一种力能线圈的制作方法

文档序号:18735901发布日期:2019-09-21 01:10阅读:186来源:国知局
一种力能线圈的制作方法

技术领域

本发明属于电子技术领域,具体涉及一种力能线圈。



背景技术:

本发明为最新技术,主要用于释放磁能内部密度力能能源和放大电能力能能源使用和提高电机内部力度使用。



技术实现要素:

为了达到释放磁能内部密度力能和放大电流力能能源体系变化的最佳使用效果,本发明提供了一种力能线圈采用这种力能线圈,用真空磁能能源转换磁能密度能源放大电能力能能源使用,达到放大磁能内部密度力能使用。

本发明所采用的技术方案为:

本发明涉及一种力能线圈。其包括:输出单元,包括输出框架和设置于所述输出框架上的真空频率线圈,所述真空频率线圈的铁芯是永磁铁空心铁体,真空频率线圈处理电流,而将所述电能转换至所述输出线圈;输出单元,包括输出线圈和电阻和输入线圈,所述输入线圈和输出线圈的铁芯是永磁体,所述输入线圈的能源以感应电能供给真空频率线圈,以真空频率线圈的电能供给输出线圈和供给元器件使用。

优选地,所述输出框架上设置有输入线圈,所述输出框架构造为方形框架,所述输入线圈输入正极化能源,所述输入线圈相对于真空频率线圈边缘设置,位于真空频率线圈的变化磁场中。

优选地,所述接收框架上还设置有电阻,所述电阻的变化在真空频率线圈和输出线圈和输入线圈的变化而来,所述电阻相对于真空频率线圈边缘设置。

优选地,所述输出框架上还设置有真空频率线圈,所述真空频率线圈的变化在输入线圈和输出线圈的变化而来,所述真空频率线圈相对于输入线圈和输出线圈边缘设置,位于输入线圈和输出线圈的变化磁场中。

优选地,所述输出框架上还设置有输出线圈,所述输出线圈的变化在真空频率线圈和输入线圈的变化而来,所述输出线圈相对于真空频率线圈边缘设置,位于真空频率线圈的变化磁场中。

优选地,所述输出框架上还设置有永磁体,所述永磁体的变化在真空频率线圈和输出线圈和输入线圈的变化而来,所述永磁体相对于输出框架内部并列设置,位于真空频率线圈和输出线圈和输入线圈的变化磁场中。

本发明的有益效果为:这种力能线圈在使用时,用真空磁能能源转换磁能密度能源放大电能力能能源使用,达到放大磁能内部密度力能使用。

附图说明

图1是本发明的一个优选实施例的力能线圈的示意图。

如图2为本发明提供的真空频率线圈。

图中:1、支架;2、输入线圈;3、输出线圈;4、真空频率线圈;5、电阻;6、永磁体。

具体实施方式

如图1所示,本发明提供的力能线圈,其包括,输出单元。下面将详细地描述本发明的力能线圈及其各个部分。

如图1所示,输出单元包括输出框架1和设置于输出框架1上的输入线圈2和真空频率线圈4和输出线圈3和电阻5相互并列,输入线圈2输入的能源流经电阻5和真空频率线圈4永磁体6将磁能密度力能处理组合传输至输出线圈3。

作为输出单元的第一个优选实施例,如图1所示,输出框架1上设置有输入线圈2,所述输出框架1构造为方形框架,所述输入线圈2输入正极化能源,所述输入线圈2相对于真空频率线圈4边缘设置,位于真空频率线圈4的变化磁场中。

第二个优选实施例是在第一个优选实施例的基础上,如图1所示,输出框架1上还设置有电阻5,所述电阻5的变化在真空频率线圈4和输出线圈3和输入线圈2的变化而来,所述电阻5相对于真空频率线圈4边缘设置。

第三个优选实施例是在第二个优选实施例的基础上,如图1所示,输出框架1上还设置有真空频率线圈4,所述真空频率线圈4的变化在输入线圈2和输出线圈3的变化而来,所述真空频率线圈4相对于输入线圈2和输出线圈3边缘设置,位于输入线圈2和输出线圈3的变化磁场中。

第四个优选实施例是在第三个优选实施例的基础上,如图1所示,输出框架1上还设置有输出线圈3,所述输出线圈3的变化在真空频率线圈4和输入线圈2的变化而来,所述输出线圈3相对于真空频率线圈4边缘设置,位于真空频率线圈4的变化磁场中。

第五个优选实施例是在第四个优选实施例的基础上,如图1所示,输出框架1上还设置有永磁体6,所述永磁体6的变化在真空频率线圈4和输出线圈3和输入线圈2的变化而来,所述永磁体6相对于输出框架1内部并列设置,位于真空频率线圈4和输出线圈3和输入线圈2的变化磁场中。

由此,作为第五个优选实施例的力能线圈的工作原理可以参考如下:

当输入线圈2输入能源时,由此输入线圈2周围存在变化的磁场,由输入线圈2设置在真空频率线圈4的周围,所以真空频率线圈4内产生相应的电能。同样地,输入线圈2输入和的能源通过磁场依次从电阻5和真空频率线圈4和永磁体6和输出线圈3运用电能和磁能力能,及线圈内永磁铁磁性强度用真空磁能能源转换磁能密度能源放大电能力能能源使用,达到放大磁能内部密度力能使用。

本发明不局限于上述最佳实施方式,任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品,但不论在其形状或结构上作任何变化,凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案,均落在本发明的保护范围之内。

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