本发明属于集成电路领域,涉及一种过温保护电路。
背景技术:
目前,在集成电路中,芯片在工作时会不可避免地产生功率耗散,使得芯片的温度升高。当芯片温度过高时,会对芯片的稳定性、可靠性造成损伤,因此过温保护电路具有重要的意义。
技术实现要素:
本发明的目的在于提供一种过温保护电路,能够通过开关切换设置多个过温点,扩大电路的应用范围,并实现当芯片温度高于设置时,通过迟滞比较器输出过温保护信号,控制芯片进入温度保护状态。
为了解决上述问题,本发明提供一种过温保护电路,其包括比较器、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3,比较器包括正输入端+,负输入端-,输出端Y。
第一NMOS管的源极与第一二极管的正极相连接,第一二极管的负极与地相连接,所述第一NMOS管的栅极和漏极短接,并与第二NMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极相连接,第二NMOS管的源极与第五电阻的一端相连接,第五电阻的另一端与第二二极管的正极相连接,第二二极管的负极与地相连接,第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的栅极、源极相连接,第二NMOS管的漏极还与第一PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的栅极相连接,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的源极均与电源电压相连接,第三PMOS管的漏极与第一电阻的一端相连接,第一电阻的另一端与第三二极管的正极相连接,第三二极管的负极与地相连接,第三PMOS管的漏极还与比较器的负输入端相连接,第四PMOS管的漏极与第二电阻的一端、第一开关的一端相连接,第五 PMOS管的漏极与第三电阻的一端、第二开关的一端相连接,第六PMOS管的漏极与第四电阻的一端、第三开关的一端相连接,第一开关、第二开关、第三开关的另一端均与比较器的正输入端相连接,为了避免热振荡,比较器采用迟滞比较器。
本发明的有益效果是,本发明中的过温保护电路中能够根据不同应用的芯片,通过开关切换设置多个过温点,实现当芯片温度高于设置时,通过迟滞比较器输出过温保护信号,控制芯片进入温度保护状态。
附图说明
图1是本发明的电路原理图;
图2是过温保护信号示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。以下实施例只是描述性的,不是限定性的,不能以此限定本发明的保护范围。
如图1所示,通过设置第一NMOS管和第二NMOS管的尺寸相同,第一PMOS 管的尺寸和第二PMOS管的尺寸相同,可知,流过第一PMOS管的电流和流过第二PMOS管的电流相等,且流过第一NMOS管的电流与流过第二NMOS管的电流相等,根据饱和区电流公式:
式中μCox为工艺相关参数,W、L分别表示MOS管的宽、长,VGS为MOS管的栅源电压,VTH为MOS管的阈值电压,由式(1)可知,第一NMOS管的源极电压与第二NMOS管的源极电压相等,第五电阻两端的电压可以表示为:
VD1-VD2=VTln(n) (2)
式中VD1、VD2分别为第一二极管、第二二极管两端的电压,VT为正温度系数参数,n为第二二极管和第一二极管面积的比值。
第五电阻上产生的电流为:
由于第五电阻两端的电压为正温度系数电压,因此第五电阻上产生的电流为正温度系数电流,此正温度系数电流通过第二PMOS管,分别复制到第三 PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管上,正温度系数电压流过第三电阻产生一个正温度系数电压,而由于二极管两端的电压为负温度系数电压,通过设置合适的电阻,可以在第三PMOS管的漏极产生一个零温度系数电压,其值为:
式中V3为第三PMOS管的漏极电压,VD3为第三二极管两端电压。
而第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的漏极电压则为正温度系数电压,其电压大小分别为:
式中V4、V5、V6分别为第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的漏极电压。
通过设置第一开关、第二开关、第三开关,选择V4、V5、V6中的一个电压与V3做比较,当V4、V5、V6中的一个电压大于V3时,比较器输出过温保护信号。
如图2所示,选择第一开关闭合,第二开关和第三开关断开,比较器比较V3和V4,当V4>V3时,迟滞比较器在温度T1时,输出高电平过温保护信号;选择第二开关闭合,第一开关和第三开关断开,比较器比较V3和V5,当V5>V3时,比较器在温度T2时,输出高电平过温保护信号;选择第三开关闭合,第一开关和第二开关断开,迟滞比较器比较V3和V6,当V6>V3时,比较器在温度T3时,输出高电平过温保护信号。过温信号给出以后,芯片进入过温保护状态,温度会下降,温度下降后,芯片会重新进入工作状态,为了避免芯片在过温点附近发生而热振荡,因此采用迟滞比较器,避免电路发生热振荡。
以上结合附图对本发明进行了详细说明,但本发明不仅仅局限于上述具体实施方式,本领域的普通技术人员根据所具备的知识,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。