一种两相位DCDC转换器的制作方法

文档序号:25595239发布日期:2021-06-22 17:13阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种两相位dcdc转换器,其特征在于,包括主转换器和辅转换器,所述主转换器通过第一时钟信号控制第一主功率管的开启,所述辅转换器通过第二时钟信号控制第二辅功率管的开启,所述第一时钟信号与所述第二时钟信号之间的相位差为180度。

2.根据权利要求1所述的两相位dcdc转换器,其特征在于,所述第一主功率管为第一pmos管,所述主转换器包括第一控制逻辑驱动电路、第一电感、第一电流采样放大器、第三nmos管和所述第一pmos管,所述第一pmos管的源极分别连接输入电压端和所述第一电流采样放大器的第一输入端,所述第一pmos管的漏极分别连接所述第一电流采样放大器的第二输入端、所述第三nmos管的漏极、并通过所述第一电感连接接地端,所述第三nmos管的源极连接输出电压端,所述第一pmos管的栅极连接所述第一控制逻辑驱动电路的第一输出端,所述第三nmos管的栅极连接所述第一控制逻辑驱动电路的第二输出端,所述第一控制逻辑驱动电路具有所述第一时钟信号接入端和第一采样比较输出信号接入端。

3.根据权利要求1所述的两相位dcdc转换器,其特征在于,所述第二辅功率管为第二pmos管,所述辅转换器包括第二控制逻辑驱动电路、第二电感、第二电流采样放大器、第四nmos管和所述第二pmos管,所述第二pmos管的源极分别连接输入电压端和所述第二电流采样放大器的第一输入端,所述第二pmos管的漏极分别连接所述第二电流采样放大器的第二输入端、所述第四nmos管的漏极、并通过所述第二电感连接接地端,所述第四nmos管的源极连接输出电压端,所述第二pmos管的栅极连接所述第二控制逻辑驱动电路的第一输出端,所述第四nmos管的栅极连接所述第二控制逻辑驱动电路的第二输出端,所述第二控制逻辑驱动电路具有所述第二时钟信号接入端和第二采样比较输出信号接入端。

4.根据权利要求2所述的两相位dcdc转换器,其特征在于,所述第一电流采样放大器的输出端连接第一pwm比较器的正向输入端,所述第一pwm比较器的输出端连接所述第一采样比较输出信号接入端,所述第一pwm比较器的负向输入端连接第三误差放大器的误差输出信号端。

5.根据权利要求3所述的两相位dcdc转换器,其特征在于,所述第二电流采样放大器的输出端连接第二pwm比较器的正向输入端,所述第二pwm比较器的输出端连接所述第二采样比较输出信号接入端,所述第二pwm比较器的负向输入端连接第三误差放大器的误差输出信号端,所述第二pwm比较器的第三输入端连接第三迟滞比较器的输出端,所述第三迟滞比较器的正向输入端连接所述第三误差放大器的误差输出信号端,所述第三迟滞比较器的负向输入端连接迟滞参考电压端。

6.根据权利要求4所述的两相位dcdc转换器,其特征在于,所述第三误差放大器的正向输入端连接接地端,所述第三误差放大器的负向输入端连接电阻分压电路的中间节点,所述中间节点通过第一电阻连接参考电压端,所述中间节点通过第二电阻连接输出电压端。

7.根据权利要求5所述的两相位dcdc转换器,其特征在于,所述第二pwm比较器包括源极均连接输入电压端的第五pmos管、第六pmos管和第七pmos管,所述第六pmos管的栅极和第七pmos管的栅极均连接栅极偏置电压端,所述第七pmos管的漏极与第十四nmos管的漏极互连后连接所述第二pwm比较器的输出端,所述第十四nmos管的源极连接接地端,所述第五pmos管的漏极通过第一电流源连接斜坡电压节点,所述斜坡电压节点通过第一电容连接接地端,所述斜坡电压节点通过第二电流源连接第十一nmos管的漏极,所述第十一nmos管的源极连接接地端,所述第十一nmos管与所述第五pmos管栅极互连后连接反相器的输出端,所述反相器的输入端为所述第二pwm比较器的第三输入端,所述斜坡电压节点连接第八pmos管的栅极,所述第八pmos管的漏极分别连接第九pmos管的漏极、第十二nmos管的漏极和栅极以及第十三nmos管的栅极,所述第十二nmos管的源极和所述第十三nmos管的源极均连接接地端,所述第十三nmos管的漏极分别连接所述第十四nmos管的栅极和第十pmos管的漏极,所述第八pmos管、第九pmos管和第十pmos管源极互连后连接所述第六pmos管的漏极,所述第十pmos管的栅极为所述第二pwm比较器的正向输入端,所述第九pmos管的栅极为所述第二pwm比较器的负向输入端。


技术总结
一种两相位DCDC转换器,通过设置主转换器和辅转换器的组合,能够在重载时以相位差180度的两相位控制方式交替控制主转换器和辅转换器协同工作以减小电感功率消耗,而在轻载时只有主转换器独自工作以降低开关损耗,从而有利于既能够满足负载电流较大的场景下仍然使用小尺寸电感的需求,又能够使全负载范围效率得以提高。

技术研发人员:于翔;许晶;其他发明人请求不公开姓名
受保护的技术使用者:圣邦微电子(北京)股份有限公司
技术研发日:2019.12.20
技术公布日:2021.06.22
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