一种用于限流的七芯片整流器的制作方法

本实用新型涉及整流器的技术领域，特别地涉及一种用于限流的七芯片整流器。

背景技术：

三相整流模块，是将数个整流管封装在同一个壳体内，构成一个完整的整流电路。随着电力半导体模块的工艺制造技术、设计能力、测试水平以及生产经验的不断完善，目前三相整流模块已经普遍适用于变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不停电电源、高频感应加热电源、工业电磁炉以及电动车增程器等行业。但是大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是：为了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，本实用新型提供了一种用于限流的七芯片整流器，将三块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板焊接于底座，第二陶瓷基板安装在任意两个第一陶瓷基板之间，第一陶瓷基板上一侧焊接有第二半导体电极，第二半导体电极的第三焊接部上焊接有第二半导体芯片，第二半导体电极的第二固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体上，第一陶瓷基板上另一侧焊接有第一半导体电极，第一半导体电极的第二焊接部焊接至第二半导体芯片的上表面，第一半导体电极的第一固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体上，第一半导体电极的第一焊接部上焊接有第一半导体芯片，第二陶瓷基板上位于第二半导体芯片的一侧焊接有第一可控硅电极，第一可控硅电极的第四焊接部上焊接有可控硅芯片，第一可控硅电极的第三固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定在壳体上，可控硅芯片上表面焊接有第二可控硅电极,第二可控硅电极的第四固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过罗山与螺母配合固定在壳体上，最后在第一半导体芯片和第四焊接部上表面焊接连接电极，可控硅芯片通过引线与固定件连接。解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于限流的七芯片整流器，包括：

底座，

壳体，所述壳体上开设有若干空心槽，

三个芯片电极组件，所述芯片电极组件包括：第一陶瓷基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片和第一半导体电极，所述第一陶瓷基板固定于底座上，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片均设置在陶瓷基板上方，所述第一半导体电极包括：依次连接的第一固定部、第一连接部、第一焊接部、折弯部和第二焊接部，所述第二焊接部固定连接于第二半导体芯片上方，所述第一焊接部固定连接于第一半导体芯片与第一陶瓷基板之间，所述第一固定部穿过空心槽并折弯，

第二半导体电极，所述第二半导体电极包括：依次连接的第二固定部、第二连接部和三个第三焊接部，一个所述第三焊接部对应一个芯片电极组件，所述第三焊接部固定于第二半导体芯片与第一陶瓷基板之间，

第二陶瓷基板，所述第二陶瓷基板固定连接于底座上，所述第二陶瓷基板设置在相邻两个第一陶瓷基板之间，

第一可控硅电极，所述第一可控硅电极包括：依次连接的第三固定部、第三连接部和第四焊接部，所述第四焊接部固定于第二陶瓷基板上方，所述第三固定部穿过空心槽并折弯，

连接电极，所述连接电极与每个第一半导体芯片的上表面连接，所述连接电极与位于第一半导体电极侧的第四焊接部上表面连接，

可控硅芯片，所述可控硅芯片固定于第四焊接部上，所述可控硅芯片位于第二半导体芯片一侧，

第二可控硅电极，所述第二可控硅电极包括：依次连接的第四固定部、第四连接部和第五焊接部，所述第五焊接部固定连接于可控硅芯片上表面，所述第四固定部穿过空心槽并折弯，

固定件，所述固定件用于底端通过引线与可控硅芯片连接，所述固定件穿过空心槽并在壳体上下两侧折弯。

作为优选，相邻两个所述空心槽之间设有凸楞。

作为优选，所述壳体中间开设有灌装槽。

具体地，所述灌装槽与空心槽之间通过卡块连接。

具体地，所述第一固定部、第二固定部、第三固定部、第四固定部和固定件均与壳体形成90°折弯。

作为优选，所述第一固定部与第一连接部之间、所述第二固定部与第二连接部之间、所述第三固定部与第三连接部之间、所述第四固定部与第四连接部之间均设有便于折弯的折弯孔。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型提供了一种用于限流的七芯片整流器，将三块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板焊接于底座，第二陶瓷基板安装在任意两个第一陶瓷基板之间，第一陶瓷基板上一侧焊接有第二半导体电极，第二半导体电极的第三焊接部上焊接有第二半导体芯片，第二半导体电极的第二固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体上，第一陶瓷基板上另一侧焊接有第一半导体电极，第一半导体电极的第二焊接部焊接至第二半导体芯片的上表面，第一半导体电极的第一固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体上，第一半导体电极的第一焊接部上焊接有第一半导体芯片，第二陶瓷基板上位于第二半导体芯片的一侧焊接有第一可控硅电极，第一可控硅电极的第四焊接部上焊接有可控硅芯片，第一可控硅电极的第三固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过螺栓与螺母配合固定在壳体上，可控硅芯片上表面焊接有第二可控硅电极,第二可控硅电极的第四固定部穿过壳体上的空心槽并折弯通过罗山与螺母配合固定在壳体上，最后在第一半导体芯片和第四焊接部上表面焊接连接电极，可控硅芯片通过引线与固定件连接。解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。

本实用新型提供了一种用于限流的九芯片整流器，为了解决整流器模块在插导线进行使用时两导线相接触引起电路故障的问题，相邻两个空心槽之间设有凸楞，每一根与壳体上空心槽位置处对应的导线均通过凸楞分隔，使得相邻两导线不会相互接触，避免发生电路故障事故。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型一种用于限流的七芯片整流器的结构示意图；

图2是第一半导体电极的结构示意图；

图3是第二半导体电极的结构示意图；

图4是第一可控硅电极的结构示意图；

图5是第二可控硅电极的结构示意图；

图中：1.底座，2.壳体，3.空心槽，4.第一陶瓷基板，5.第一半导体芯片， 6.第二半导体芯片，7.第一半导体电极，71.第一固定部，72.第一连接部，73. 第一焊接部，74.折弯部，75.第二焊接部，8.第二半导体电极，81.第二固定部， 82.第二连接部，83.第三焊接部，9.第二陶瓷基板，10.第一可控硅电极，101. 第三固定部，102.第三连接部，103.第四焊接部，11.连接电极，12.可控硅芯片，13.第二可控硅电极，131.第四固定部，132.第四连接部，133.第五焊接部， 14.固定件，15.凸楞，16.灌装槽，17卡块，18.折弯孔。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图所示，本实用新型提供了一种用于限流的七芯片整流器，包括：

底座1，

壳体2，壳体2上开设有若干空心槽3，

三个芯片电极组件，芯片电极组件包括：第一陶瓷基板4、第一半导体芯片 5、第二半导体芯片6和第一半导体电极7，第一陶瓷基板4固定于底座1上，第一半导体芯片5和第二半导体芯片6均设置在第一陶瓷基板4上方，第一半导体电极7包括：依次连接的第一固定部71、第一连接部72、第一焊接部73、折弯部74和第二焊接部75，第二焊接部75固定连接于第二半导体芯片6上方，第一焊接部73固定连接于第一半导体芯片5与第一陶瓷基板4之间，第一固定部71穿过空心槽3并折弯，

第二半导体电极8，第二半导体电极8包括：依次连接的第二固定部81、第二连接部82和三个第三焊接部83，一个第三焊接部83对应一个芯片电极组件，第三焊接部83固定于第二半导体芯片6与第一陶瓷基板4之间，

第二陶瓷基板9，第二陶瓷基板9固定连接于底座1上，第二陶瓷基板9设置在相邻两个第一陶瓷基板4之间，

第一可控硅电极10，第一可控硅电极10包括：依次连接的第三固定部101、第三连接部102和第四焊接部103，第四焊接部103固定于第二陶瓷基板9上方，第三固定部101穿过空心槽3并折弯，

连接电极11，连接电极11与每个第一半导体芯片5的上表面连接，连接电极11与位于第一半导体电极7侧的第四焊接部103上表面连接，

可控硅芯片12，可控硅芯片12固定于第四焊接部103上，可控硅芯片12 位于第二半导体芯片6一侧，

第二可控硅电极13，第二可控硅电极13包括：依次连接的第四固定部131、第四连接部132和第五焊接部133，第五焊接部133固定连接于可控硅芯片12 上表面，第四固定部131穿过空心槽3并折弯，

固定件14，固定件14用于底端通过引线与可控硅芯片12连接，固定件14 穿过空心槽3并在壳体2上下两侧折弯。

安装时，将三块第一陶瓷基板4和一块第二陶瓷基板9焊接于底座1上，第二陶瓷基板9安装在任意两个第一陶瓷基板4之间，第一陶瓷基板4上一侧焊接有第二半导体电极8，第二半导体电极8的第三焊接部83上焊接有第二半导体芯片6，第二半导体电极8的第二固定部81穿过壳体2上的空心槽3并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体2上，第一陶瓷基板4上另一侧焊接有第一半导体电极7，第一半导体电极7的第二焊接部75焊接至第二半导体芯片6的上表面，第一半导体电极7的第一固定部71穿过壳体2上的空心槽3并折弯通过螺栓与螺母配合固定于壳体2上，第一半导体电极7的第一焊接部73上焊接有第一半导体芯片5，第二陶瓷基板4上位于第二半导体芯片6的一侧焊接有第一可控硅电极10，第一可控硅电极10的第四焊接部103上焊接有可控硅芯片 12，第一可控硅电极10的第三固定部101穿过壳体2上的空心槽3并折弯通过螺栓与螺母配合固定在壳体2上，可控硅芯片12上表面焊接有第二可控硅电极 13,第二可控硅电极13的第四固定部131穿过壳体2上的空心槽3并折弯通过罗山与螺母配合固定在壳体2上，最后在第一半导体芯片5和第四焊接部103 上表面焊接连接电极11，可控硅芯片12通过引线与固定件14连接。解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片12对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片12对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。

在一种具体实施方式中，为了解决整流器模块在插导线进行使用时两导线相接触引起电路故障的问题，相邻两个空心槽3之间设有凸楞15，每一根与壳体上空心槽3位置处对应的导线均通过凸楞13分隔，使得相邻两导线不会相互接触，避免发生电路故障事故。

具体地，壳体2中间开设有灌装槽16，用于灌装环氧树脂等密封稳定材料进行密封。

具体地，灌装槽16与空心槽3之间通过卡块17分隔。

具体地，第一固定部71、第二固定部81、第三固定部101、第四固定部131 和固定件14均与壳体2形成90°折弯。

在一种具体实施方式中，为了方便第一固定部71、第二固定部81、第三固定部101和第四固定部131折弯，第一固定部71与第一连接部72之间、第二固定部81与第二连接部82之间、第三固定部101与第三连接部102之间、第四固定部131与第四连接部132之间均设有便于折弯的折弯孔18。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。