本实用新型涉及电源电路，具体涉及具有保护功能的辅助电源。
背景技术：
在MCU芯片的使用中，MCU芯片的供电电压的稳定对MCU芯片的性能很关键，现有的具有保护功能的辅助电源，在使用过程中，若MCU芯片的电源端和地端反接，很容易造成芯片烧坏。现有通过在MCU芯片的电源端处连接一单向导通二极管防止电源电路接反，然而二极管会产生较高的压降，导致损坏增大。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服现有技术问题，提出一种具有保护功能的辅助电源，具体方案如下，
包括AC/DC模块（1）、DC/DC模块（2）、输出保护模块（3）；
所述AC/DC模块（1）的输入端口用于连接至市电；所述AC/DC模块（1）的输出端连接至所述DC/DC模块（2）的输入端；所述DC/DC模块（2）的输出端连接至所述输出保护模块（3）的输入端，所述输出保护模块（3）的输出端连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述AC/DC模块（1）用于将交流电转成直流电；
所述DC/DC模块（2）用于将较高的直流电压转换成较低的直流电压；
所述输出保护模块（3）包括可控型开关器件（Q1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2），所述可控型开关器件（Q1）的一端连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+）；所述可控型开关器件（Q1）的另一端为所述输出保护模块（3）的正输出端（Vout+）连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述第二电阻（R2）的一端连接至所述可控型开关器件（Q1）的另一端，所述第二电阻（R2）的另一端连接至所述第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）；
所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）为所述输出保护模块（3）的负输出端（Vout-）连接至MCU芯片（4）的接地端。
进一步的，所述输出保护模块（3）还包括稳压二极管（DZ1），所述稳压二极管（DZ1）的阴极连接至所述可控型开关器件（Q1）的控制端；所述稳压二极管（DZ1）的阳极连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述AC/DC模块（1）为桥式整流电路。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述DC/DC模块（2）为单端反激式降压电路。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述可控型开关器件（Q1）为MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的源极（S）连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+），所述MOSFET晶体管的漏极（D）连接至所述第二电阻（R2）的一端；
所述MOSFET晶体管的栅极为所述可控型开关管（Q1）的控制端（G）。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述MOSFET晶体管还设有反向恢复二极管，所述反向恢复二极管的阳极连接至所述MOSFET晶体管的源极，所述反向恢复二极管的阴极连接至所述MOSFET晶体管的漏极。
本实用新型的具有保护功能的辅助电源，包括AC/DC模块、DC/DC模块、输出保护模块，通本实用新型的具有保护功能的辅助电源，可控开关器件的导通和断开，能有效地防止供电电源电路反接对MCU芯片造成损坏。另稳压二极管保护可控型开关器件，避免可控型开关器件的栅极的偏压过高造成损坏。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对发明的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型实施例具有保护功能的辅助电源的原理示意图；
图2为本实用新型实施例具有保护功能的辅助电源的输出保护模块与MCU芯片的示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型提供了一种具有保护功能的辅助电源，如附图1所示，包括AC/DC模块（1）、DC/DC模块（2）、输出保护模块（3）；
所述AC/DC模块（1）的输入端口用于连接至市电；所述AC/DC模块（1）的输出端连接至所述DC/DC模块（2）的输入端；所述DC/DC模块（2）的输出端连接至所述输出保护模块（3）的输入端，所述输出保护模块（3）的输出端连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述AC/DC模块（1）用于将交流电转成直流电；
所述DC/DC模块（2）用于将较高的直流电压转换成较低的直流电压；
所述输出保护模块（3），如附图2所示，包括可控型开关器件（Q1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2），所述可控型开关器件（Q1）的一端连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+）；所述可控型开关器件（Q1）的另一端为所述输出保护模块（3）的正输出端（Vout+）连接至MCU芯片（4）的电源端（VCC）；
所述第二电阻（R2）的一端连接至所述可控型开关器件（Q1）的另一端，所述第二电阻（R2）的另一端连接至所述第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）；
所述DC/DC模块（2）的负输出端（V-）为所述输出保护模块（3）的负输出端（Vout-）连接至MCU芯片（4）的接地端。
进一步的，所述输出保护模块（3）还包括稳压二极管（DZ1），所述稳压二极管（DZ1）的阴极连接至所述可控型开关器件（Q1）的控制端；所述稳压二极管（DZ1）的阳极连接至所述DC/DC模块（2）的负输出端。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述AC/DC模块（1）为桥式整流电路。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述DC/DC模块（2）为单端反激式降压电路。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述可控型开关器件（Q1）为MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的源极（S）连接至所述DC/DC模块（2）的正输出端（V+），所述MOSFET晶体管的漏极（D）连接至所述第二电阻（R2）的一端；
所述MOSFET晶体管的栅极为所述可控型开关器件（Q1）的控制端（G）。
进一步的，在本实用新型中，具有保护功能的辅助电源的所述MOSFET晶体管还设有反向恢复二极管，所述反向恢复二极管的阳极连接至所述MOSFET晶体管的源极，所述反向恢复二极管的阴极连接至所述MOSFET晶体管的漏极。
本实用新型的包括AC/DC模块、DC/DC模块、输出保护模块，通本实用新型的具有保护功能的辅助电源，可控开关器件的导通和断开，能有效地防止供电电源电路反接对MCU芯片造成损坏。另稳压二极管保护可控型开关器件，避免可控型开关器件的栅极的偏压过高造成损坏。
上述说明描述了本实用新型的优选实施例，但应当理解本实用新型并非局限于上述实施例，且不应看作对其他实施例的排除。通过本实用新型的启示，本领域技术人员结合公知或现有技术、知识所进行的改动也应视为在本实用新型的保护范围内。