1.一种防反接电路，应用于充电电路，其特征在于，包括第一可控开关、第二可控开关、第三可控开关以及第四可控开关，其中：
所述第一可控开关的第一端、所述第二可控开关的第一端、所述第三可控开关的控制端以及所述第四可控开关的控制端相互连接，其公共端作为第一输入端；所述第一可控开关的控制端、所述第二可控开关的控制端、所述第三可控开关的第一端以及所述第四可控开关的第一端相互连接，其公共端作为第二输入端；所述第一可控开关的第二端与所述第三可控开关的第二端连接，其公共端作为输出端；所述第二可控开关的第二端与所述第四可控开关的第二端接地；
当第一输入端接电源正极，第二输入端接电源负极时，所述第一可控开关和所述第四可控开关导通，所述第二可控开关和所述第三可控开关关断；当第一输入端接电源负极，第二输入端接电源正极时，所述第二可控开关和所述第三可控开关导通，所述第一可控开关和所述第四可控开关关断。
2.根据权利要求1所述的防反接电路，其特征在于，所述第一可控开关为第一PMOS，所述第二可控开关为第一NMOS，所述第三可控开关为第二PMOS，所述第四可控开关为第二NMOS；
所述第一PMOS的漏极、源极和栅极分别作为所述第一可控开关的第一端、第二端和控制端，所述第一NMOS的漏极、源极和栅极分别作为所述第二可控开关的第一端、第二端和控制端，所述第二PMOS的漏极、源极和栅极分别作为所述第三可控开关的第一端、第二端和控制端，所述第二NMOS的漏极、源极和栅极分别作为所述第四可控开关的第一端、第二端和控制端。
3.根据权利要求1所述的防反接电路，其特征在于，所述第一可控开关为第一PNP型三极管，所述第二可控开关为第一NPN型三极管，所述第三可控开关为第二PNP型三极管，所述第四可控开关为第二NPN型三极管；
所述第一PNP型三极管的发射极、集电极和基极分别作为所述第一可控开关的第一端、第二端和控制端，所述第一NPN型三极管的集电极、发射极和基极分别作为所述第二可控开关的第一端、第二端和控制端，所述第二PNP型三极管的发射极、集电极和基极分别作为所述第三可控开关的第一端、第二端和控制端，所述第二NPN型三极管的集电极、发射极和基极分别作为所述第四可控开关的第一端、第二端和控制端。
4.一种充电电路，其特征在于，包括蓄能电路以及如权利要求1-3任意一项所述的防反接电路。
5.根据权利要求4所述的充电电路，其特征在于，所述充电电路还包括过压保护电路。
6.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于，所述充电电路还包括过流保护电路。