具有过压保护功能的充电线缆电路及线缆的制作方法

技术特征：

1.一种具有过压保护功能的充电线缆电路，其特征在于，包括：USB接口、控制芯片、Lightning接口、PMOS晶体管、第二电阻、第三电阻、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；

所述USB接口的接地脚接地，其电源脚与所述PMOS晶体管的源极连接；

所述PMOS晶体管的漏极分别与所述控制芯片的电压输出脚和所述Lightning接口的电源脚连接，其栅极与所述第二NMOS晶体管的漏极连接；

所述第二NMOS晶体管的源极接地，其栅极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接；

所述第一NMOS晶体管的源极接地，其栅极与所述控制芯片的PMOS控制输出脚连接；

所述第二电阻一端与所述USB接口的电源脚连接，另一端连接于所述第一NMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的栅极之间；

所述第三电阻一端与所述USB接口的电源脚连接，另一端连接于所述第二NMOS晶体管的漏极和所述PMOS晶体管的栅极之间。

2.如权利要求1所述的具有过压保护功能的充电线缆电路，其特征在于，还包括第一电阻和稳压二极管；

所述第一电阻一端连接所述USB接口的电源脚，另一端连接于所述Lightning接口的供电输入脚；

所述稳压二极管的正极接地，其负极连接于所述第一电阻和所述控制芯片的供电输入脚之间。

3.如权利要求1所述的具有过压保护功能的充电线缆电路，其特征在于，Lightning接口的供电输入脚与所述USB接口的电源脚之间设置有第一LDO芯片。

4.如权利要求1～3任一所述的具有过压保护功能的充电线缆电路，其特征在于，所述PMOS晶体管的源极和漏极之间还连接有第四电阻或第二LDO芯片。

5.如权利要求4所述的具有过压保护功能的充电线缆电路，其特征在于，还包括Micro USB接口和Type C接口，所述Micro USB接口具有电源脚和接地脚，其电源脚与所述USB接口的电源脚连接，其接地脚接地，所述Type C接口具有电源脚和接地脚，其电源脚与所述USB接口的电源脚连接，其接地脚接地。

6.如权利要求5所述的具有过压保护功能的充电线缆电路，其特征在于，所述第二电阻和第三电阻阻值为100KΩ。

7.如权利要求2所述的具有过压保护功能的充电线缆电路，其特征在于，所述第一电阻阻值为1KΩ。

8.一种具有过压保护功能的充电线缆，其特征在于，包括权利要求1～7任一所述的具有过压保护功能的充电线缆电路。