一种过流保护电路的制作方法

文档序号:18129646发布日期:2019-07-10 10:09阅读:157来源:国知局
一种过流保护电路的制作方法

本实用新型涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种过流保护电路。



背景技术:

现如今,过流保护电路已成为产品中不可或缺的电路,并且过流保护电路的方式也是多种多样,但是成本都比较高。例如现有技术中常常采用霍尔传感器等元器件组成过流保护电路,不仅电路复杂而且成本高。



技术实现要素:

本实用新型实施例提供一种过流保护电路,旨在解决现有技术中过流保护电路结构复杂,成本高等问题。

本实用新型实施例提供了一种过流保护电路,该电路包括:

采样电路,所述采样电路用于与采样电阻连接,以采集所述采样电阻的电压值,并根据所述采样电阻的电压值生成控制电压;

控制电路,所述控制电路与所述采样电路连接,用于根据所述控制电压生成控制信号;

信号输出电路,所述信号输出电路与所述控制电路连接,用于根据所述控制信号输出警报信号。

进一步地,所述采样电路包括:

第一电压源;

第一电阻,所述第一电阻的第一端与所述第一电压源连接;

第二电阻,所述第二电阻的第一端与所述第一电压源以及所述第一电阻的第一端连接;

第一三极管对管,所述第一三极管对管包括第一三极管以及第二三极管,所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接,所述第一三极管的基极、集电极与所述第一电阻的第二端连接,所述第一三极管的发射极用于与所述采样电阻的第一端连接;所述第二三极管的集电极与所述第二电阻的第二端连接;

第三电阻,所述第三电阻的第一端与所述第二三极管的发射极连接,所述第三电阻的第二端用于与所述采样电阻的第二端连接。

进一步地,所述采样电路还包括:

第七电阻,所述第七电阻的第一端与所述第一电压源连接;

第二三极管对管,所述第二三极管对管包括第四三极管以及第五三极管,所述第四三极管的基极与所述第五三极管的基极连接,所述第四三极管的基极、集电极与所述第七电阻的第二端连接,所述第四三极管的发射极用于与所述采样电阻的第二端连接,所述第五三极管的集电极与所述第二电阻的第二端连接;

第八电阻,所述第八电阻的第一端与所述第五三极管的发射极连接,所述第八电阻的第二端用于与所述采样电阻的第一端连接。

进一步地,所述采样电路还包括采样管脚,所述采样管脚包括第一采样管脚以及第二采样管脚;所述第一三极管的发射极通过所述第一采样管脚与所述采样电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端通过所述第二采样管脚与所述采样电阻的第二端连接。

进一步地,所述采样电路还包括采样管脚,所述采样管脚包括第一采样管脚以及第二采样管脚;所述第一三极管的发射极通过所述第一采样管脚与所述采样电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端通过所述第二采样管脚与所述采样电阻的第二端连接;所述第八电阻的第二端通过所述第一采样管脚与所述采样电阻的第一端连接,所述第四三极管的发射极通过所述第二采样管脚与所述采样电阻的第二端连接。

进一步地,所述控制电路包括:

稳压二极管,所述稳压二极管的负极与所述第二电阻的第一端连接;

第三三极管,所述第三三极管的基极与所述第二电阻的第二端连接,所述第三三极管的发射极与所述稳压二极管的正极连接;所述第三三极管的集电极与所述信号输出电路连接。

进一步地,所述控制电路还包括第四电阻,所述第三三极管的集电极通过所述第四电阻与所述信号输出电路连接。

进一步地,所述信号输出电路包括隔离元件,所述隔离元件的输入侧与所述控制电路连接,以接收所述控制电路所生成的控制信号;所述隔离元件的输出侧与信号输出管脚连接。

进一步地,所述隔离元件的输出侧包括第一端以及第二端,所述信号输出电路还包括:

第二电压源,与所述隔离元件的输出侧中的第一端连接;

第五电阻,所述第五电阻的第一端与所述隔离元件的输出侧中的第二端连接,所述第五电阻的第二端接地;

第六电阻,所述第六电阻的第一端与所述隔离元件的输出侧中的第二端连接,所述第六电阻的第二端与所述信号输出管脚连接;

第一电容,所述第一电容的第一端与所述第六电阻的第二端连接,所述第一电容的第二端接地。

进一步地,所述隔离元件为光耦器、电磁隔离芯片或者电容隔离芯片。

本实用新型实施例通过采样电路采集采样电阻的电压值,并根据所述采样电阻的电压值生成控制电压;控制电路根据所述控制电压生成控制信号;进而通过信号输出电路根据所述控制信号输出警报信号。实施本实用新型实施例,可降低过流保护电路复杂度以及降低电路成本,有利于市场推广。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例中一种过流保护电路的原理框图;

图2为本实用新型一实施例中一种过流保护电路的电路图;

图3为本实用新型一实施例中另一种过流保护电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

应当理解,当在本说明书和所附权利要求书中使用时,术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解,在此本实用新型说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本实用新型。如在本实用新型说明书和所附权利要求书中所使用的那样,除非上下文清楚地指明其它情况,否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

还应当进一步理解,在本实用新型说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合,并且包括这些组合。

请参照图1,其为本实用新型一实施例中一种过流保护电路的原理框图。该过流保护电路100包括采样电路110、控制电路120以及信号输出电路130。

所述采样电路110用于与采样电阻RS连接,该采样电阻RS可设置于各类电路中,本实用新型实施例并不对采样电阻RS所在的电路作出限制。例如采样电阻RS设于逆变回路中,通过采样电路110可采集所述逆变回路200中采样电阻RS的电压值,并根据所述采样电阻RS的电压值生成控制电压。其中,逆变回路200可包括多个IGBT(InSuLated Gate BipoLar TranSiStor,绝缘栅双极型晶体管),本实用新型实施例并不限制逆变回路200的结构以及组成部分。

请参照图2,其为本实用新型一实施例中一种过流保护电路的电路图。

该采样电路110包括第一电压源VCC1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管对管M1以及第三电阻R3。

所述第一电阻R1的第一端与所述第一电压源VCC1连接;

所述第二电阻R2的第一端与所述第一电压源VCC1以及所述第一电阻R1的第一端连接;

所述第一三极管对管M1包括第一三极管Q1以及第二三极管Q2,所述第一三极管Q1的基极与所述第二三极管Q2的基极连接,所述第一三极管Q1的基极、集电极与所述第一电阻R1的第二端连接,所述第一三极管Q1的发射极用于与所述采样电阻RS的第一端连接;所述第二三极管Q2的集电极与所述第二电阻R2的第二端连接;

所述第三电阻R3的第一端与所述第二三极管Q2的发射极连接,所述第三电阻R3的第二端用于与所述采样电阻RS的第二端连接。

进一步地,所述采样电路110还包括采样管脚,所述采样管脚包括第一采样管脚DN1以及第二采样管脚DN2。所述第一三极管Q1的发射极通过所述第一采样管脚DN1与所述采样电阻RS的第一端连接,所述第三电阻R3的第二端通过所述第二采样管脚DN2与所述采样电阻RS的第二端连接。采样电路110通过所述采样管脚与所述采样电阻RS连接,可实现电路模块化,有利于后期维护以及快速拆卸。

其中,采样电阻RS的第一端的电位高于采样电阻RS的第二端的电位,即第一采样管脚DN1的电位高于第二采样管脚DN2的电位。

所述控制电路120与所述采样电路110连接,用于根据所述控制电压生成控制信号。

请继续参照图2,所述控制电路120包括以及稳压二极管Z1以及第三三极管Q3。

所述稳压二极管Z1的负极与所述第二电阻R2的第一端连接。

所述第三三极管Q3的基极与所述第二电阻R2的第二端连接,所述第三三极管Q3的发射极与所述稳压二极管Z1的正极连接。所述第三三极管的集电极与所述信号输出电路130连接。

进一步地,所述控制电路120还包括第四电阻R4,所述第三三极管Q3的集电极通过所述第四电阻R4与所述信号输出电路130连接。

所述信号输出电路130与所述控制电路120连接,用于根据所述控制信号输出警报信号。

请继续参照图2,所述信号输出电路130包括隔离元件CP1,所述隔离元件CP1的输入侧与所述控制电路120连接,以接收所述控制电路120所生成的控制信号。所述隔离元件CP1的输出侧与信号输出管脚IWP连接。

进一步地,所述隔离元件CP1的输出侧包括第一端以及第二端,所述信号输出电路130还包括第二电压源VCC2、第五电阻R5,第六电阻R6以及第一电容C1。

所述第二电压源VCC2与所述隔离元件CP1的输出侧中的第一端连接。

所述第五电阻R5的第一端与所述隔离元件CP1的输出侧连接,所述第五电阻R5的第二端接地。

所述第六电阻R6的第一端与所述隔离元件CP1的输出侧连接,所述第六电阻R6的第二端与所述信号输出管脚IWP连接。

所述第一电容C1的第一端与所述第六电阻R6的第二端连接,所述第一电容C1的第二端接地。

其中,第五电阻R5在所述信号输出电路130中起限流作用,以限制隔离元件CP1的电流大小。第一电容C1、第六电阻R6在所述信号输出电路130中起滤波作用。

进一步地,所述隔离元件CP1为光耦器、电磁隔离芯片或者电容隔离芯片。

具体实施中,如图2所示的过流保护电路通过采样电路可实现对采样电阻的正向电压的采集,并根据所采集到的采样电阻的正向电压生成控制电压。故采样电阻RS的第一端的电位高于采样电阻RS的第二端的电位,即第一采样管脚DN1的电位高于第二采样管脚DN2的电位。其中,控制电压为第二电阻R2的第二端处(即第二电阻R2与第三三极管Q3的基极连接点)的电压。所述控制电路120根据所述控制电压生成控制信号具体为:

若控制电压小于控制电压阈值,所述控制电路120中的稳压二极管Z1被击穿,所述第三三极管Q3导通,即所述控制电路120向所述信号输出电路130输出的控制信号为高电平控制信号,进而使隔离元件导通,使得所述信号输出电路130输出警报信号(高电平信号)。

若控制电压大于或者等于控制电压阈值,所述控制电路120中的稳压二极管Z1无法被击穿,所述第三三极管Q3截止,即所述控制电路120向所述信号输出电路130输出的控制信号为低电平控制信号,进而使隔离元件截止,使得所述信号输出电路130输出正常信号(低电平信号)。

其中,控制电压阈值的大小由采样电路110以及采样电阻的具体参数确定。例如,若UDN1-UDN2=UL,即第一采样管脚DN1与第二采样管脚DN2的电压差等于过流电压值UL,此时控制电压为第二电阻R2的第二端处的电压值为UC,则可将该电压值UC确定为控制电压阈值。

其中,所述采样电阻的电压值等于采样电阻RS的阻值与流经采样电阻RS的电流的乘积。过流电压值UL可通过调节采样电阻RS的大小而进行调整,例如过流电压值UL可以为100mV。若采样电路110所采集到的采样电阻的电压值大于过流电压值UL,表明流经采样电路110的电流过大,需进行过流保护。

下面就过流保护电路不同的工作状态进行说明:

(1)当UDN1-UDN2>UL,表明逆变回路200出现过流现象,其中“UDN1-UDN2”表示采样电阻的电压值,“UL”表示过流电压值UL,该过流电压值UL为正值。通过采样电路110中的第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管对管M1、第三电阻R3与采样电阻RS组成电流源,使得采样电阻的电压值作用于第三电阻R3,从而在第三电阻R3上产生电流。因为此时UDN1-UDN2>UL,在第三电阻R3上产生电流流经第二电阻R2后使得第二电阻R2形成较大的压降,该压降造成控制电压减小至小于控制电压阈值。

若控制电压小于控制电压阈值,所述控制电路中的稳压二极管被击穿,所述第三三极管导通,进而使隔离元件导通,以生成控制信号。该控制信号由控制电路120传输至信号输出电路130。假设信号输出电路130中的隔离元件CP1为光耦器。若信号输出电路130接收到所述控制信号,则光耦器的原边导通,从而信号输出管脚IWP保持高电平,以生成警报信号。

(2)当UDN1-UDN2≤UL,表明逆变回路200正常工作,采样电阻的电压值作用于第三电阻R3,从而在第三电阻R3上产生电流,该电流流经第二电阻R2后使得第二电阻R2形成压降较小,该压降造成控制电压的减小幅度较小,即控制电压仍大于或者等于控制电压阈值。故无法击穿稳压二极管Z1以及导通所述第三三极管Q3,故控制电路120无法生成控制信号,所述信号输出电路中的信号输出管脚IWP保持初始电平(即低电平),以表示电路运行正常。

请参照图1以及图3,其为本实用新型一实施例中过流保护电路的原理框图以及另一种过流保护电路的电路图。结合上述实施例中的过流保护电路,该过流保护电路100包括采样电路110、控制电路120以及信号输出电路130。

所述采样电路110用于与采样电阻RS连接,该采样电阻RS可设置于各类电路中,本实用新型实施例并不对采样电阻RS所在的电路作出限制。例如采样电阻RS设于逆变回路中,通过采样电路110可采集所述逆变回路200中采样电阻RS的电压值,并根据所述采样电阻RS的电压值生成控制电压。其中,逆变回路200可包括多个IGBT(InSuLated Gate BipoLar TranSiStor,绝缘栅双极型晶体管),本实用新型实施例并不限制逆变回路200的结构以及组成部分。

请参照图3,所述采样电路110包括第一电压源VCC1、第一电阻R1,第二电阻R2,第一三极管对管M1,第三电阻R3,第二三极管对管M2、第七电阻R7以及第八电阻R8。

所述第一电阻R1的第一端与所述第一电压源VCC1连接;

所述第二电阻R2的第一端与所述第一电压源VCC1以及所述第一电阻R1的第一端连接;

所述第一三极管对管M1包括第一三极管Q1以及第二三极管Q2,所述第一三极管Q1的基极与所述第二三极管Q2的基极连接,所述第一三极管Q1的基极、集电极与所述第一电阻R1的第二端连接,所述第一三极管Q1的发射极用于与所述采样电阻RS的第一端连接;所述第二三极管Q2的集电极与所述第二电阻R2的第二端连接;

所述第三电阻R3的第一端与所述第二三极管Q2的发射极连接,所述第三电阻R3的第二端用于与所述采样电阻RS的第二端连接。

第七电阻R7,所述第七电阻R7的第一端与所述第一电压源VCC1连接;

所述第二三极管对管M2包括第四三极管Q4以及第五三极管Q5,所述第四三极管Q4的基极与所述第五三极管Q5的基极连接,所述第四三极管Q4的基极、集电极与所述第七电阻R7的第二端连接,所述第四三极管Q4的发射极用于与所述采样电阻RS的第二端连接,所述第五三极管Q5的集电极与所述第二电阻R2的第二端连接;

所述第八电阻R8的第一端与所述第五三极管Q5的发射极连接,所述第八电阻R8的第二端用于与所述采样电阻RS的第一端连接。

进一步地,所述采样电路110还包括采样管脚,所述采样管脚包括第一采样管脚DN1以及第二采样管脚DN2。所述第一三极管Q1的发射极通过所述第一采样管脚DN1与所述采样电阻RS的第一端连接,所述第三电阻R3的第二端通过所述第二采样管脚DN2与所述采样电阻RS的第二端连接。采样电路110通过所述采样管脚与所述采样电阻RS连接,可实现电路模块化,有利于后期维护以及快速拆卸。

请继续参照图3,所述控制电路120与所述采样电路110连接,用于根据所述控制电压生成控制信号。

所述控制电路120包括以及稳压二极管Z1以及第三三极管Q3。

所述稳压二极管Z1的负极与所述第二电阻R2的第一端连接。

所述第三三极管Q3的基极与所述第二电阻R2的第二端连接,所述第三三极管Q3的发射极与所述稳压二极管Z1的正极连接。所述第三三极管的集电极与所述信号输出电路130连接。

进一步地,所述控制电路120还包括第四电阻R4,所述第三三极管Q3的集电极通过所述第四电阻R4与所述信号输出电路130连接。

请继续参照图3,所述信号输出电路130与所述控制电路120连接,用于根据所述控制信号输出警报信号。所述信号输出电路130包括隔离元件CP1,所述隔离元件CP1的输入侧与所述控制电路120连接,以接收所述控制电路120所生成的控制信号。所述隔离元件CP1的输出侧与信号输出管脚IWP连接。

进一步地,所述隔离元件CP1的输出侧包括第一端以及第二端,所述信号输出电路130还包括第二电压源VCC2、第五电阻R5,第六电阻R6以及第一电容C1。

所述第二电压源VCC2与所述隔离元件CP1的输出侧中的第一端连接。

第五电阻R5,所述第五电阻R5的第一端与所述隔离元件CP1的输出侧连接,所述第五电阻R5的第二端接地。

第六电阻R6,所述第六电阻R6的第一端与所述隔离元件CP1的输出侧连接,所述第六电阻R6的第二端与所述信号输出管脚IWP连接。

第一电容C1,所述第一电容C1的第一端与所述第六电阻R6的第二端连接,所述第一电容C1的第二端接地。

其中,第五电阻R5在所述信号输出电路130中起限流作用,以限制隔离元件CP1的电流大小。第一电容C1、第六电阻R6在所述信号输出电路130中起滤波作用。

进一步地,所述隔离元件CP1为光耦器、电磁隔离芯片或者电容隔离芯片。

具体实施中,如图3所示的过流保护电路通过采样电路可实现对采样电阻的正向电压以及反向电压的采集,并根据所采集到的采样电阻的正向电压或者反向电压生成控制电压。此时,无需考虑采样电阻RS的第一端与第二端的电位高低问题,即无需考虑,即第一采样管脚DN1与第二采样管脚DN2的电位高低问题。使用范围更广。其中,控制电压为第二电阻R2的第二端处(即第二电阻R2与第三三极管Q3的基极连接点)的电压。所述控制电路120根据所述控制电压生成控制信号具体为:

若控制电压小于控制电压阈值,所述控制电路120中的稳压二极管Z1被击穿,所述第三三极管Q3导通,即所述控制电路120向所述信号输出电路130输出的控制信号为高电平控制信号,进而使隔离元件导通,使得所述信号输出电路130输出警报信号(高电平信号)。

若控制电压大于或者等于控制电压阈值,所述控制电路120中的稳压二极管Z1无法被击穿,所述第三三极管Q3截止,即所述控制电路120向所述信号输出电路130输出的控制信号为低电平控制信号,进而使隔离元件截止,使得所述信号输出电路130输出正常信号(低电平信号)。

其中,控制电压阈值的大小由采样电路110以及采样电阻的具体参数确定。例如,若UDN1-UDN2=UL,即第一采样管脚DN1与第二采样管脚DN2的电压差等于过流电压值UL,此时控制电压为第二电阻R2的第二端处的电压值为UC,则可将该电压值UC确定为控制电压阈值。

其中,所述采样电阻RS的电压值等于采样电阻RS的阻值与流经采样电阻RS的电流的乘积。过流电压值UL可通过调节采样电阻RS的大小而进行调整,例如过流电压值UL可以为100mV。若采样电路110所采集到的采样电阻的电压值大于过流电压值UL,表明流经采样电路110的电流过大,需进行过流保护。

下面就过流保护电路不同的工作状态进行说明:

(1)当UDN1-UDN2<-UL,表明逆变回路200出现过流现象,其中“UDN1-UDN2”表示采样电阻的电压值,“UL”表示过流电压值UL,该过流电压值UL为正值。通过采样电路110中的第二三极管对管M2、第七电阻R7、第二电阻R2、第八电阻R8与采样电阻RS组成电流源,使得采样电阻的电压值作用于第八电阻R8,从而在第八电阻R8上产生电流。因为此时UDN1-UDN2<-UL,在第八电阻R8上产生电流流经第二电阻R2后使得第二电阻R2形成较大的压降,该压降造成控制电压减小至小于控制电压阈值。

此时,虽然第一三极管对管M1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3与采样电阻RS同样构成电流源,但因采样电阻的电压值作用于第三电阻R3上,无法使第一三极管对管M1中的第二三极管Q2导通,故此时该部分电路暂时不工作。

若控制电压小于控制电压阈值,所述控制电路中的稳压二极管被击穿,所述第三三极管导通,进而使隔离元件导通,以生成控制信号。该控制信号由控制电路120传输至信号输出电路130。假设信号输出电路130中的隔离元件CP1为光耦器。若信号输出电路130接收到所述控制信号,则光耦器的原边导通,从而信号输出管脚IWP保持高电平,以生成警报信号。

(2)当UDN1-UDN2>UL,表明逆变回路200出现过流现象,其中“UDN1-UDN2”表示采样电阻的电压值,“UL”表示过流电压值UL,该过流电压值UL为正值。通过采样电路110中的第一三极管对管M1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3与采样电阻RS组成电流源,从而在第三电阻R3上产生电流。因为此时UDN1-UDN2>UL,在第三电阻R3上产生电流流经第二电阻R2后使得第二电阻R2形成较大的压降,该压降造成控制电压减小至小于控制电压阈值。

同理,此时虽然第二三极管对管M2、第七电阻R7、第二电阻R2、第八电阻R8与采样电阻RS同样构成电流源,但因采样电阻的电压值作用于第八电阻R8上,无法使第二三极管对管M2中的第五三极管Q5导通,故此时该部分电路暂时不工作。

若控制电压小于控制电压阈值,所述控制电路中的稳压二极管被击穿,所述第三三极管导通,进而使隔离元件导通,以生成控制信号。该控制信号由控制电路120传输至信号输出电路130。假设信号输出电路130中的隔离元件CP1为光耦器。若信号输出电路130接收到所述控制信号,则光耦器的原边导通,从而信号输出管脚IWP保持高电平,以生成警报信号。

(3)当采样电阻的电压值的电压范围在-UL至UL之间,表明逆变回路正常工作,采样电阻的电压值作用于第三电阻R3或者第八电阻R8,该电流流经第二电阻R2后使得第二电阻R2形成压降较小,该压降造成控制电压的减小幅度较小,即控制电压仍大于或者等于控制电压阈值。故无法击穿稳压二极管Z1以及导通所述第三三极管Q3,故控制电路无法生成控制信号,所述信号输出电路中的信号输出管脚IWP保持初始电平(即低电平),以表示电路运行正常。

需要说明的是,对于前述的各个方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本实用新型并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请,某一些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。

在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详细描述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到各种等效的修改或替换,这些修改或替换都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

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