1.一种具有过流限制功能的设备，所述设备适用于绝缘栅双极型晶体管igbt，并且所述设备包括：控制器、比较器、过流限制二级管、过流限制三级管、电流镜检测igbt、第一检测电阻、第二检测电阻、第一温度补偿二极管以及第二温度补偿二极管；
所述电流镜检测igbt的发射极一方面连接参考电压端，另一方面连接所述过流限制三级管的基极；
所述过流限制三级管的基极通过依次连接的所述第一温度补偿二极管、第一检测电阻、第二温度补偿二极管及第二检测电阻连接所述参考电压端；所述过流限制三级管的集电极通过所述过流限制二级管连接所述电流镜检测igbt的基极；所述过流限制三级管的发射极连接所述参考电压端；
所述比较器的正输入端连接所述第一检测电阻与所述第二温度补偿二极管之间的连接点；所述比较器的负输入端连接所述参考电压端；
所述比较器的输出端连接所述控制器的输入端，所述控制器的输出端连接所述电流镜检测igbt的基极。
2.如权利要求1所述的设备，所述过流限制二级管为齐纳二极管。
3.如权利要求2所述的设备，所述电流镜检测igbt由数万个并联连接的小电池组成。
4.如权利要求1-3中任一项所述的设备，所述比较器的负输入端连接参考电压源的正极，所述参考电压源的负极连接所述参考电压端。
5.如权利要求4所述的设备，所述第一温度补偿二极管、以及第二温度补偿二极管的温度系数为-1.8mv/℃，所述第一检测电阻及第二检测电阻感应电阻的温度系数为+1.5mv/℃。
6.如权利要求2所述的设备，所述齐纳二极管的击穿电压设置为10～12v。
7.一种构建具有过流限制功能的设备的方法，所述设备适用于绝缘栅双极型晶体管igbt并且所述设备包括：控制器、比较器、过流限制二级管、过流限制三级管、电流镜检测igbt、第一检测电阻、第二检测电阻、第一温度补偿二极管以及第二温度补偿二极管；
所述方法包括：
将所述电流镜检测igbt的发射极一方面连接参考电压端，另一方面连接所述过流限制三级管的基极；
将所述过流限制三级管的基极通过依次连接的所述第一温度补偿二极管、第一检测电阻、第二温度补偿二极管及第二检测电阻连接所述参考电压端；将所述过流限制三级管的集电极通过所述过流限制二级管连接所述电流镜检测igbt的基极；并且将所述过流限制三级管的发射极连接所述参考电压端；
将所述比较器的正输入端连接所述第一检测电阻与所述第二温度补偿二极管之间的连接点；并且将所述比较器的负输入端连接所述参考电压端；以及
将所述比较器的输出端连接所述控制器的输入端，并且将所述控制器的输出端连接所述电流镜检测igbt的基极。
8.如权利要求7所述的方法，所述过流限制二级管为齐纳二极管。
9.如权利要求8所述的方法，所述电流镜检测igbt由数万个并联连接的小电池组成。
10.如权利要求7-9中任一项所述的方法，将所述比较器的负输入端连接参考电压源的正极，并且将所述参考电压源的负极连接所述参考电压端。
11.如权利要求10所述的方法，所述第一温度补偿二极管、以及第二温度补偿二极管的温度系数为-1.8mv/℃，所述第一检测电阻及第二检测电阻感应电阻的温度系数为+1.5mv/℃。
12.如权利要求8所述的方法，所述齐纳二极管的击穿电压设置为10～12v。