1.一种过载和短路保护电路，其特征在于，包括电流检测电路、保护响应电路和输出控制电路，所述电流检测电路用于检测流经负载的负载电流，所述保护响应电路包括与所述电流检测电路连接的第一充放电路及与所述第一充放电路连接的第一比较电路，所述输出控制电路包括与所述第一比较电路连接的第二比较电路和开关电路，当所述负载所在电路过载或短路时，所述负载电流大于保护启动电流，所述第一充放电路充电直至所述第一比较电路的正相输入端和负相输入端的电压满足第一条件，所述第一比较电路输出第一控制信号，使得所述第二比较电路控制所述开关电路断开以切断所述负载所在电路进入保护模式，所述开关电路断开后，所述第一充放电路放电直至所述第一比较电路的正相输入端和负相输入端的电压满足第二条件，所述第一比较电路输出第二控制信号，使得所述第二比较电路控制所述开关电路导通以再次连通所述负载所在电路进入工作模式。
2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电流检测电路包括连接于所述负载的一端与地之间的检测电阻。
3.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述第一充放电路包括第一电阻和第一充电电容，所述第一电阻的一端与所述第一检测电阻和所述负载之间的结点连接，所述第一电阻的另一端与所述第一比较电路的正相输入端连接，所述第一充电电容连接于所述第一电阻和所述正相输入端的结点和地之间。
4.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一比较电路包括第一比较器，所述正相输入端与所述第一充放电路连接，所述负相输入端与电源连接，所述第一比较器的输出端与所述输出控制电路连接。
5.如权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述第二比较电路包括第二比较器，所述第二比较器的正相输入端与所述第一比较器的输出端连接，负相输入端与微控制器的IO端连接，所述第二比较器的输出端与所述开关电路连接。
6.如权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述输出控制电路还包括连接于所述第一比较器的输出端和所述第二比较器的所述正相输入端之间的第一开关元件及与所述第二比较器的正相输入端连接的第二充放电路，当所述第一开关元件闭合时，所述第二充放电路充电使得所述第二比较器的正相输入端和负相输入端的电压满足第一条件，使得所述第二比较器输出第一控制信号使得所述开关电路断开；
当所述第一开关元件断开时，所述第二充放电路放电直至所述第二比较器的正向输入端和负相输入端的电压满足第二条件，使得所述第二比较器输出所述第二控制信号使得所述开关电路导通。
7.如权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述第一开关元件为三极管，所述三极管的基极与所述第一比较器的输出端连接，发射极与所述第二比较器的正相输入端连接，集电极与电源连接，所述正相输入端和所述发射极的结点与所述第二充放电路连接。
8.如权利要求7所述的保护电路，其特征在于，所述正相输入端和所述发射极的结点通过分压电阻与电源连接。
9.如权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述第二充放电路包括并联连接的第二充电电容和第二电阻，所述第二充电电容和所述第二电阻的一端与所述第一开关元件连接，另一端与地连接。
10.如权利要求1至9所述的保护电路，其特征在于，所述开关电路包括连接于所述负载和所述第二比较电路之间的PMOS场效应管，所述PMOS场效应管的栅极与所述第二比较电路的输出端连接，所述PMOS场效应管的源极与负载连接，所述PMOS场效应管的漏极与负载电源连接。