1.一种绝缘型开关电源，其特征在于，包括：
反激式变换器电路；以及
反馈控制电路，该反馈控制电路基于所述反激式变换器电路的输出电压，进行所述反激式变换器电路的开关元件的pwm控制，
所述反馈控制电路包括：
pwm控制电路，该pwm控制电路分别生成交替地获取所述开关元件的pwm控制脉冲信号的脉冲而得到的第一pwm控制脉冲信号及第二pwm控制脉冲信号并输出；
变压器；
双向励磁电路，该双向励磁电路利用所述第一pwm控制脉冲信号对所述变压器的一次绕组进行正向励磁，并利用所述第二pwm控制脉冲信号对所述变压器的一次绕组进行反向励磁；以及
开关电路，该开关电路生成使在所述变压器的二次绕组中感应产生的脉冲信号的负极性脉冲反转成正极性后得到的脉冲信号，并利用所生成的脉冲信号对所述开关元件进行开关。
2.如权利要求1所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述变压器的二次绕组包括第一二次绕组和第二二次绕组，
所述开关电路包含对在所述第一二次绕组中感应产生的脉冲信号进行半波整流并输出的第一整流电路、以及对在所述第二二次绕组中感应产生的脉冲信号的极性反转后得到的脉冲信号进行半波整流并输出的第二整流电路，所述开关电路生成成为所述第一整流电路的输出信号与所述第二整流电路的输出信号的逻辑或的脉冲信号，并利用所生成的脉冲信号对所述开关元件进行开关。
3.如权利要求2所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述变压器的所述第一二次绕组的卷绕结束端及所述第二二次绕组的卷绕起始端连接至所述开关元件的接地端子，
所述第一整流电路包含第一整流二极管，该第一整流二极管的阳极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，该第一整流二极管的阴极连接至所述开关元件的控制端子，
所述第二整流电路包含第二整流二极管，该第二整流二极管的阳极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，该第二整流二极管的阴极连接至所述开关元件的控制端子。
4.如权利要求2或3所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述反馈控制电路还包括汲取电路，该汲取电路在所述第一整流电路的输入信号及所述第二整流电路的输入信号都为低电平的期间汲取所述开关元件的控制端子的电荷。
5.如权利要求4所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述汲取电路包含：第一pnp型晶体管，该第一pnp型晶体管的基极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，该第一pnp型晶体管的发射极连接至所述开关元件的控制端子；以及第二pnp型晶体管，该第二pnp型晶体管的基极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，该第二pnp型晶体管的发射极连接至所述第一pnp型晶体管的集电极，该第二pnp型晶体管的集电极连接至所述开关元件的接地端子。
6.如权利要求5所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述汲取电路在所述第一二次绕组的卷绕起始端和所述第一pnp型晶体管的基极之间、以及在所述第二二次绕组的卷绕结束端与所述第二pnp型晶体管的基极之间分别设置有电流限制电阻。
7.如权利要求4所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述汲取电路包含：第一pnp型晶体管，该第一pnp型晶体管的基极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，该第一pnp型晶体管的发射极连接至所述开关元件的控制端子；以及第二pnp型晶体管，该第二pnp型晶体管的基极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，该第二pnp型晶体管的发射极连接至所述第一pnp型晶体管的集电极，该第二pnp型晶体管的集电极连接至所述开关元件的接地端子。
8.如权利要求7所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述汲取电路在所述第一二次绕组的卷绕起始端和所述第二pnp型晶体管的基极之间、以及在所述第二二次绕组的卷绕结束端与所述第一pnp型晶体管的基极之间分别设置有电流限制电阻。
9.如权利要求4所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述汲取电路包含：第一p沟道场效应晶体管，该第一p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，该第一p沟道场效应晶体管的源极连接至所述开关元件的控制端子；以及第二p沟道场效应晶体管，该第二p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，该第二p沟道场效应晶体管的源极连接至所述第一p沟道场效应晶体管的漏极，该第二p沟道场效应晶体管的漏极连接至所述开关元件的接地端子。
10.如权利要求9所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述汲取电路在所述第一二次绕组的卷绕起始端和所述第一p沟道场效应晶体管的栅极之间、以及在所述第二二次绕组的卷绕结束端与所述第二p沟道场效应晶体管的栅极之间分别设置有电流限制电阻。
11.如权利要求4所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述汲取电路包含：第一p沟道场效应晶体管，该第一p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，该第一p沟道场效应晶体管的源极连接至所述开关元件的控制端子；以及第二p沟道场效应晶体管，该第二p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，该第二p沟道场效应晶体管的源极连接至所述第一p沟道场效应晶体管的漏极，该第二p沟道场效应晶体管的漏极连接至所述开关元件的接地端子。
12.如权利要求11所述的绝缘型开关电源，其特征在于，
所述汲取电路在所述第一二次绕组的卷绕起始端和所述第二p沟道场效应晶体管的栅极之间、以及在所述第二二次绕组的卷绕结束端与所述第一p沟道场效应晶体管的栅极之间分别设置有电流限制电阻。