绝缘型开关电源的制作方法

本发明涉及具备反激式变换器电路的绝缘型开关电源。

背景技术：

现有的具备反激式变换器电路的绝缘型开关电源为了进行输出电压的恒压控制，例如经由光耦合器或变压器等绝缘电路将二次侧的输出电压反馈至一次侧，利用设置于一次侧的pwm控制电路来控制反激式变换器电路的开关元件的开关占空比(例如参照专利文献1或2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平08－033341号公报

专利文献2：日本专利特开2007－020395号公报

技术实现要素：

发明所要解决的技术问题

然而，上述的现有技术中，由于将pwm控制电路设置于一次侧，因此存在以下问题：需要在处理高电压较多的一次侧单独地设置pwm控制电路用的恒压电源，难以实现电路的小型化或降低成本。因此，考虑将pwm控制电路设置于二次侧，并经由变压器将pwm控制脉冲传输到一次侧的结构。

然而，在将pwm控制电路设置于二次侧，经由变压器将pwm控制脉冲传输到一次侧的情况下，需要用于对变压器进行复位的复位电路。并且，在pwm控制脉冲的开关占空比超过50％时，可能无法利用复位电路对变压器进行复位，从而产生磁饱和或反向电压等，导致周边电路损伤等。此时，例如若使将pwm控制脉冲传输到一次侧的变压器或半导体元件大型化，则能降低产生上述的磁饱和或反向电压等的可能性。然而，通过使用大型的变压器等，难以使电路小型化或降低成本，并且有可能会使损耗变大，降低功率转换效率。另一方面，为了避免上述的情况，例如若将pwm控制脉冲的开关占空比限制在50％以下，则无法发挥能以超过50％的开关占空比进行动作这一反激式变换器电路的优点。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于以低成本提供一种能以超过50％的开关占空比进行动作且小型高效的绝缘型开关电源。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的实施方式是一种绝缘型开关电源，包括：反激式变换器电路；以及反馈控制电路，该反馈控制电路基于所述反激式变换器电路的输出电压，进行所述反激式变换器电路的开关元件的pwm控制，所述反馈控制电路包括：pwm控制电路，该pwm控制电路分别生成交替地获取所述开关元件的pwm控制脉冲信号的脉冲而得到的第一pwm控制脉冲信号及第二pwm控制脉冲信号并输出；变压器；双向励磁电路，该双向励磁电路利用所述第一pwm控制脉冲信号对所述变压器的一次绕组进行正向励磁，并利用所述第二pwm控制脉冲信号对所述变压器的一次绕组进行反向励磁；以及开关电路，该开关电路生成在所述变压器的二次绕组中感应产生的脉冲信号的负极性脉冲反转成正极性后得到的脉冲信号，并利用所生成的脉冲信号对所述开关元件进行开关。

由此，生成交替地获取pwm控制脉冲信号的脉冲而得到的第一pwm控制脉冲信号及第二pwm控制脉冲信号，利用该第一pwm控制脉冲信号和第二pwm控制脉冲信号对变压器的一次绕组交替地进行双向励磁。而且，通过生成在变压器的二次绕组中感应产生的脉冲信号的负极性脉冲反转成正极性后得到的脉冲信号，能获得与pwm控制电路所生成的pwm控制脉冲信号相同的脉冲信号。由此，能将在反激式变换器电路的二次侧(输出侧)由pwm控制电路所生成的pwm控制脉冲信号经由变压器传输到反激式变换器电路的一次侧(输入侧)来进行反激式变换器电路的反馈控制。而且，本发明利用第一pwm控制脉冲信号与第二pwm控制脉冲信号对变压器的一次绕组交替地进行双向励磁，因此不需要变压器的复位电路，此外即使pwm控制脉冲信号是超过50％的的开关占空比，也不会在变压器上产生磁饱和或反向电压等。

由此，根据本发明的实施方式，能获得如下的作用效果：能以低成本提供一种能以超过50％的开关占空比进行动作且小型高效的绝缘型开关电源。

发明效果

根据本发明，能以低成本提供一种能以超过50％的开关占空比进行动作且小型高效的绝缘型开关电源。

附图说明

图1是本发明所涉及的绝缘型开关电源的电路图。

图2是图示出本发明所涉及的绝缘型开关电源的动作的时序图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，本发明并不特别限定于以下说明的实施例，可以在权利要求所记载的发明范围内进行各种变形。

参照图1对本发明所涉及的绝缘型开关电源的构成进行说明。

图1是本发明所涉及的绝缘型开关电源的电路图。

本发明所涉及的绝缘型开关电源具备反激式变换器电路10、反馈控制电路20。

反激式变换器电路10是反激方式的绝缘型dc-dc转换器，包括：绝缘变压器t1、场效应晶体管q1、电阻r1、r2、电容器c1、c2、二极管d1。

绝缘变压器t1包含一次绕组l11、以及二次绕组l12。绝缘变压器t1的一次绕组l11的卷绕起始端连接至输入vin，卷绕结束端连接至场效应晶体管q1的漏极。电阻r1及电阻r2的一端连接至场效应晶体管q1的栅极(控制端子)。电阻r1的另一端连接至反馈控制电路20。电阻r2的另一端连接至一次侧接地gnd1。电容器c1的一端连接至输入vin，另一端连接至一次侧接地gnd1。场效应晶体管q1的源极连接至一次侧接地gnd1。

绝缘变压器t1的二次绕组l12的卷绕起始端连接至二次侧接地gnd2，卷绕结束端连接至二极管d1的阳极。二极管d1的阴极与输出vout相连接。电容器c2的一端连接至输出vout，另一端连接至二次侧接地gnd2。

上述结构的反激式变换器电路10在作为“开关元件”的场效应晶体管q1导通期间，将电力存储在绝缘变压器t1中。而且，在场效应晶体管q1截止的时刻，通过绝缘变压器t1的反电动势输出存储在绝缘变压器t1中的电力。

反馈控制电路20基于反激式变换器电路10的输出vout的电压，进行反激式变换器电路10的场效应晶体管q1的pwm控制。反馈控制电路20包括：脉冲变压器21、双向励磁电路22、开关电路23、驱动器24、pwm控制电路25。

作为“变压器”的脉冲变压器21包括：一次绕组l21、第一二次绕组l22、第二二次绕组l23。第一二次绕组l22的卷绕结束端及第二二次绕组l23的卷绕起始端连接至一次侧接地gnd1。

双向励磁电路22是如下文所述的电路：利用pwm控制电路25所生成的pwm脉冲1对脉冲变压器21的一次绕组l21进行正向励磁，并利用pwm脉冲2对脉冲变压器21的一次绕组l21进行反向励磁。双向励磁电路22包含晶体管q4～q7、电容器c3、c4。晶体管q4、q6是npn型双极晶体管，晶体管q5、q7是pnp型双极晶体管。

晶体管q4的集电极连接至控制用的恒压电源(省略图示)的输出vcc。晶体管q4的发射极连接至晶体管q5的发射极。晶体管q5的集电极连接至二次侧接地gnd2。晶体管q4的基极连接至晶体管q5的基极，它们的连接点连接至驱动器24。晶体管q4的发射极与晶体管q5的发射极的连接点连接至电容器c3的一端。电容器c3的另一端连接至脉冲变压器21的一次绕组l21的卷绕起始端。

晶体管q6的集电极连接至输出vcc。晶体管q6的发射极连接至晶体管q7的发射极。晶体管q7的集电极连接至二次侧接地gnd2。晶体管q6的基极连接至晶体管q7的基极，它们的连接点连接至驱动器24。晶体管q6的发射极与晶体管q7的发射极的连接点连接至脉冲变压器21的一次绕组l21的卷绕结束端。电容器c4的一端连接至输出vcc，另一端连接至二次侧接地gnd2。

开关电路23是如下的电路：通过消除在脉冲变压器21的第一二次绕组l22及第二二次绕组l23中感应产生的脉冲信号的负极性脉冲，生成将正极性脉冲合成后的脉冲信号，也就是说生成在脉冲变压器21的二次绕组中感应产生的脉冲信号的负极性脉冲反转成正极性后得到的脉冲信号，并利用所生成的脉冲信号对场效应晶体管q1进行开关。由此，能将在反激式变换器电路10的二次侧(输出vout侧)pwm控制电路25所生成的pwm控制脉冲信号经由脉冲变压器21传输到反激式变换器电路10的一次侧(输入vin侧)并进行反激式变换器电路10的反馈控制。开关电路23包含：第一整流电路231、第二整流电路232、以及汲取电路233。

第一整流电路231是对在第一二次绕组l22中感应产生的脉冲信号进行半波整流并输出的电路，包含第一整流二极管d2。第二整流电路232是对在第二二次绕组l23中感应产生的脉冲信号的极性反转后得到的脉冲信号进行半波整流并输出的电路，包含第二整流二极管d3。第一整流二极管d2和第二整流二极管d3只要是能对脉冲信号进行半波整流的二极管即可，并不特别限定种类，但优选使用如本实施例那样开关特性优异的肖特基势垒二极管。

第一整流二极管d2的阳极连接至脉冲变压器21的第一二次绕组l22的卷绕起始端。第二整流二极管d3的阳极连接至脉冲变压器21的第二二次绕组l23的卷绕结束端。第一整流二极管d2和第二整流二极管d3的阴极经由反激式变换器电路10的电阻r1连接至场效应晶体管q1的栅极。由此，生成成为第一整流电路231的输出信号与第二整流电路232的输出信号的逻辑“或”的脉冲信号，利用所生成的脉冲信号对场效应晶体管q1进行开关。

汲取电路233是在第一整流电路231的输入信号及第二整流电路232的输入信号都为低电平的期间汲取场效应晶体管q1的栅极的电荷的电路。汲取电路233包含晶体管q2、q3、电阻r3、r4。

作为“第一pnp型晶体管”的晶体管q2及作为“第二pnp型晶体管”的晶体管q3例如是pnp型双极晶体管。晶体管q2的基极连接至第一二次绕组l22的卷绕起始端，发射极连接至场效应晶体管q1的栅极。晶体管q3的基极连接至第二二次绕组l23的卷绕结束端，集电极连接至一次侧接地gnd1。晶体管q2的集电极连接至晶体管q3的发射极。

作为“电流限制电阻”的电阻r3是限制晶体管q2的基极电流的电阻。电阻r3的一端连接至第一二次绕组l22的卷绕起始端，另一端连接至晶体管q2的基极。作为“电流限制电阻”的电阻r4是限制晶体管q3的基极电流的电阻。电阻r4的一端连接至第二二次绕组l23的卷绕结束端，另一端连接至晶体管q3的基极。

作为本发明的变形例，虽然省略图示，汲取电路233中，晶体管q2的基极可以经由电阻r4连接至第二二次绕组l23的卷绕结束端，晶体管q3的基极可以经由电阻r3连接至第一二次绕组l22的卷绕起始端。并且，作为本发明的变形例，晶体管q2、q3例如可以是p沟道场效应晶体管。

驱动器24基于pwm控制电路25所输出的控制信号，驱动双向励磁电路22的晶体管q4～q7。pwm控制电路25例如是公知的微机控制电路或控制ic(integratedcircuit：集成电路)等。pwm控制电路25基于反激式变换器电路10的输出vout的电压，生成使场效应晶体管q1进行开关的pwm控制脉冲信号，并且分别生成交替地获取该pwm控制脉冲信号的脉冲而得到的pwm脉冲1(第一pwm控制脉冲信号)及pwm脉冲2(第二pwm控制脉冲信号)并输出至驱动器24。

参照图2对本发明所涉及的绝缘型开关电源的动作进行说明。

图2是示出本发明所涉及的绝缘型开关电源的动作的时序图。

双向励磁电路22在pwm脉冲1为高电平期间(时刻t1～t2)，成为晶体管q4导通，晶体管q5截止的状态。此外，在该期间，pwm脉冲2为低电平(0v)，因此成为晶体管q6截止，晶体管q7导通的状态。因此，脉冲变压器21的一次绕组l21中，励磁电流从卷绕起始端流向卷绕结束端，从而正向励磁。由此，脉冲变压器21的第一二次绕组l22的卷绕起始端的电压(l22v(脉冲变压器输出电压1))成为正极性脉冲电压。另一方面，脉冲变压器21的第二二次绕组l23的卷绕结束端的电压(l23v(脉冲变压器输出电压2))成为负极性脉冲电压。

双向励磁电路22在pwm脉冲1变为低电平，pwm脉冲1及pwm脉冲2都为低电平的期间(时刻t2～t3)，成为晶体管q4、q6截止，晶体管q5、q7导通的状态。因此，在脉冲变压器21的一次绕组l21中没有励磁电流流过。由此，脉冲变压器21的第一二次绕组l22的卷绕起始端的电压及第二二次绕组l23的卷绕结束端的电压都为0v。

双向励磁电路22在pwm脉冲2为高电平期间(时刻t3～t4)，成为晶体管q6导通，晶体管q7截止的状态。此外，在该期间，pwm脉冲1为低电平(0v)，因此成为晶体管q4截止，晶体管q5导通的状态。因此，脉冲变压器21的一次绕组l21中，励磁电流从卷绕结束端流向卷绕起始端，从而反向励磁。由此，脉冲变压器21的第一二次绕组l22的卷绕起始端的电压成为负极性脉冲电压。另一方面，脉冲变压器21的第二二次绕组l23的卷绕结束端的电压成为正极性脉冲电压。

双向励磁电路22在pwm脉冲2变为低电平，pwm脉冲1及pwm脉冲2都为低电平的期间(时刻t4～t1)，成为晶体管q4、q6截止，晶体管q5、q7导通的状态。因此，在脉冲变压器21的一次绕组l21中没有励磁电流流过。由此，脉冲变压器21的第一二次绕组l22的卷绕起始端的电压及第二二次绕组l23的卷绕结束端的电压都为0v。

第一整流电路231中，在pwm脉冲1为高电平的期间(时刻t1～t2)，电流流过第一整流二极管d2。另一方面，pwm脉冲2为高电平的期间(时刻t3～t4)、流过第一二次绕组l22的电流的方向为相反方向，因此在第一整流二极管d2中没有电流流过。也就是说，通过第一整流二极管d2对在脉冲变压器21的第一二次绕组l22的卷绕起始端感应产生的脉冲信号(l22v(脉冲变压器输出电压1))进行半波整流。由此，获得与pwm脉冲1相同的脉冲信号(晶体管q2的vce(集电极－发射极间电压))。

第二整流电路232中，在pwm脉冲2为高电平的期间(时刻t3～t4)，电流流过第二整流二极管d3。另一方面，pwm脉冲1为高电平的期间(时刻t1～t2)，流过第二二次绕组l23的电流的方向为相反方向，因此在第二整流二极管d3中没有电流流过。也就是说，通过第二整流二极管d3对在脉冲变压器21的第二二次绕组l23的卷绕结束端感应产生的脉冲信号(l23v(脉冲变压器输出电压2))进行半波整流。由此，获得与pwm脉冲2相同的脉冲信号(晶体管q3的vce(集电极－发射极间电压))。

而且，通过将第一整流二极管d2的阴极与第二整流二极管d3的阴极相连接，从而生成成为第一整流二极管d2的输出信号与第二整流二极管d3的输出信号的逻辑“或”的脉冲信号。也就是说，生成在脉冲变压器21的第一二次绕组l22中感应产生的脉冲信号的负极性脉冲反转成正极性后得到的脉冲信号(场效应晶体管q1的vgs(栅极－源极间电压))。由此，获得与pwm控制电路25所生成的pwm控制脉冲信号相同的脉冲信号。

汲取电路233在pwm脉冲1为高电平期间(时刻t1～t2)，成为晶体管q2截止，晶体管q3导通的状态。因此，场效应晶体管q1的栅极不连接至一次侧接地gnd1。同样，在pwm脉冲2为高电平期间(时刻t3～t4)，成为晶体管q2导通，晶体管q3截止的状态。因此，场效应晶体管q1的栅极不连接至一次侧接地gnd1。另一方面，汲取电路233在pwm脉冲1及pwm脉冲2都为低电平的期间(时刻t2～t3、t4～t1)，成为晶体管q2、q3都导通的状态。由此，场效应晶体管q1的栅极连接至一次侧接地gnd1，汲取场效应晶体管q1的栅极的电荷(晶体管q2、q3的集电极电流ic)。

如上所述，本发明所涉及的绝缘型开关电源利用pwm脉冲1和pwm脉冲2交替地对脉冲变压器21的一次绕组l21进行双向励磁，因此不需要脉冲变压器21的复位电路，此外即使pwm控制电路25所生成的pwm控制脉冲信号是超过50％的开关占空比，也不会在脉冲变压器21产生磁饱和或反向电压等。因而，根据本发明，能以低成本提供一种能以超过50％的开关占空比进行动作且小型高效的绝缘型开关电源。

此外，该实施例的开关电路23的结构是使用了2个半波整流电路(第一整流电路231、第二整流电路232)的简单的电路结构，因此在能以更低成本提供本发明的绝缘型开关电源这点上优选。并且，该实施例的开关电路23的结构是使用了2个整流二极管(第一整流二极管d2、第二整流二极管d3)的极简单的整流电路，因此在能进一步降低成本提供本发明的绝缘型开关电源这点上优选。

此外，本发明的绝缘型开关电源如该实施例那样，优选为设置有在第一整流电路231的输入信号及第二整流电路232的输入信号都为低电平的期间汲取场效应晶体管q1的栅极的电荷的汲取电路233。通过在pwm控制脉冲信号为低电平的期间，汲取场效应晶体管q1的栅极的电荷，从而能在更准确的时刻稳定地使场效应晶体管q1开关，因此能进行更高精度的pwm控制。

并且，该实施例的汲取电路233是以在脉冲变压器21的第一二次绕组l22及第二二次绕组l23中感应产生的信号使2个pnp型晶体管(晶体管q2、q3)导通或截止的简单的电路结构，因此在能以更低成本提供本发明的绝缘型开关电源这点上优选。并且，汲取电路233如该实施例那样，优选为设置有限制晶体管q2、q3的基极电流的电阻r3、r4。通过调整电阻r3、r4的电阻值，从而能调整晶体管q2、q3的动作时刻，以使得在准确的时刻汲取场效应晶体管q1的栅极的电荷。

<本发明的第一方式>

本发明的第一方式是一种绝缘型开关电源，包括：反激式变换器电路；以及反馈控制电路，该反馈控制电路基于所述反激式变换器电路的输出电压，进行所述反激式变换器电路的开关元件的pwm控制，所述反馈控制电路包括：pwm控制电路，该pwm控制电路分别生成交替地获取所述开关元件的pwm控制脉冲信号的脉冲而得到的第一pwm控制脉冲信号及第二pwm控制脉冲信号并输出；变压器；双向励磁电路，该双向励磁电路利用所述第一pwm控制脉冲信号对所述变压器的一次绕组进行正向励磁，并利用所述第二pwm控制脉冲信号对所述变压器的一次绕组进行反向励磁；以及开关电路，该开关电路生成在所述变压器的二次绕组中感应产生的脉冲信号的负极性脉冲反转成正极性后得到的脉冲信号，并利用所生成的脉冲信号对所述开关元件进行开关。

由此，生成交替地获取pwm控制脉冲信号的脉冲而得到的第一pwm控制脉冲信号及第二pwm控制脉冲信号，利用该第一pwm控制脉冲信号和第二pwm控制脉冲信号对变压器的一次绕组交替地进行双向励磁。而且，通过生成使在变压器的二次绕组中感应产生的脉冲信号的负极性脉冲反转成正极性的脉冲信号，能获得与pwm控制电路所生成的pwm控制脉冲信号相同的脉冲信号。由此，能将在反激式变换器电路的二次侧(输出侧)由pwm控制电路所生成的pwm控制脉冲信号经由变压器传输到反激式变换器电路的一次侧(输入侧)来进行反激式变换器电路的反馈控制。而且，本发明利用第一pwm控制脉冲信号与第二pwm控制脉冲信号对变压器的一次绕组交替地进行双向励磁，因此不需要变压器的复位电路，此外即使pwm控制脉冲信号是超过50％的开关占空比，也不会在变压器上产生磁饱和或反向电压等。

由此，根据本发明的第一方式，能获得如下的作用效果：能以低成本提供一种能以超过50％的开关占空比进行动作且小型高效的绝缘型开关电源。

<本发明的第二方式>

本发明的第二方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第一方式中，所述变压器的二次绕组包括第一二次绕组和第二二次绕组，所述开关电路包含对在所述第一二次绕组中感应产生的脉冲信号进行半波整流并输出的第一整流电路、以及对在所述第二二次绕组中感应产生的脉冲信号的极性反转后得到的脉冲信号进行半波整流并输出的第二整流电路，所述开关电路生成成为所述第一整流电路的输出信号与所述第二整流电路的输出信号的逻辑“或”的脉冲信号，并利用所生成的脉冲信号对所述开关元件进行开关。

第一整流电路中，通过对在第一二次绕组中感应产生的脉冲信号进行半波整流，能获得与第一pwm控制脉冲信号相同的脉冲信号。此外，第二整流电路中，通过对在第二二次绕组中感应产生的脉冲信号的极性反转后得到的脉冲信号进行半波整流，能获得与第二pwm控制脉冲信号相同的脉冲信号。而且，通过生成成为第一整流电路的输出信号与第二整流电路的输出信号的逻辑“或”的脉冲信号，能获得与pwm控制电路所生成的pwm控制脉冲信号相同的脉冲信号。

由此，根据本发明的第二方式，通过使用了2个半波整流电路的简单的电路结构的开关电路，能获得与pwm控制电路所生成的pwm控制脉冲信号相同的脉冲信号，因此能以更低成本提供本发明的绝缘型开关电源。

<本发明的第三方式>

本发明的第三方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第二方式中，所述变压器的所述第一二次绕组的卷绕结束端及所述第二二次绕组的卷绕起始端连接至所述开关元件的接地端子，所述第一整流电路包含第一整流二极管，该第一整流二极管的阳极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，阴极连接至所述开关元件的控制端子，所述第二整流电路包含第二整流二极管，该第二整流二极管的阳极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，阴极连接至所述开关元件的控制端子。

根据本发明的第三方式，通过使用了2个整流二极管的极简单的整流电路，能获得与pwm控制电路所生成的pwm控制脉冲信号相同的脉冲信号，因此能以更低成本提供本发明的绝缘型开关电源。

<本发明的第四方式>

本发明的第四方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第二方式或第三方式中，所述反馈控制电路还包括汲取电路，该汲取电路是在所述第一整流电路的输入信号及所述第二整流电路的输入信号都为低电平的期间汲取所述开关元件的控制端子的电荷。

在第一整流电路的输入信号及第二整流电路的输入信号都为低电平的期间，第一pwm控制脉冲信号与第二pwm控制脉冲信号都为低电平，即pwm控制脉冲信号为低电平。而且，通过在pwm控制脉冲信号为低电平的期间，汲取开关元件的控制端子的电荷，从而能在更准确的时刻稳定地使开关元件开关，因此能进行更高精度的pwm控制。

<本发明的第五方式>

本发明的第五方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第四方式中，所述汲取电路包含：第一pnp型晶体管，该第一pnp型晶体管的基极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，发射极连接至所述开关元件的控制端子；以及第二pnp型晶体管，该第二pnp型晶体管的基极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，发射极连接至所述第一pnp型晶体管的集电极，集电极连接至所述开关元件的接地端子。

上述结构的汲取电路仅在pwm控制脉冲信号为低电平的期间，成为第一pnp型晶体管及第二pnp型晶体管都导通的状态，开关元件的控制端子连接至开关元件的接地端子。由此，能在pwm控制脉冲信号为低电平的期间，汲取开关元件的控制端子的电荷。而且，根据本发明的第五方式，通过利用在变压器的第一二次绕组及第二二次绕组中感应产生的信号使2个pnp型晶体管导通或截止的简单的电路结构的汲取电路，能以更低的成本提供本发明的绝缘型开关电源。

<本发明的第六方式>

本发明的第六方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第五方式中，所述汲取电路在所述第一二次绕组的卷绕起始端和所述第一pnp型晶体管的基极之间、以及在所述第二二次绕组的卷绕结束端与所述第二pnp型晶体管的基极之间分别设置有电流限制电阻。

根据本发明的第六方式，通过调整电流限制电阻的电阻值，从而能调整第一pnp型晶体管及第二pnp型晶体管的动作时刻，以使得在准确的时刻汲取开关元件的控制端子的电荷。

<本发明的第七方式>

本发明的第七方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第四方式中，所述汲取电路包含：第一pnp型晶体管，该第一pnp型晶体管的基极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，发射极连接至所述开关元件的控制端子；以及第二pnp型晶体管，该第二pnp型晶体管的基极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，发射极连接至所述第一pnp型晶体管的集电极，集电极连接至所述开关元件的接地端子。

根据本发明的第七方式，与本发明的第五方式同样地通过利用在变压器的第一二次绕组及第二二次绕组中感应产生的信号使2个pnp型晶体管导通或截止的简单的电路结构的汲取电路，能以更低的成本提供本发明的绝缘型开关电源。

<本发明的第八方式>

本发明的第八方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第七方式中，所述汲取电路在所述第一二次绕组的卷绕起始端和所述第二pnp型晶体管的基极之间、以及在所述第二二次绕组的卷绕结束端与所述第一pnp型晶体管的基极之间分别设置有电流限制电阻。

根据本发明的第八方式，与本发明的第六方式同样地通过调整电流限制电阻的电阻值，从而能调整第一pnp型晶体管及第二pnp型晶体管的动作时刻，以使得在准确的时刻汲取开关元件的控制端子的电荷。

<本发明的第九方式>

本发明的第九方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第四方式中，所述汲取电路包含：第一p沟道场效应晶体管，该第一p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，源极连接至所述开关元件的控制端子；以及第二p沟道场效应晶体管，该第二p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，源极连接至所述第一p沟道场效应晶体管的漏极，漏极连接至所述开关元件的接地端子。

根据本发明的第九方式，与本发明的第五方式同样地通过利用在变压器的第一二次绕组及第二二次绕组中感应产生的信号使2个pnp型晶体管导通或截止的简单的电路结构的汲取电路，能以更低的成本提供本发明的绝缘型开关电源。

<本发明的第十方式>

本发明的第十方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第九方式中，所述汲取电路在所述第一二次绕组的卷绕起始端和所述第一p沟道场效应晶体管的栅极之间、以及在所述第二二次绕组的卷绕结束端与所述第二p沟道场效应晶体管的栅极之间分别设置有电流限制电阻。

根据本发明的第十方式，与本发明的第六方式同样地通过调整电流限制电阻的电阻值，从而能调整第一p沟道场效应晶体管及第二p沟道场效应晶体管的动作时刻，以使得在准确的时刻汲取开关元件的控制端子的电荷。

<本发明的第十一方式>

本发明的第十一方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第四方式中，所述汲取电路包含：第一p沟道场效应晶体管，该第一p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述第二二次绕组的卷绕结束端，源极连接至所述开关元件的控制端子；以及第二p沟道场效应晶体管，该第二p沟道场效应晶体管的栅极连接至所述第一二次绕组的卷绕起始端，源极连接至所述第一p沟道场效应晶体管的漏极，漏极连接至所述开关元件的接地端子。

根据本发明的第十一方式，与本发明的第五方式同样地通过利用在变压器的第一二次绕组及第二二次绕组中感应产生的信号使2个p沟道场效应晶体管导通或截止的简单的电路结构的汲取电路，能以更低的成本提供本发明的绝缘型开关电源。

<本发明的第十二方式>

本发明的第十二方式的绝缘型开关电源是在所述本发明的第十一方式中，所述汲取电路在所述第一二次绕组的卷绕起始端和所述第二p沟道场效应晶体管的栅极之间、以及在所述第二二次绕组的卷绕结束端与所述第一p沟道场效应晶体管的栅极之间分别设置有电流限制电阻。

根据本发明的第十二方式，与本发明的第六方式同样地通过调整电流限制电阻的电阻值，从而能调整第一p沟道场效应晶体管及第二p沟道场效应晶体管的动作时刻，以使得在准确的时刻汲取开关元件的控制端子的电荷。

标号说明

10反激式变换器电路

20反馈控制电路

21脉冲变压器

22双向励磁电路

23开关电路

24驱动器

25pwm控制电路

231第一整流电路

232第二整流电路

233汲取电路。