第四种时序示意图。具体地，由图8(b)可知，此时所述关系曲线为斜率固定的斜线，此处不再赘述。

也就是说，在本发明实施例中，还可预先(或者临时)建立工作状态点与设定驱动电压的关系曲线，在确定出图腾柱电路的工作状态点之后，可根据所述关系曲线向所述氮化镓器件提供相应的设定驱动电压。

需要说明的是，本发明实施例中所述的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方式，不仅能适用于ccm控制的图腾柱电路中，也能适用于tcm(trelliscodedmodulation，网络编码调制)控制的图腾柱电路中，只要是电路中的关断氮化镓器件上流过了反向电流即可，对此不作任何限定。

当然，本发明实施例中所述的发明构思还可适用于桥式电路中，此时只要保证关断氮化镓器件上流过了反向电流、且与所述氮化镓器件处于同一桥臂的另一个开关器件(如三极管、场效应管或者氮化镓器件等)的驱动信号为开通信号即可。对于另一桥臂中的氮化镓器件以及开关器件不作任何限定，可开通，也可关断(若关断，则所述桥式电路处于死区时间)。其中，所述桥式电路可包括全桥电路、半桥电路、双向开关pfc(powerfactorcorrection，功率因数校正)电路、或者应用在移相拓扑(或者llc拓扑或者多电平拓扑)中的各种组合式桥式电路等，对此不作任何限定。

另外，还需要说明的是，在本发明实施例中，关断氮化镓器件上流过了反向电流实际可包括当前正流过了反向电流，或者，当前无电流流过，下一时间点即将流过反向电流两种情况。

本发明实施例提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法，可在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。相比于现有技术，在图腾柱电路中的某一个已经处于关断状态的氮化镓器件上有反向电流流过时，可向该氮化镓器件提供大于所述氮化镓器件的关断驱动电压且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压的设定驱动电压，而不是一直保持在关断驱动电压，从而既能够保证所述氮化镓器件的可靠关断，也能降低所述氮化镓器件的导通电压，避免了不必要的电路损耗。解决了现有技术中所存在的氮化镓器件的驱动方式的灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

实施例二：

基于与本发明实施例一相同的发明构思，本发明实施例二提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动装置，如图9所示，其为本发明实施例中所述的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动装置的结构示意图。具体地，由图9可知，在本发明实施例中，所述图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动装置可包括：

确定模块91，可用于在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；

驱动模块92，可用于若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。

也就是说，在本发明实施例二中，可包括用于在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流的确定模块以及用于若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压的驱动模块。其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。相比于现有技术，在图腾柱电路中的某一个已经处于关断状态的氮化镓器件上有反向电流流过时，可向该氮化镓器件提供大于所述氮化镓器件的关断驱动电压且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压的设定驱动电压，而不是一直保持在关断驱动电压，从而既能够保证所述氮化镓器件的可靠关断，也能降低所述氮化镓器件的导通电压，避免了不必要的电路损耗。解决了现有技术中所存在的氮化镓器件的驱动方式的灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

具体地，所述确定模块91，可具体用于在所述图腾柱电路处于死区时间时，确定流过所述氮化镓器件的电流。

具体地，所述驱动模块92，可具体用于确定所述图腾柱电路的工作状态点；并基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压；其中，所述工作状态点是指所述图腾柱电路的当前工作时刻。

可选地，所述驱动模块92，可具体用于确定与所述工作状态点相对应的时间段；并向所述氮化镓器件提供与所述时间段相对应的设定驱动电压；其中，越靠近所述氮化镓器件的关断时刻的时间段所对应的设定驱动电压越小。

可选地，所述驱动模块92，还可具体用于确定图腾柱电路的工作状态点与设定驱动电压之间的关系曲线；并基于所述关系曲线，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压；其中，所述关系曲线为递增曲线，所述递增曲线是通过实验分析得到的。

本发明实施例二提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动装置，可包括用于在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流的确定模块以及用于若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压的驱动模块。其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。相比于现有技术，在图腾柱电路中的某一个已经处于关断状态的氮化镓器件上有反向电流流过时，可向该氮化镓器件提供大于所述氮化镓器件的关断驱动电压且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压的设定驱动电压，而不是一直保持在关断驱动电压，从而既能够保证所述氮化镓器件的可靠关断，也能降低所述氮化镓器件的导通电压，避免了不必要的电路损耗。解决了现有技术中所存在的氮化镓器件的驱动方式的灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

实施例三：

本发明实施例三提供了一种计算设备，如图10所示，其为本发明实施例中所述的计算设备的结构示意图。所述计算设备具体可以为桌面计算机、便携式计算机、智能手机、平板电脑、个人数字助理(personaldigitalassistant，pda)等。具体地，由图10可知，本发明实施例中所述的计算设备可以包括中央处理器(centerprocessingunit，cpu)1001、存储器1002、输入设备1003以及输出设备1004等，输入设备1003可以包括键盘、鼠标、触摸屏等，输出设备1004可以包括显示设备，如液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)、阴极射线管(cathoderaytube，crt)等。

存储器1002可以包括只读存储器(rom)和随机存取存储器(ram)，并向中央处理器1001提供存储器1002中存储的程序指令和数据。在本发明实施例中，存储器1002可以用于存储图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法的程序。

中央处理器1001通过调用存储器1002存储的程序指令，中央处理器1001可用于按照获得的程序指令执行：在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。

实施例四：

本发明实施例四提供了一种计算机存储介质，用于储存为上述计算设备所用的计算机程序指令，其包含用于执行上述图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法的程序。

所述计算机存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或数据存储设备，包括但不限于磁性存储器(例如软盘、硬盘、磁带、磁光盘(mo)等)、光学存储器(例如cd、dvd、bd、hvd等)、以及半导体存储器(例如rom、eprom、eeprom、非易失性存储器(nandflash)、固态硬盘(ssd))等。

本领域技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、装置(设备)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。