本实用新型涉及一种具有高频特性的全波倍压整流桥。
背景技术：
电力网供给用户的是交流电，而各种无线电装置需要用直流电。整流，就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件(例如二极管)，可以把方向和大小改变的交流电变换为直流电。而在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，可以把较低的交流电压，用耐压较高的整流二极管和电容器，整出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍，分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。
然而，上述的整流电路一般采用的是普通二极管进行整流，并且电路的抗干扰能力较差。
技术实现要素：
本实用新目的是提供一种具有高频特性的全波倍压整流桥。
全波倍压整流桥，包括：
第一玻璃钝化硅二极管，第一玻璃钝化硅二极管的阳极管用于连接交流电源的一端；
第一储能电容，第一储能电容的一端与第一玻璃钝化硅二极管的阴极端连接，第一储能电容的另一端用于连接交流电源的另一端；
第二玻璃钝化硅二极管，第二玻璃钝化硅二极管的阴极管用于连接交流电源的一端；
第二储能电容，第二储能电容的一端与第二玻璃钝化硅二极管的阳极端连接，第二储能电容的另一端用于连接交流电源的另一端。
进一步地，所述第一储能电容和第二储能电容均为片状的电容。
进一步地，还包括：
抗高频尖峰干扰的第一电感，该第一电感位于第一玻璃钝化硅二极管与第一储能电容之间，且第一电感的一端与第一玻璃钝化硅二极管的阴极端连接，第一电感的另一端与第一储能电容的一端连接；
抗高频尖峰干扰的第二电感，该第二电感位于第二玻璃钝化硅二极管与二储能电容之间，且第二电感的一端与第二玻璃钝化硅二极管的阳极端连接，第二电感的另一端与第二储能电容的一端连接。
进一步地，所述第一电感和第二电感均为印刷电感。
本实用新型的现全波倍压整流桥，由于电路中采用了玻璃钝化硅二极管(又称为GPP芯片)，因此，本实用新型可应用开关高频电压，也可用常规50HZ工频电压，对交流电压更具有整流高效的优点，同时产品还具有体积小、成本低的优点，配合此全波倍压抗干扰高频整流桥优势明显。
在本实用新型中，第一玻璃钝化硅二极管和第一玻璃钝化硅二极管属于厚度很薄的芯片，以及第一储能电容和第二储能电容均为片状的电容，第一电感和第二电感均为印刷电感，因此，可将这些电子元气件设置在基板(陶瓷基片或者环氧铝基片)上，通过封装后形成芯片的结构，因此，本实用新型具有体积小的优点。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新的型的全波倍压整流桥，包括第一玻璃钝化硅二极管D1，第一储能电容C1，第二玻璃钝化硅二极管D2，第二储能电容C2，第一玻璃钝化硅二极管D1的阳极管用于连接交流电源的一端；第一储能电容C1的一端与第一玻璃钝化硅二极管D1的阴极端连接，第一储能电容C1的另一端用于连接交流电源的另一端；第二玻璃钝化硅二极管D2的阴极管用于连接交流电源的一端；第二储能电容C2的一端与第二玻璃钝化硅二极管D2的阳极端连接，第二储能电容C2的另一端用于连接交流电源的另一端。所述第一储能电容C1和第二储能电容C2均为片状的电容。第一玻璃钝化硅二极管和第二玻璃钝化硅二极管即为GPP芯片。
还包括抗高频尖峰干扰的第一电感L1、抗高频尖峰干扰的第二电感L2，该第一电感L1位于第一玻璃钝化硅二极管D1与第一储能电容C1之间，且第一电感L1的一端与第一玻璃钝化硅二极管D1的阴极端连接，第一电感L1的另一端与第一储能电容C1的一端连接；该第二电感L2位于第二玻璃钝化硅二极管D2与二储能电容C2之间，且第二电感L2的一端与第二玻璃钝化硅二极管D2的阳极端连接，第二电感L2的另一端与第二储能电容C2的一端连接。所述第一电感L1和第二电感L2均为印刷电感。
本实用新型的工作过程为：
交流电电压U正半周从第一玻璃钝化硅二极管D1输入，经第一玻璃钝化硅二极管D1整流后，通过第一电感L1抗高频尖峰干扰抑制后向第一储能电容C1充电，在第一储能电容C1两端得整流后的直流电压U1。同理负半周交流电电压U从第二玻璃钝化硅二极管D2输入，经第二玻璃钝化硅二极管D2整流后，通过第二电感L2抗高频尖峰干扰抑制后，向第二储能电容C2充电，在第二储能电容C2两端得整流后的直流电压U2，在第一储能电容C1和第二储能电容C2电容上的电压相加(U1和U2)得到相当于输入交流电电压U的两倍。