一种设有Boost电路的变频器的制作方法

文档序号:15225935发布日期:2018-08-21 18:12阅读:387来源:国知局

本实用新型涉及变频器领域,尤其是涉及一种设有Boost电路的变频器。



背景技术:

变频器是应用变频和电力电子技术,通过改变输入交流电源频率的方式来控制交流电动机的电力控制设备。由于分布式电源的不断发展,在很多变频器的应用地区存在交流输入电源波动较大的情况。在变频器工作过程中,由于输入电压存在波动,交流电源的频率也存在不稳定性,因此会对变频器的输出产生影响,导致电机控制的不稳定性。因此,需要涉及一种可以稳压稳频的变频器,适应存在不确定性的交流输入电源。

因此,针对上述问题,本案发明人提出了一种设有Boost电路的变频器,该变频器可以在输入电压低时,利用Boost电路自动升压,在输入电压过高时利用逆变模块降压,并且通过逆变模块还可以实现频率的稳定控制,可以有效应对输入交流电源不稳定的情况,实现稳压稳频的功能。



技术实现要素:

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:

一种设有Boost电路的变频器,包括顺次连接的整流模块、滤波模块一、 Boost电路、滤波模块二、逆变模块、以及输出电路,在所述变频器内还设有控制模块,所述整流模块输出端与所述控制模块之间连接有电压采样模块,所述滤波模块二的输出端与所述控制模块之间连接有电流采样模块,所述控制模块输出端分别与所述Boost电路以及所述逆变模块相连,其中,所述Boost 电路包括电解电容一、电解电容二、电抗器、IGBT模块一、IGBT模块二、以及二极管,所述电解电容一与所述电解电容二串联连接于信号输入端一与信号输入端二之间,所述信号输入端一、电抗器、二极管、以及信号输出端一顺次连接,所述IGBT模块一与IGBT模块二并联连接于所述二极管的输入端与所述信号输出端二之间。

所述变频器内部还包括温度采样模块,所述温度采样模块的输出端与所述控制模块连接,所述温度采样模块内部设置有温度传感器LM35。

所述控制模块内部设置有R5F212B8SDFP单片机芯片。

所述电流采样模块内部含有霍尔传感器。

本实用新型具有的有益效果是:设有Boost电路的变频器可以在输入电压低时,利用Boost电路自动升压,在输入电压过高时利用逆变模块降压,并且通过逆变模块还可以实现频率的稳定控制,可以有效应对输入交流电源不稳定的情况,实现稳压稳频的功能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施方案或现有技术中的技术方案,下面将对实施方案或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方案,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。

图1为本实用新型:一种设有Boost电路的变频器的结构示意图;

图2为本实用新型:Boost电路的电路图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。

参照图1、2所示的一种设有Boost电路的变频器,包括顺次连接的整流模块1、滤波模块一2、Boost电路3、滤波模块二4、逆变模块5、以及输出电路6,所述变频器内还设有控制模块8,所述整流模块1输出端与所述控制模块8之间连接有电压采样模块7,所述滤波模块二4的输出端与所述控制模块8之间连接有电流采样模块9,所述控制模块8输出端分别与所述Boost电路3以及所述逆变模块5相连,其中,所述Boost电路3包括电解电容一C1、电解电容二C2、电抗器L、IGBT模块一G1、IGBT模块二G2、以及二极管 D,所述电解电容一C1与所述电解电容二C2串联连接于信号输入端一A与信号输入端二B之间,所述信号输入端一A、电抗器L、二极管D、以及信号输出端一M顺次连接,所述IGBT模块一G1与IGBT模块二G2并联连接于所述二极管D的输入端与所述信号输出端二N之间。

在所述变频器内部还设有温度采样模块10,所述温度采样模块10的输出端与所述控制模块8连接,所述温度采样模块10内部设置有温度传感器LM35。所述控制模块8内部设置有R5F212B8SDFP单片机芯片。

在所述电流采样模块9内部含有霍尔传感器。

本实用新型具有的有益效果是:该变频器可以在输入电压低时,利用所述Boost电路3自动升压,在输入电压过高时利用逆变模块5降压,并且通过逆变模块5还可以实现频率的稳定控制,可以有效应对输入交流电源不稳定的情况,实现稳压稳频的功能。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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