一种开关电源电路的制作方法

本发明涉及开关电源电路领域。

背景技术：

目前，开关电源是一种AC/DC电路，包括整流电路、调频变换电路、调频方波整流电路、控制电路等四个主要部分，调频变换电路主要包括变压器，变压器和开关管，开关管由控制器产生的PWM信号控制开/断，由些在变压器副边绕组上产生高频方波，经由调频方波整流电路产生合适的直流输出DC OUT。

系统机房电源系统都采用N+1冗余，随着系统越来越小型化，功率密度增加，对效率要求越来越高，使同步整流普及。而目前，系统机房的电源需要进行输出采样，而采样时，由于所有的开关电源均采用并联的方式，不能采样单独的电源电路，如果在N+1个开关电源中有任何一个开关电源过压时，会影响到所有的N+1个开关电源。

技术实现要素：

本发明针对目前系统机房中N+1个开关电源的冗余供电系统中不能对单个的开关电源进行过压采样所带来的不足，提供一种开关电源电路，该电路中，过压采样从从变压器绕组直接取出，不受整个电源系统的输出影响。

本发明为实现其技术目的所采用的技术方案是：一种开关电源电路，包括变压器副边绕组，设置在变压器副边绕组T1B和变压器副边绕组T1B两端的同步整流电路；在所述的变压器副边绕组T1B的同相端还设置有过压采样电路，所述的过压采样电路包括电容C1、二极管D1、二极管D3、电阻R2、电阻R3、电容C2、稳压管ZD1；

所述的电容C1一端与所述的变压器副边绕组T1B的同相端相连，另一端分别与二极管D1的N极和二极管D3的P极相连，二极管D3的N极依次通过电阻R2、电阻R3、稳压管ZD1接地；二极管D1的P极接地；电容C2设置在电阻R2和电阻R3的公共端与地之间；所述的稳压管ZD1的N 极形成采样输出OVP。

本实用新型过压采样从从变压器绕组直接取出，不受整个电源系统的输出影响。

进一步的，上述的开关电源电路中：在所述的稳压管ZD1的两端还并联有电阻R5和电容C3。

进一步的，上述的开关电源电路中：在所述的电容C1与二极管D3的P 极相连的公共端与二极管D1的N极之间还设置有电阻R1。

进一步的，上述的开关电源电路中：所述的同步整流电路包括同步整流 MOS管Q1和同步整流MOS管Q2及其驱动电路，所述的同步整流MOS 管Q1的漏极接变压器副边绕组T1B的同相端VD1，同步整流MOS管Q1 的源极与同步整流MOS管Q2的源极相连，同步整流MOS管Q2的漏极接变压器副边绕组T1C的同相端VD2；变压器副边绕组T1B和变压器副边绕组T1C的异相相连；同步整流MOS管Q1的源极与同步整流MOS管Q2 的源极的公共端与变压器副边绕组T1B和变压器副边绕组T1C的异相端相连形成的公共端形成同步整流电路输出。

进一步的，上述的开关电源电路中：

所述的同步整流MOS管Q1的驱动电路包括二极管D2、电阻R4和电阻R6；外接控制信号SDR1分别与二极管D2的N极和电阻R6的一端相连，二极管D2的P极和电阻R6相连的公共端与同步整流MOS管Q1的栅极相连，在同步整流MOS管Q1的栅极与漏极之间接有电阻R4；

所述的同步整流MOS管Q2的驱动电路包括二极管D6、电阻R9和电阻R10；外接控制信号SDR2分别与二极管D6的N极和电阻R9的一端相连，二极管D6的P极和电阻R9相连的公共端与同步整流MOS管Q2的栅极相连，在同步整流MOS管Q2的栅极与漏极之间接有电阻R10。

进一步的，上述的开关电源电路中：在同步整流MOS管Q1和同步整流 MOS管Q2的源漏极之间还设置有吸收电路；

所述的同步整流MOS管Q1的吸收电路包括二极管D4、电阻R7、电容C4；所述的二极管D4的P极接同步整流MOS管Q1的源极，二极管D4 的N极分别与电容C4和电阻R7的一端相连，电容C4和电阻R7的另一端接同步整流MOS管Q1的漏极；

所述的同步整流MOS管Q2的吸收电路包括二极管D5、电阻R8、电容C6；所述的二极管D5的P极接同步整流MOS管Q2的源极，二极管D5 的N极分别与电容C6和电阻R8的一端相连，电容C6和电阻R8的另一端接同步整流MOS管Q2的漏极。

进一步的，上述的开关电源电路中：在同步整流电路输出端还并联设置有滤波电容E1和滤波电容C5。

附图说明

图1是本实用新型实施例中的开关电源变压器副边电路原理图。

具体实施方式

实施例1，如图1所示是本实施例开关电源副边电路原理图，如图1所示，本实施例中的开关电源，在两个副边绕组上利用同步整流MOS管Q1和同步整流MOS管Q2进行全波整流，同步整流MOS管Q1和同步整流MOS管Q2分别对变压器副边绕组T1B和变压器副边绕组T1B输出进行整流，同步整流电路包括同步整流MOS管Q1和同步整流MOS管Q2及其驱动电路，同步整流MOS管 Q1的漏极接变压器副边绕组T1B的同相端VD1，同步整流MOS管Q1的源极与同步整流MOS管Q2的源极相连，同步整流MOS管Q2的漏极接变压器副边绕组T1C的同相端VD2；变压器副边绕组T1B和变压器副边绕组T1C的异相相连；同步整流MOS管Q1的源极与同步整流MOS管Q2的源极的公共端与变压器副边绕组T1B和变压器副边绕组T1C的异相端相连形成的公共端形成同步整流电路输出，在同步整流电路输出端还并联设置有滤波电容E1和滤波电容C5。

同步整流MOS管Q1的驱动电路包括二极管D2、电阻R4和电阻R6；外接控制信号SDR1分别与二极管D2的N极和电阻R6的一端相连，二极管D2的P 极和电阻R6相连的公共端与同步整流MOS管Q1的栅极相连，在同步整流MOS 管Q1的栅极与漏极之间接有电阻R4；同步整流MOS管Q2的驱动电路包括二极管D6、电阻R9和电阻R10；外接控制信号SDR2分别与二极管D6的N极和电阻R9的一端相连，二极管D6的P极和电阻R9相连的公共端与同步整流MOS 管Q2的栅极相连，在同步整流MOS管Q2的栅极与漏极之间接有电阻R10。

在同步整流MOS管Q1和同步整流MOS管Q2的源漏极之间还设置有吸收电路；同步整流MOS管Q1的吸收电路包括二极管D4、电阻R7、电容C4；所述的二极管D4的P极接同步整流MOS管Q1的源极，二极管D4的N极分别与电容C4和电阻R7的一端相连，电容C4和电阻R7的另一端接同步整流MOS 管Q1的漏极；同步整流MOS管Q2的吸收电路包括二极管D5、电阻R8、电容 C6；所述的二极管D5的P极接同步整流MOS管Q2的源极，二极管D5的N极分别与电容C6和电阻R8的一端相连，电容C6和电阻R8的另一端接同步整流MOS管Q2的漏极。

本实施例中，在副边绕阻上通过采样电容C5进行采样，包括变压器副边绕组，设置在变压器副边绕组T1B和变压器副边绕组T1B两端的同步整流电路；其特征在于：在所述的变压器副边绕组T1B的同相端还设置有过压采样电路，所述的过压采样电路包括电容C1、二极管D1、二极管D3、电阻R2、电阻R3、电容C2、稳压管ZD1；电容一端与所述的变压器副边绕组T1B的同相端相连，另一端分别与二极管D1的N极和二极管D3的P极相连，二极管 D3的N极依次通过电阻R2、电阻R3、稳压管ZD1接地；二极管D1的P极接地；电容C2设置在电阻R2和电阻R3的公共端与地之间；所述的稳压管ZD1 的N极形成采样输出OVP。另外，在稳压管ZD1的两端还并联有电阻R5和电容C3。在电容C1与二极管D3的P极相连的公共端与二极管D1的N极之间还设置有电阻R1。

本实施例中，输出过压时变压器副边绕组电压增高，因为是方波信号，经电容C1和二极管D3整流，电阻R2、电阻R3、电容C2、电阻R5、电容 C3组成分压采样点OVP。稳压管ZD1为保护取样信号，使采样信号不会过高，电阻R1、二极管D1负向续流电路，当电源并机时，一台输出过压，因输出端并联，输出电压为直流，不经过变压器绕组，电容C1组成回路，去影响电源输出过压采样。