一种高压直流母线快速放电电路的制作方法

本实用新型属于市电供电的电源技术领域，具体涉及一种高压直流母线快速放电电路。

背景技术：

随着电源的安规标准升级加严，各国对于安全问题越来越重视。绝大多数产品市电供电，小功率的电路还可以在x电容两端用并联电阻的方式在断电时候实现快速放电。但大功率的电路、尤其几十千瓦的电源，前级的电容都是mf级别，普通的电阻无法放置，即使放置也存在一定的安全隐患。所以需要设计一种多重控制的放电电路，满足日益增长的技术需求。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的在于提供一种高压直流母线快速放电电路，其具有结构简单、元器件数量少、成本低等优点。

本实用新型的另一目的在于提供一种高压直流母线快速放电电路，其通过光电耦合器u1，将高压电和低压电隔离。

为达到以上目的，本实用新型公开一种高压直流母线快速放电电路，包括：

电源v1、电阻r1、三极管q1、控制端和光电耦合器u1，所述电源v1的正极与所述电阻r1的一端电性连接，所述电阻r1远离所述电源v1的一端与所述三极管q1的集电极电性连接，所述三极管q1的基极和控制端电性连接，所述三极管q1的发射极与所述光电耦合器u1的阳极电性连接，所述光电耦合器u1的阴极接地；

直流母线，所述直流母线的一端与电容c3电性连接，所述电容c3的另一端接地。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r2、二极管d1，所述直流母线靠近电容c3的一端还与所述电阻r2的一端电性连接，所述电阻r2远离所述电容c3的一端与所述光电耦合器u1的集电极电性连接，所述电阻r2远离所述电容c3的一端还与所述二极管d1的阴极电性连接，所述二极管d1的阳极和所述光电耦合器u1的发射极接地。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r3、电阻r4、电阻r5和igbt管m1，所述直流母线靠近电容c3的一端还依次通过所述电阻r3、所述电阻r4和所述电阻r5与所述igbt管m1的漏极电性连接，所述igbt管m1的源极接地。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r6、电阻r7、二极管d2、电容c1，所述电阻r2远离所述电容c3的一端还与电阻r6的一端电性连接，所述电阻r6远离所述电阻r2的一端与所述二极管d2的阴极电性连接，所述二极管d2的阳极通过所述电阻r7与所述电阻r2远离所述电容c3的一端电性连接，所述二极管d2的阳极还通过所述电容c1接地。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r8、二极管d3和电阻r9，所述电阻r2远离所述电容c3的一端还与所述电阻r8的一端电性连接，所述电阻r8远离所述电阻r2的一端与所述二极管d3的阴极电性连接，所述二极管d3的阳极通过所述电阻r9接地。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r10、二极管d4、三极管q2和电容c2，所述电阻r2远离所述电容c3的一端还与所述电阻r10的一端电性连接，所述电阻r10远离所述电阻r2的一端与所述三极管q2的集电极电性连接，所述三极管q2的发射极接地，所述电阻r2和所述电阻r10的共接端与所述二极管d4的阴极电性连接，所述二极管d4的阳极通过所述电容c2接地，所述三极管q2的集电极与所述二极管d4的阳极电性连接，所述三极管q2的集电极还与所述igbt管m1的栅极电性连接。

附图说明

图1是本实用新型的高压直流母线快速放电电路图。

具体实施方式

以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。

本实用新型公开了一种高压直流母线快速放电电路，下面结合优选实施例，对实用新型的具体实施例作进一步描述。

参见附图的图1，图1是本实用新型的高压直流母线快速放电电路图。

在本实用新型的施例中，本领域技术人员注意，本实用新型涉及的电源、二极管等可被视为现有技术。

优选实施例。

本实用新型公开了一种高压直流母线快速放电电路，包括：

电源v1、电阻r1、三极管q1、控制端power_off和光电耦合器u1，所述电源v1的正极与所述电阻r1的一端电性连接，所述电阻r1远离所述电源v1的一端与所述三极管q1的集电极电性连接，所述三极管q1的基极和控制端电性连接，所述三极管q1的发射极与所述光电耦合器u1的阳极电性连接，所述光电耦合器u1的阴极接地；

直流母线dc_bus，所述直流母线dc_bus的一端与电容c3电性连接，所述电容c3的另一端接地。

具体的是，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r2、二极管d1，所述直流母线靠近电容c3的一端还与所述电阻r2的一端电性连接，所述电阻r2远离所述电容c3的一端与所述光电耦合器u1的集电极电性连接，所述电阻r2远离所述电容c3的一端还与所述二极管d1的阴极电性连接，所述二极管d1的阳极和所述光电耦合器u1的发射极接地。

更具体的是，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r3、电阻r4、电阻r5和igbt管m1，所述直流母线dc_bus靠近电容c3的一端还依次通过所述电阻r3、所述电阻r4和所述电阻r5与所述igbt管m1的漏极电性连接，所述igbt管m1的源极接地。

进一步的是，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r6、电阻r7、二极管d2、电容c1，所述电阻r2远离所述电容c3的一端还与电阻r6的一端电性连接，所述电阻r6远离所述电阻r2的一端与所述二极管d2的阴极电性连接，所述二极管d2的阳极通过所述电阻r7与所述电阻r2远离所述电容c3的一端电性连接，所述二极管d2的阳极还通过所述电容c1接地。

更进一步的是，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r8、二极管d3和电阻r9，所述电阻r2远离所述电容c3的一端还与所述电阻r8的一端电性连接，所述电阻r8远离所述电阻r2的一端与所述二极管d3的阴极电性连接，所述二极管d3的阳极通过所述电阻r9接地。

优选地，高压直流母线快速放电电路还包括电阻r10、二极管d4、三极管q2和电容c2，所述电阻r2远离所述电容c3的一端还与所述电阻r10的一端电性连接，所述电阻r10远离所述电阻r2的一端与所述三极管q2的集电极电性连接，所述三极管q2的发射极接地，所述电阻r2和所述电阻r10的共接端与所述二极管d4的阴极电性连接，所述二极管d4的阳极通过所述电容c2接地，所述三极管q2的集电极与所述二极管d4的阳极电性连接，所述三极管q2的集电极还与所述igbt管m1的栅极电性连接。

本实用新型的工作原理及优点为：当产品上电时，power_off高电平，让光电耦合器u1的原边正常导通，同时光电耦合器u1的副边也导通，igbt管m1无法工作，直流母线dc_bus的高压直接给电容c3充电，并加载在电阻r2上，电阻r2是几百至千欧姆的电阻。当产品停止工作的时候，power_off给低电平，光电耦合器u1的原边没有电流流过，二极管d1将阴极的电压提升到15v，igbt管m1导通，电容c3的电量全部从电阻r3、电阻r4、电阻r5、igbt管m1释放，直流母线dc_bus在1分钟内放电到60v以下，实现安全放电。本电路通过光电耦合器u1，将高压电和低压电隔离，实现安全的控制。

值得一提的是，本实用新型专利申请涉及的电源、二极管等技术特征应被视为现有技术，这些技术特征的具体结构、工作原理以及可能涉及到的控制方式、空间布置方式采用本领域的常规选择即可，不应被视为本实用新型专利的发明点所在，本实用新型专利不做进一步具体展开详述。

对于本领域的技术人员而言，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围。