1.一种升压架构保护电路，其特征在于包括交流电压源、交直流转换装置、升压控制装置、恒流控制装置、储能装置、第一开关管、第二开关管、负载输出端、比较电阻；所述交直流转换装置包括交流输入端、直流输出端；所述交流电压源连接所述交流输入端；所述第一开关管包括第一端口、第二端口、第三端口；所述第二开关管包括第四端口、第五端口、第六端口；
所述储能装置的一端连接所述直流输出端的正极、所述升压控制装置的电压输入端及所述第一端口，另一端连接所述第二端口及所述负载输出端；所述第三端口连接所述升压控制装置的输出控制端及接地；
所述恒流控制装置包括恒流控制输出端及比较监控端；所述第四端口连接所述恒流控制输出端及所述第五端口连接所述升压控制装置的保护端口，所述第五端口与保护端口之间还设置有一分压电阻，所述保护端口接地；所述第五端口连接所述负载输出端；所述第六端口连接所述比较监控端及所述直流输出端的负极；所述比较电阻的一端连接所述第六端口及比较监控端，所述比较电阻的另一端连接所述直流输出端的负极。
2.根据权利要求1所述的升压架构保护电路，其特征在于，所述储能装置具体为一电感，所述电感与所述负载输出端之间还设置有一二极管；当所述负载输出端出现短路；所述直流输出端的正极与所述电感、二极管、第二开关管及直流输出端的负极构成一个完整回路；所述直流输出端的正负极压差减去所述二极管的电压后即为所述电感两端电压U；流经所述电感的电流I＝U/Ldt；所述电感的两端电压使通过所述电感的电流I随时间t递增。
3.根据权利要求2所述的升压架构保护电路，其特征在于，所述第一开关管具体为第一NMOS管，所述第一端口即为所述第一NMOS管的栅极，所述第二端口即为所述第一NMOS管的漏极，所述第三端口即为所述第一NMOS管的源极。
4.根据权利要求2所述的升压架构保护电路，其特征在于，所述第二开关管具体为第二NMOS管，所述第四端口即为所述第二NMOS管的栅极，所述第五端口即为所述第二NMOS管的源极，所述第六端口即为所述第二NMOS管的漏极；所述分压电阻具体包括第一分压电阻、第二分压电阻，所述第一分压电阻与所述第二分压电阻串联并连接于所述第二NMOS管的源极与所述保护端口之间。
5.根据权利要求2所述的升压架构保护电路，其特征在于，所述升压控制装置的输出控制端具体为转换端口，所述保护端口具体为过压保护端口(ovp)。