一种带保护的内馈式无线电能传输系统的制作方法

本实用新型涉及无线电能传输技术领域，尤其涉及一种带保护的内馈式无线电能传输系统。

背景技术：

近年来，各类电子电气设备得到了快速普及与发展，而用户对电能传输的安全性与可靠性提出了新的要求。传统插电式电能传输技术在充电时，存在火花及高压触电等安全隐患，使得系统安全性、可靠性以及使用寿命降低，并尚且难以达到一些特殊工业场合的安全要求。无线电能传输技术正是了为了弥补这些不足而被广泛探讨与研究的一种电能传输技术。

目前的无线充电技术采用的方式是无线电波技术、电磁感应技术和磁共振技术。无线电波技术是通过捕捉墙壁反弹回来的无线电波能量，但该充电方式效率比较低，应用到目前市场的无线充电设备还远远达不到预想的效果。而在无线充电设备上采用电磁感应技术基本可实现一对一的电能传输，但是该方式需要被充电设备精准对准发射线圈才能实现充电，而且其传输距离也相对较短，以上的种种弊端导致无线充电设备处于瓶颈期。与前两种充电方式不同是的是磁共振技术是指发射线圈与接收线圈间的频率一致即可传输电能，距离短的缺点可得到很好的改善，但其控制其谐振频率相对较难。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种带保护的内馈式无线电能传输系统，突破上述磁共振技术的局限性，采用距离更优、适应性更强的磁共振技术，克服高频下驱动电路设计复杂性，采用内馈式自驱动功率半桥谐振电路作为新型主拓扑，使其适用于中大功率的无线电能传输场合，采用包括LC保护电路的启动电路，使前级的启动过程平稳，并利于后级调谐，增加了用电设备的安全性，降低产品的成本，极大地拓宽无线电能传输技术的应用场合。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种带保护的内馈式无线电能传输系统，包括启动电路、驱动电路、发射端阻抗匹配电路和发射线圈，

还包括带有原边绕组NP1、第一副边绕组NS1和第二副边绕组NS2的脉冲变压器T1；

所述驱动电路为自驱动功率半桥谐振电路，其包括相位相互正交的第一电路和第二电路；

所述启动电路连接于所述原边绕组NP1，两个所述副边绕组分别连接于第一电路和第二电路；

所述启动电路还包括LC保护电路，所述LC保护电路并联于所述原边绕组NP1的两端。

可选的，所述第一副边绕组NS1和第二副边绕组NS2的两端电压幅值相等、相位相反。

可选的，所述发射端阻抗匹配电路为LCL谐振结构。

可选的，所述第一电路包括第一MOS管Q1，所述第一副边绕组NS1的两端分别连接于所述第一MOS管Q1的栅极和源极。

可选的，所述第一电路还包括用于与第一副边绕组NS1谐振的第二电容 C2、限幅稳压的第二二极管D2和第三二极管D3，所述第二电容C2并联于所述第一副边绕组NS1，所述第二二极管D2和第三二极管D3串联后并联于所述第一副边绕组NS1。

可选的，所述第二电路包括第二MOS管Q2，所述第二副边绕组NS2的两端分别连接于所述第二MOS管Q2的栅极和源极。

可选的，所述第二电路还包括用于与第二副边绕组NS2谐振的第三电容 C3、限幅稳压的第四二极管D4和第五二极管D5，所述第三电容C3并联于所述第二副边绕组NS2，所述第四二极管D4和第五二极管D5串联后并联于所述第二副边绕组NS2。

可选的，所述启动电路包括直流电压源VDC、第一电阻R1、第二电阻 R2、第一电容C1、第六二极管D6、双向触发管D1、第二电感L2和第十五电容C15；

所述直流电压源VDC的负极接地，所述直流电压源VDC的正极连接于第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端连接于第二电阻R2的第一端，第二电阻R2的第二端连接于第一电容C1的第一端，第一电容C1的第二端接地，双向触发管D1的第一端连接于第一电容C1的第一端；

双向触发管D1的第二端连接于第二电感L2的第一端和第十五电容C15的第一端，第十五电容C15的第二端连接于原边绕组NP1的第一端，原边绕组 NP1的第二端和第二电感L2的第二端均接地；

所述第一电路包括与第一副边绕组NS1谐振的第二电容C2、限幅稳压的第二二极管D2、第三二极管D3和第一MOS管Q1；

第一副边绕组NS1的第一端连接于第二电容C2的第一端、第二二极管D2的第一端和第一MOS管Q1的栅极，第一副边绕组NS1的第二端连接于第二电容C2的第二端、第三二极管D3的第二端和第一MOS管Q1的源极，第二二极管D2的第二端和第三二极管D3的第一端极性相反并相连接；

所述第二电路包括与第二副边绕组NS2谐振的第三电容C3、限幅稳压的第四二极管D4、第五二极管D5和第二MOS管Q2；

第二副边绕组NS2的第一端连接于第三电容C3的第一端、第四二极管D4的第一端和第二MOS管Q2的栅极，第二副边绕组NS2的第二端连接于第三电容C3的第二端、第五二极管D5的第二端和第二MOS管Q2的源极，第四二极管D4的第二端和第五二极管D5的第一端极性相反并相连接；

第六二极管D6的第一端连接于第一电阻R1的第二端，第六二极管D6的第二端连接于第一MOS管Q1的源极和第二MOS管Q2的漏极；

第一MOS管Q1的漏极连接于第一电阻R1的第一端；

第一副边绕组NS1和第二副边绕组NS2的两端电压幅值相等、相位相反；

发射端阻抗匹配电路包括第一电感L1、第五电容C5、第六电容C6和第九电容C9；

第一MOS管Q1的源极连接于第九电容C9的第一端，第九电容C9的第二端连接于第一电感L1的第一端，第一电感L1的第二端连接于第五电容C5的第一端和第六电容C6的第一端，第五电容C5的第二端连接于第二MOS管 Q2的源极，第五电容C5的第二端还接地；

发射线圈的两端分别连接于第六电容C6的第二端和第五电容C5的第二端。

可选的，带保护的内馈式无线电能传输系统还包括过压和过流保护电路；

所述过压保护电路包括第三电感L3、第六电阻R6、第十三稳压管D13、第七电阻R7、第十三电容C13、第十二电容C12、第十二稳压管D12、第十一二极管D11、第八电阻R8、第十一电容C11、第五MOS管Q5、第十二极管D10、第八二极管D8、第九电阻R9、第十电容C10、第四MOS管Q4、第七二极管 D7；

所述第三电感L3与第一电感L1耦合，第三电感L3的第一端接地，第三电感L3的第二端连接于第六电阻R6的第一端，第六电阻R6的第二端连接于第十三稳压管D13的第一端、第七电阻R7的第一端、第十三电容C13的第一端、第十二电容C12的第一端和第十二稳压管D12的第二端；

第十三稳压管D13的第二端、第七电阻R7的第二端、第十三电容C13的第二端和第十二电容C12的第二端相连接并接地；

第十二稳压管D12的第一端连接于第十一二极管D11的第二端，第十一二极管D11的第一端连接于第八电阻R8的第一端、第十一电容C11的第一端和第五MOS管Q5的栅极，第八电阻R8的第二端、第十一电容C11的第二端和第五MOS管Q5的源极相连接并接地；

第五MOS管Q5的漏极连接于第十二极管D10的第一端，第十二极管D10的第二端连接于第二MOS管Q2的栅极；

第十一二极管D11的第二端还连接于第八二极管D8的第二端，第八二极管D8的第一端连接于第九电阻R9的第一端、第十电容C10的第一端和第四 MOS管Q4的栅极，第九电阻R9的第二端、第十电容C10的第二端和第四MOS 管Q4的源极相连接并接地；

第四MOS管Q4的漏极连接于第七二极管D7的第二端，第七二极管D7的第一端连接于第一电阻R1的第二端。

所述过流保护电路包括第四电阻R4、第十四极管D14、第十四电容C14、第九稳压管D9、第五电阻R5、第三电阻R3和第三晶体管Q3；

第四电阻R4串联于第二MOS管Q2的源极和第五电容C5的第二端之间，第四电阻R4的第一端连接于第十四二极管D14的第一端，第十四二极管D14的第二端连接于第十四电容C14的第一端、第九稳压管D9的第一端和第五电阻R5的第二端，第十四电容C14的第二端和第九稳压管D9的第二端均接地；

第五电阻R5的第一端连接于第三电阻R3的第一端和第三晶体管Q3的基极，第三电阻R3的第二端连接连接于第三晶体管Q3的发射极和第二MOS管 Q2的源极，第三晶体管Q3的集电极连接于第二MOS管Q2的栅极。

可选的，还包括接收端阻抗匹配电路，所述接收端阻抗匹配电路包括接收线圈和第七电容C7，所述接收线圈的第一端连接于第七电容C7的第一端，第七电容C7的第二端连接于负载的第一端，负载的第二端连接于接收线圈的第二端，负载的第二端还接地。

本实用新型实施例具有以下有益效果：

本实用新型实施例中，相比现有技术而言，采用无外接反馈的内馈式的自驱动功率半桥谐振电路作为新型主拓扑，使其适用于中大功率的无线电能传输场合，采用包括LC保护电路的启动电路，使前级的启动过程平稳，并利于后级调谐，增加了用电设备的安全性，降低产品的成本，极大地拓宽无线电能传输技术的应用场合。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有技术提供的一种AB类无线电能传输电路结构图。

图2为本实用新型实施例提供的无保护的内馈式无线电能传输系统的电路图。

图3为MOSFET开关管内部等效结构图。

图4为本实用新型实施例提供的带保护的内馈式无线电能传输系统的原理框图。

图5本实用新型实施例提供的不带过压和过流保护电路的内馈式无线电能传输系统的赋能过程图。

图6为本实用新型实施例提供的带保护的内馈式无线电能传输系统的电路图。

图7为本实用新型实施例提供的带保护的内馈式无线电能传输系统的工作频宽图。

具体实施方式

为使得本实用新型的实用新型目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而非全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，图1为现有技术提供的一种AB类无线电能传输电路结构图。

其中，74HC240为8路三态反向缓冲器。

然而分析现有技术后，发现其存在以下三点缺点：

一、适应性不强，发射线圈要与接收线圈严格对准，才能达到最好的电能传输效果；

二、该磁谐振结构仅仅适用于小功率场合，而且发射端采用多级LC谐振结构，增加系统设计的复杂性与调试的难度；

三、MOS管工作的频宽非常窄，对谐振点很敏感，而且由于采用晶振与反相缓冲器相结合的驱动方式，其驱动电压不高，仅为5V左右，故MOS管工作在放大区，造成单位时间内通过MOS管的电流相对较大，所产生的功耗也随之增加，在较长的时间里，MOS管会明显发烫，甚至会存在烧毁MOS 管的情况。

因此，本实用新型在带保护的内馈式无线电能传输系统采用的是带保护的内馈式的自驱动功率半桥谐振电路，可使带保护的内馈式无线电能传输系统应用于中大功率场合。对于自驱动功率半桥谐振电路中的MOS管，其驱动控制有两种方式：一是外加晶体振荡器或IC的他激驱动控制方式，二是自激驱动控制方式。他激电路的设计过程比较复杂，增加了设计难度与成本。而在自驱动控制方式中，需要把电路中某个信号反馈到驱动电路中，经过一定的变换即可得到需要的驱动信号。现有的自驱动控制方式需要通过电流互感器、变压器采样谐振电路中的谐振电压和电流，构成谐振电压/电流反馈电路控制MOS管的导通与关断。这种自激驱动控制方式由于需要增加额外的谐振电压/电流反馈电路，也在一定程度上增加了体积和成本。

另外，请参阅图2所示，该启动电路相对简单，但该方法所用的激励磁环温度特性较差，当初始通电启动触发时，双向触发二极管D1瞬间导通所产生的强电流会对脉冲变压器T1的原边绕组NP1进行冲激，电感量会发生较大的变化，工作频率受其的影响大，使整体电路调试困难，常常导致电路失谐，进而影响其启动的过程。

针对上述缺点，本实用新型通过详细剖析MOS管内部结构、研究其内部寄生参数影响开关过程的工作机理，首次将一个带保护的内馈式的自驱动功率半桥谐振电路应用于无线电能传输系统领域，所提出的一种利用MOSFET 管内部的寄生参数产生自激振荡驱动控制方式的电路简单、稳定以及可靠。

请参阅图3所示，图3为MOSFET开关管内部等效结构图。

这种新型的驱动控制方式由于直接利用的是MOSFET内部参数，无需额外增加反馈电路，不仅简化电路，而且还降低设计成本。此外，MOSFET内部寄生参数值相对很小，易于构设高频化的谐振结构从而提高本征频率，使开关频率达到MHz以上。由于功率半桥上下管输入电路的相位是严格正交关系，因此，功率半桥上下管的相互导通就完成了一次“拉”和“灌”的过程，形成功率的输出，从而为阻抗匹配的输入端提供一个高频方波，方波的频率取决于内馈式自激振荡驱动参数的设计。

另外，本实用新型技术方案的保护电路有两个方面：

其一是采用包括LC保护电路的启动电路，使前级的启动过程平稳，并利于后级调谐。

其二是采用过压和过流保护电路，提高整体电路工作的安全性与稳定性。

本实用新型提供的带保护的内馈式无线电能传输系统的阻抗匹配分为两部分：发射端阻抗匹配电路与接收端阻抗匹配电路。在整个系统中，阻抗匹配电路在电能传输过程中起到承上启下的作用，对于发射端阻抗匹配电路，其主要的作用是将电源所输入的电能通过LC串并联谐振转化为目标的高频电压与电流信号，加载到发射线圈中进而高效地发射出去。通过合理的设计发射端两级阻抗匹配谐振频点，可将系统的工作频率稍微错开，以拓宽无线能量系统的工作频宽，提高其可靠性与适应性。

另一方面，对于接收端阻抗匹配电路，通过合理设计接收线圈的电感值与尺寸，并合理选择与其匹配的电容参数，可使接收端在目标的谐振范围内获得更为理想的高频电压与电流信号，进而为负载提供充足的功率输出。

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

请参阅图4所示，图4为本实用新型实施例提供的带保护的内馈式无线电能传输系统的原理框图。

该带保护的内馈式无线电能传输系统包括市电10、有源功率因数校正电路20、带保护的启动电路30、自驱动功率半桥谐振电路40、发射端阻抗匹配电路50、发射线圈60、接收线圈70、接收端阻抗匹配电路80、负载90和过压和过流保护电路100。

具体的，请参阅图5和图6所示。

为了更好的描述电路结构，将元件的左端或者上端定义为第一端，元件的右端或者下端定义为第二端。

该带保护的内馈式无线电能传输系统包括带有原边绕组NP1、第一副边绕组NS1和第二副边绕组NS2的脉冲变压器T1，自驱动功率半桥谐振电路40包括相位正交的第一电路和第二电路。

带保护的启动电路30接入原边绕组NP1，两个副边绕组分别连接于第一电路和第二电路。

进一步的，第一副边绕组NS1和第二副边绕组NS2的两端电压幅值相等、相位相反。

带保护的启动电路30还包括LC保护电路，LC保护电路并联于原边绕组 NP1的两端，具体的，LC保护电路由第二电感L2和第十五电容C15构成。

进一步的，发射端阻抗匹配电路50为LCL谐振结构。

进一步的，带保护的启动电路30包括直流电压源VDC、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第六二极管D6、双向触发管D1、第二电感L2和第十五电容C15。

直流电压源VDC的负极接地，直流电压源VDC的正极连接于第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端连接于第二电阻R2的第一端，第二电阻R2的第二端连接于第一电容C1的第一端，第一电容C1的第二端接地，双向触发管D1的第一端连接于第一电容C1的第一端。

双向触发管D1的第二端连接于第二电感L2的第一端和第十五电容C15的第一端，第十五电容C15的第二端连接于原边绕组NP1的第一端，原边绕组 NP1的第二端和第二电感L2的第二端均接地。

第一电路包括与第一副边绕组NS1谐振的第二电容C2、限幅稳压的第二二极管D2、第三二极管D3和第一MOS管Q1。

第一副边绕组NS1的第一端连接于第二电容C2的第一端、第二二极管D2的第一端和第一MOS管Q1的栅极，第一副边绕组NS1的第二端连接于第二电容C2的第二端、第三二极管D3的第二端和第一MOS管Q1的源极，第二二极管D2的第二端和第三二极管D3的第一端极性相反并相连接。

第二电路包括与第二副边绕组NS2谐振的第三电容C3、限幅稳压的第四二极管D4、第五二极管D5和第二MOS管Q2。

第二副边绕组NS2的第一端连接于第三电容C3的第一端、第四二极管D4的第一端和第二MOS管Q2的栅极，第二副边绕组NS2的第二端连接于第三电容C3的第二端、第五二极管D5的第二端和第二MOS管Q2的源极，第四二极管D4的第二端和第五二极管D5的第一端极性相反并相连接。

第六二极管D6的第一端连接于第一电阻R1的第二端，第六二极管D6的第二端连接于第一MOS管Q1的源极和第二MOS管Q2的漏极。

第一MOS管Q1的漏极连接于第一电阻R1的第一端。

第一副边绕组NS1和第二副边绕组NS2的两端电压幅值相等、相位相反；

发射端阻抗匹配电路包括第一电感L1、第五电容C5、第六电容C6和第九电容C9。

第一MOS管Q1的源极连接于第九电容C9的第一端，第九电容C9的第二端连接于第一电感L1的第一端，第一电感L1的第二端连接于第五电容C5的第一端和第六电容C6的第一端，第五电容C5的第二端连接于第二MOS管 Q2的源极，第五电容C5的第二端还接地。

发射线圈的两端分别连接于第六电容C6的第二端和第五电容C5的第二端。

该内馈式无线电能传输系统还包括过压和过流保护电路100。

具体的，过压保护电路包括第三电感L3、第六电阻R6、第十三稳压管D13、第七电阻R7、第十三电容C13、第十二电容C12、第十二稳压管D12、第十一二极管D11、第八电阻R8、第十一电容C11、第五MOS管Q5、第十二极管D10、第八二极管D8、第九电阻R9、第十电容C10、第四MOS管Q4、第七二极管 D7。

第三电感L3与第一电感L1耦合，第三电感L3的第一端接地，第三电感 L3的第二端连接于第六电阻R6的第一端，第六电阻R6的第二端连接于第十三稳压管D13的第一端、第七电阻R7的第一端、第十三电容C13的第一端、第十二电容C12的第一端和第十二稳压管D12的第二端。

第十三稳压管D13的第二端、第七电阻R7的第二端、第十三电容C13的第二端和第十二电容C12的第二端相连接并接地。

第十二稳压管D12的第一端连接于第十一二极管D11的第二端，第十一二极管D11的第一端连接于第八电阻R8的第一端、第十一电容C11的第一端和第五MOS管Q5的栅极，第八电阻R8的第二端、第十一电容C11的第二端和第五MOS管Q5的源极相连接并接地。

第五MOS管Q5的漏极连接于第十二极管D10的第一端，第十二极管D10的第二端连接于第二MOS管Q2的栅极。

第十一二极管D11的第二端还连接于第八二极管D8的第二端，第八二极管D8的第一端连接于第九电阻R9的第一端、第十电容C10的第一端和第四 MOS管Q4的栅极，第九电阻R9的第二端、第十电容C10的第二端和第四MOS 管Q4的源极相连接并接地。

第四MOS管Q4的漏极连接于第七二极管D7的第二端，第七二极管D7的第一端连接于第一电阻R1的第二端。

进一步的，过流保护电路包括第四电阻R4、第十四极管D14、第十四电容 C14、第九稳压管D9、第五电阻R5、第三电阻R3和第三晶体管Q3。

第四电阻R4串联于第二MOS管Q2的源极和第五电容C5的第二端之间，第四电阻R4的第一端连接于第十四二极管D14的第一端，第十四二极管D14的第二端连接于第十四电容C14的第一端、第九稳压管D9的第一端和第五电阻R5的第二端，第十四电容C14的第二端和第九稳压管D9的第二端均接地。

第五电阻R5的第一端连接于第三电阻R3的第一端和第三晶体管Q3的基极，第三电阻R3的第二端连接连接于第三晶体管Q3的发射极和第二MOS管 Q2的源极，第三晶体管Q3的集电极连接于第二MOS管Q2的栅极。

该带保护的内馈式无线电能传输系统还包括接收端阻抗匹配电路80，接收端阻抗匹配电路80包括接收线圈和第七电容C7，接收线圈的第一端连接于第七电容C7的第一端，第七电容C7的第二端连接于负载的第一端，负载的第二端连接于接收线圈的第二端，负载的第二端还接地。

进一步的，以下具体分析本实用新型实施例提供的带保护的内馈式无线电能传输系统的工作原理。

带保护的启动电路30的工作原理为：

直流电压源VDC通过第一电阻R1和第二电阻R2对第一电容C1进行充电，第一电容C1两端的电压开始上升，当第一电容C1两端的电压VC1高于双向触发管D1的正向转折电压VBO时，会产生原始单次脉冲信号激发脉冲变压器T1原边。由于第二电感L2与第十五电容C15的存在，该强电流冲激信号并不会立刻对脉冲变压器T1的原边绕组NP1产生不利的冲激，而是将该强电流冲激信号转移到第二电感L2上，避免了由于强电流冲激而造成脉冲变压器T1的原边绕组NP1产生直流偏磁和磁饱和的情况，实现了在启动过程中很好的保护目的。

当稳定的启动信号在脉冲变压器T1的原边绕组NP1快速产生一个上正下负的感应电动势，于是在脉冲变压器T1的副边绕组NS1和NS2也会感应出两个幅度大小相同、相位完全相反的正弦波电压，并通过第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4及第五二极管D5实现限压保护，使与原边绕组 NP1同相位的第一MOS管Q1导通，而与原边绕组NP1完全相反相位的第二MOS管Q2截止。

自驱动功率半桥谐振电路40的工作原理为：

当与原边绕组NP1同相位的第一MOS管Q1受到原始脉冲触发信号的激发导通后，第一MOS管Q1的漏极与源极之间的电压增量dv/dt迅速下降，与此同时，电流增量di/dt却迅速递增，迅变电流与电容电压梯度的关系为： i＝C*(dv/dt)，di/dt为MOS管漏、源极之间的雪崩电流对时间的增量。

图5中，箭头A表示电流方向。

第一MOS管Q1受到单次原始脉冲冲激而导通时，此时第二MOS管Q2是截止状态的，故第一MOS管Q1产生的递增电流流过第一MOS管Q1，并且部分递增电流会通过第二MOS管Q2内部的寄生米勒电容Crss2对栅极角电容Cgs2进行充电，由于它与原始的单次脉冲有着确定的相位，确保第一MOS 管Q1继续导通，因此，通过第一MOS管Q1漏源极电流会持续给栅源极角电容Cgs2进行赋能，从而维持激磁线圈次级回路与栅源极角电容Cgs2本征频率的振荡，并使第一MOS管Q1的漏源极进一步导通。由于两个副边绕组上在自激振荡过程中，实际上是作为一个整体，只需要对任何一个MOS管赋能，也就是对整体自激振荡实现了赋能，故第一MOS管Q1导通，实际是对第二 MOS管Q2实现赋能，同理可知，第二MOS管的Q2导通，实际是对第一MOS 管Q1实现赋能，从而维持该自激电路的振荡。

第一MOS管Q1导通后所得的迅变电流流过电感L1和电容C5到地，完成一次“拉”动作。由于驱动波形为正弦，故半个周期之后，第一MOS管Q1的相位变为负，第一MOS管Q1进入截止状态，而第二MOS管Q2的相位变为正，即第二MOS管Q2在下半周期开始导通，同样也会产生一个迅变电流，该迅变电流流过第一电感L1和第五电容C5，通过导通的第二MOS管Q2对地回路迅速放电，完成一次“灌”动作。

因此，当第一MOS管Q1导通时，第二MOS管Q2是截止的；当第二MOS 管Q2导通时，第一MOS管Q1是截止的。重复上述周期，二者的相互交替导通，可实现从功率半桥自激振荡电路的中点输出方波电压信号，其幅值为VDC -I*RON，其中VDC为电源电压，I为迅变电流，RON为MOS管的导通电阻，经过第一电感L1和第五电容C5实现一级选频回路，形成所需的正弦波电压信号。对于无线电能传输线圈而言，其实际可等效为一个电感，故从电容C5得到的正弦波电压信号会继续经过电容C6和发射线圈，实现选频回路，进而将电能量转变为交变的磁场能发射出去。通过两级的选频网络，扩大该电路的工作频宽，使其能适应在较宽的工作频率下正常运行。

由于第一MOS管Q1与第二MOS管Q2在自激振荡的赋能过程是作为一个整体进行相互作用的。第一MOS管Q1导通是对第二MOS管Q2的赋能，而第二MOS管Q2的导通是对第一MOS管Q1的赋能，而在电路上，两个副边绕组的电感参数为L＝LNS1＝LNS2，微调电容C＝C2＝C3，同型号的MOS管内部的寄生参数是相等的，且Ciss＝Crss+Cgs，故该自激振荡的工作频率可近似计算为：

发射端阻抗匹配电路50和接收端阻抗匹配电路80的工作原理为：

本实施例的阻抗匹配电路有两部分，其中一部分是发射端阻抗匹配电路 50，另一部分是接收端阻抗匹配电路80。由于都是采用LC串联或并联谐振结构，故其谐振频率的基本计算公式为：

在实际的电路中，发射线圈60与接收线圈70实际上是以一个电感的形式存在。因此，对于发射端阻抗匹配电路，其谐振电路的结构为LCL结构，由串联谐振与并联谐振构成，前级的阻抗匹配滤波电路由第一电感L1和第五电容C5串联谐振构成，其谐振频率f1计算可表示为：

而后级的阻抗匹配滤波电路包括两部分的谐振频率，其一为发射线圈60 电感LT-coil、第六电容C6串联联谐振组成，其谐振频率f2计算可表示为：

其二为发射线圈60电感LT-coil、第五电容C5和第六电容C6并联谐振组成，其谐振频率f3计算可表示为：

因此，上述三个谐振频点之间的关系为：

f1<f2<f3

请参阅图7所示，故可通过合理选择发射端阻抗匹配电路的参数：第一电感电感L1、发射线圈电感LT-coil、第五电容C5与第六电容C6，可将谐振频率f1与谐振频率f3稍微错开，使前面已确定的功率半桥自激振荡的本征频率 fo落在[f1，f3]范围内，从而可获得较宽的工作频宽，提高电路的可靠性与适应性。

另外，发射端阻抗匹配电路50应根据无线发射的特性进行合理设计，先构设低Q值的电压谐振，使电路稳定工作，工作的频率带宽展宽，Q为品质因数。后续再用高Q值电压谐振与高频电流谐振，从而使发射的射程更远，同时可以形成较宽带宽的电流谐振，使电路工作稳定并有效地进行无线电能的传输。品质因数Q的计算表达式如下：

对于接收端阻抗匹配电路80，采用的谐振结构是LC，故其谐振频率f4计算公式为：

本实用新型电路的另两个重要的保护电路是过压和过流保护电路100。

①过压保护电路工作原理为：

该过电压保护电路由两部分构成。当后级阻抗匹配电路在过压情况下工作异常时，第二电感L2会将该异常的过电压信号反馈到过压保护电路的输入端，即通过第六电阻R6和第七R7实现分压，取部分的正弦感应电压作为输入信号。

而该输入正弦电压信号会分别进入两个保护电路。

一部分是通过第十一二极管D11实现半波整流，通过第十一电容C11获得第五MOS管Q5所需的直流电压驱动信号，使第五MOS管Q5导通，从而将第二MOS管Q2的驱动信号拉为低电平，达到过电压保护的目的。

另一部分是通过第八二极管D8实现半波整流，通过第十电容C10获得第四MOS管Q4所需的直流电压驱动信号，使第四MOS管Q4导通，导致启动电路中的第一电容C1会通过第二电阻R2和第七二极管D7对地进行放电，从而有效地关闭启动电路，达到过压保护的目的。而第十二稳压管D12和第十三稳压管D13的作用是防止当取样的过压异常信号过高时，对后级的两个保护电路实现保护作用。

因此，该过压保护电路具有双重保护的作用，提高了整体电路工作的可靠性与安全性。

②过流保护电路工作原理为：

当后级阻抗匹配电路过电流时，该电流会通过第四电阻R4和第十四二极管D14对第十四电容C14进行充电，当第十四电容C14端的电压VC14达到一定设定值时，通过第三电阻R3和第五电阻R5进行分压，为第三晶体管Q3提供合理的直流偏置电路，使第三晶体管Q3导通，进而将第二MOS管Q2的驱动信号拉低，达到最终的过流保护的目的。而第九稳压管D9起到的作用是在合理的电压范围内，对第三晶体管Q3实现过压保护。

本实施例提供的带保护的内馈式无线电能传输系统，采用无外接反馈的内馈式的自驱动功率半桥谐振电路40作为新型主拓扑，以此可简化驱动电路的设计成本以及提高在高频化设计过程中的可靠性。另外，该带保护的内馈式无线电能传输系统的传输效率和功率与发射端阻抗匹配电路50、接收端阻抗匹配电路80的参数选择密切相关。

因此，本实用新型实施例提供的带保护的内馈式无线电能传输系统，其电路中只采用二阶变换，所以电转换效率高，MOS管的温升低，适用于中大功率应用场合。

无外接反馈的内馈式的自驱动功率半桥振荡电路40可简化驱动电路设计成本，正弦波的驱动波形可减缓驱动信号对后级功率半桥振荡电路的冲击，可实现开关管的软启动以及零电压开关，从而提高带保护的内馈式无线电能传输系统的整体工作效率，并在高频化设计中增强系统的工作可靠性。

发射端阻抗匹配电路50采用LCL谐振结构可拓宽该系统的工作频宽，使其具有较宽的工作频宽，进而提高系统的工作适应性。构设的阻抗匹配从低Q 值到高Q值的过渡，使电路工作稳定并有效地进行无线电能的传输；

带保护的内馈式无线电能传输系统的启动电路中包括LC保护电路，避免了由于强电流冲激而造成脉冲变压器T1的原边绕组NP1产生直流偏磁和磁饱和的情况，实现了在启动过程中很好的保护目的。

带保护的内馈式无线电能传输系统的输出端采用过流保护电路和具有双重保护功能的过压保护电路，提高了整体电路工作的可靠性与安全性。

相比现有技术而言，采用带保护的内馈式的自驱动功率半桥谐振电路40 作为新型主拓扑，使其适用于中大功率的无线电能传输场合，增加了用电设备的安全性，降低产品的成本，极大地拓宽无线电能传输技术的应用场合；采用带保护的启动电路30，可有效地避免直流偏磁与磁饱和所引起脉冲变压器T1的原边绕组NP1电感量异常变化，使工作频率稳定，并易于实现启动；输出端采用过电流电路和具有双重保护功能的过电压保护电路，即三重保护功能，提高整体电路工作的可靠性与安全性。

以上所述，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。