功率因数校正电路和功率转换系统及相关电源电路的制作方法

1.本实用新型总体上涉及功率因数校正电路，并且更具体地，涉及功率因数校正电路中的电流感测装置以及相关方法。


背景技术：

2.小型化的需求正在驱动用于网络、服务器、计算、电信和其它工业应用中的开关模式电源的增加的功率密度。因此，在开关模式电源的设计中，特别是对于节能和环保而言，高功率效率是重要的考虑因素。在一些情况下，开关模式电源包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路可以改善电力系统的功率因数，但是可能增加功率损耗并降低开关模式电源的整体效率。


技术实现要素：

3.为了解决上述增加功率损耗的问题，本实用新型提供了一种电源电路，该电源电路包括：第一氮化镓(gan)晶体管，其具有第一电流端子和第二电流端子；第二gan晶体管，其具有第三电流端子和第四电流端子；第一二极管，其具有第一阳极；第二二极管，其具有第二阳极，第二阳极耦合至所述第一阳极；以及电阻器，其具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合至所述第二电流端子和所述第四电流端子，所述第二端子耦合至所述第一阳极和所述第二阳极。
4.在另一方面，本实用新型提供了一种功率因数校正电路，该功率因数校正电路包括：第一氮化镓(gan)晶体管，其具有第一电流端子和第二电流端子；第二gan晶体管，其具有第三电流端子和第四电流端子；二极管，其具有阳极；电阻器，其具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合至所述第二电流端子和所述第四电流端子，所述第二端子耦合至所述阳极；以及控制器，所述控制器耦合至所述第二端子，所述控制器用于测量与流过所述电阻器和所述二极管的电流相对应的电压。
5.在另一方面，本实用新型提供了一种功率转换系统，其特征在于，所述功率转换系统包括功率转换器和功率因数校正电路，该功率因数校正电路耦合至所述功率转换器，该功率因数校正电路包括：第一氮化镓晶体管即第一gan晶体管，其具有第一电流端子和第二电流端子；第二gan晶体管，其具有第三电流端子和第四电流端子；二极管，其具有阳极；以及电阻器，其具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合至所述第二电流端子和所述第四电流端子，所述第二端子耦合至所述阳极。
6.通过上述手段，本实用新型至少可以改善功率系统的功率因数，从而改善开关模式电源的整体效率。
附图说明
7.图1是包括功率因数校正电路的示例功率转换系统的示意图。
8.图2是包括功率因数校正电路和控制器的另一示例功率转换系统的示意图。
9.图3是用于测量与图1和/或图2的示例功率转换系统相关联的电流的示例仿真电路的示意图。
10.图4是与图3的示例仿真电路相关联的示例电流测量结果的曲线图。
11.图5是示例功率因数校正电路的示意图。
12.图6是描绘了图5的示例功率因数校正电路中的示例电流的流动的示例电流流动图的示意图。
13.图7是用于测量与图5的示例功率因数校正电路相关联的电流的示例仿真电路的示意图。
14.图8是与图7的示例仿真电路相关联的示例电流测量结果的曲线图。
15.图9a
‑
图9b描绘了另一示例功率因数校正电路的示意图。
16.图10是代表可以在利用可以被执行以实现图1的示例功率转换系统的示例机器可读指令和/或被配置为实现图1的示例功率转换系统的硬件的同时执行的过程的流程图。
具体实施方式
17.附图未按比例绘制。通常，在整个附图和随附的书面描述中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
18.当标识可以被分开指代的多个元件或组件时，在本文中使用描述符“第一”、“第二”、“第三”等。除非基于使用上下文另外指定或理解，否则此类描述符无意于赋予优先级、物理顺序或列表中的安排或时间排序的任何含义，而仅仅是为了便于理解所公开的示例而用作分开指代多个元件或组件的标签。在一些示例中，在具体实施方式中可以使用描述符“第一”来指代元件，而在权利要求中可以利用诸如“第二”或“第三”的不同描述符来指代相同的元件。在此类情况下，应该理解，仅仅为了易于引用多个元件或组件而使用此类描述符。
19.在开关模式电源设计中，特别是对于节能和环保，高功率效率是重要考虑因素。例如，公共和私营部门的监管举措已推动改善电源系统的整体效率以改善功率质量。功率因数(pf)是功率质量的量度，并且是实际使用的功率(例如有功功率)与输出的功率(例如视在功率)之比。小于单位(unity) pf可能是由非线性引起的，主要是电感性负载(诸如马达驱动器、开关电源、固态照明灯具等)。不良pf可能表现为电流和电压之间的相移，伴随显著大的电流尖峰，需要较粗的导体、电缆等为负载输送功率。
20.功率因数校正(pfc)试图通过减少电流尖峰并减少与功率输送系统相关联的电压电流相移来实现功率输送系统接近于单位pf。主动pfc方法可以包括控制电路，该控制电路测量输入电压和电流，并且然后调节控制电路中包括的晶体管(例如，功率晶体管)的开关时间和占空比，以确保输入电压和电流同相。例如，控制电路可以基于对输入电压和电流的测量来确定输入电压和电流不是同相的。在此类示例中，控制电路调节晶体管的开关时间和占空比，以确保输入电压和电流同相。此类主动pfc方法可以提供输入电压和电流的自动校正，以改善pf。然而，由于电流感测技术可能无法准确地测量整个输入电流，并且因此可能无法相应地调节晶体管的开关时间和占空比，因此此类主动pfc方法可能无法有效地使输入电压和电流同相。
21.一些开关模式电源包括pfc电路，诸如桥式整流器pfc电路。桥式整流器pfc电路可
以包括以桥式电路配置布置的四个二极管，以将交流(ac)输入转换成直流(dc)输入。然而，桥式电路配置可能在半线周期期间引起来自四个二极管中的两个二极管的二极管导通损耗，并且从而降低开关模式电源的功率效率。
22.一些开关模式电源包括无桥pfc电路。无桥pfc电路可以在每个半线周期包括两个开关操作单元。每个操作单元可以包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和二极管。在一些情况下，功率mosfet是硅功率 mosfet。无桥pfc电路消除了桥式电路配置，并且因此消除了与桥式电路配置相关联的二极管导通损耗。然而，响应于在第三象限中操作的无桥pfc 电路(例如，fet从源极到漏极导通)，非活动mosfet的体二极管导通并有效地充当相应半线周期的慢二极管。与来自桥式整流器pfc中两个二极管的传导损耗相比，无桥pfc电路的一个二极管传导损耗可以通过消除线电流路径中一个二极管的电压降来改善效率。
23.对于无桥pfc电路，在每个半线周期，电流路径都不具有相同的接地，这导致实现电流感测的复杂性。无桥pfc电路中的第一种电流感测方法在ac 输入处使用霍尔效应传感器来测量电流。通常，霍尔效应传感器与需要全电流波形的放大器和控制器结合使用。然而，增加霍尔效应传感器和相关组件增加开关模式电源的成本，增加功耗并降低功率效率，并且增加包括无桥pfc 电路的封装(例如集成电路封装)的大小。
24.无桥pfc电路中的第二种电流感测方法利用电流互感器测量电流。然而，对电路添加电流互感器增加成本和封装大小。此外，添加电流互感器显著增加无桥pfc电路的功率环路电感，并且从而由于电压变化相对于时间变化(例如，dv/dt)较低而使开关损耗增加，降低了开关模式电源的功率效率。
25.本文公开的示例包括pfc电路中的电流感测装置，与许多pfc电路相比，该电流感测装置改善了主动pfc电路的pf并改善了开关模式电源的功率效率，同时降低了成本和封装的大小。在一些公开的示例中，pfc电路包括一个或多个iii
‑
v族晶体管，诸如一个或多个氮化镓(gan)场效应晶体管(fet)，与硅(si)mosfet相比，该氮化镓(gan)场效应晶体管(fet)具有从源极到漏极的更高电压降(例如，源极到漏极电压vsd等)。例如，与具有0.7
‑
1.0 v的范围中的vsd的si mosfet相比，一个或多个iii
‑
v族晶体管可以是具有5
‑
7v的范围中的vsd的耗尽型gan fet。在此类公开的示例中，因为与返回二极管(例如，si二极管、碳化硅(sic)二极管等)相比，gan fet具有显著更大的vsd，所以总返回电流可以通过返回二极管，而不是通过ganfet。在其它示例中，一个或多个iii
‑
v族晶体管可以是增强型gan fet。
26.在一些公开的示例中，在返回路径上包括感测电阻器以测量和/或以其它方式感测总电感器电流。例如，感测电阻器可以耦合至返回二极管以测量流过返回二极管的总返回电流的整体和/或相当一部分。有利地，本文公开的示例包括在返回路径上的感测电阻器，以从pfc电路中消除霍尔效应传感器、电流互感器等，从而显著降低pfc电路和/或更一般地包括pfc电路的开关模式电源的成本和大小。有利地，本文公开的示例可以在一个或多个gan fet 断开时使用返回电流路径上的感测电阻器来测量返回电流，而其它pfc电路使用霍尔效应传感器、电流互感器等来测量电流。
27.图1是示例功率转换系统100的示意图，其包括pfc电路102、功率转换器104和负载106。在一些示例中，pfc电路102可以是电源电路。在图1 中，pfc电路102是主动pfc电路，该主动pfc电路可以通过在功率fet 断开时测量返回电流并调节pfc电路102中包括的一个或
两个示例晶体管 118、120的开关时间和占空比以调节示例电容器(co)138的充电速率或放电速率，来改善功率转换系统100的pf。
28.在图1的所示示例中，功率转换器104耦合至pfc电路102和负载106。在图1中，功率转换器104是dc
‑
dc转换器。例如，功率转换器104可以是升压转换器、降压转换器、降压
‑
升压转换器等。可替代地，功率转换系统100 可以包括不止一个功率转换器104。例如，功率转换系统100可以包括一个或多个升压转换器、一个或多个降压
‑
升压转换器等，和/或其任何组合。在图1 中，负载106耦合至功率转换器104。例如，负载106可以对应于电动车辆、电动车辆中的一个或多个电池、电动车辆中的电动马达、在电动车辆中包括的牵引逆变器等。
29.在图1的所示示例中，功率转换系统100包括pfc电路102以改善功率转换系统100的pf。在图1中，pfc电路102耦合至ac电源108和/或以其它方式与ac电源108成电路。在图1中，ac电源108具有示例线路(l) 输入110和示例中性(neutral)(n)输入112。图1的pfc电路102将ac电源108的ac电压整流和/或以其它方式转换为dc电压。例如，ac电源108 的ac电压可以是在80vac至315vac均方根(rms)范围内的电压。可替代地，ac电源108可以具有任何其它ac电压。在一些示例中，dc电压是12v、24v等。可替代地，dc电压可以是任何其它电压。
30.在图1的所示示例中，pfc电路102是半无桥(semi
‑
bridgeless)pfc电路，因为典型的pfc电感器被分成第一示例电感器(l1)114和第二示例电感器(l2)116。使用两个电感器消除了将开关节点的高dv/dt直接施加到输入端子(例如，线路输入110、中性输入112等)的问题，并且可以使pfc 电路102对称并改善共模噪声抗扰度。
31.在图1的所示示例中，pfc电路102包括：晶体管118、120，其包括第一示例晶体管(q1)118和第二示例晶体管(q2)120；第一示例二极管(d1) 122；以及第二示例二极管(d2)124。在图1中，q1 118和q2 120是耗尽型 gan fet。例如，q1 118和q2 120可以是耗尽型gan fet，该耗尽型gan fet 与集成驱动器成电路，该集成驱动器使gan fet起作用和/或以其它方式作为常关开关操作。在图1中，当q1 118和q120是耗尽型gan fet时，q1 118 和q2 120可以具有在5
‑
7v范围内的vds。在其它示例中，当q1 118和q2 120 是硅fet时，q1 118和q2 120可以具有低至约0.7v的vds。可替代地，可以使用增强模式gan fet代替耗尽型gan fet来实现pfc电路102。可替代地，q1 118和/或q2 120可以具有在任何其它范围内的vds。
32.gan fet(诸如图1的q1 118和q2 120)具有优于si mosfet的显著优势。例如，gan fet具有较小的结电容，没有体二极管，并且不具有反向恢复损耗。在一些示例中，与si mosfet相比，gan fet提供更快的开关速度，更小的输出电荷和更低的开关损耗。在图1中，gan fet可以是横向高电子迁移率晶体管(hemt)。在结构中没有p
‑
n掺杂漂移区的情况下，gan fet 在第三象限操作中示出独特的特性。当电流通过体二极管或沟道从源极流到漏极端子时，功率mosfet发生第三象限操作。尽管gan fet不具有体二极管(如图1中所示)，但设备(例如gan fet)的对称性有助于以像二极管一样的行为在第三象限中传导。
33.q1 118和q2 120的横向gan结构包括通过二维电子气(2deg)沟道连接的源极(例如，q1 118的源极118s、q2 120的源极120s等)和漏极(例如，q1 118的漏极118d、q2 120的漏极120d等)。栅极电压(例如，q1 118 的栅极118g处的电压、q2 120的栅极120g处的电压等)控制沟道的导电性。在第三象限操作中，漏极118d、120d和源极118s、120s切换位置。因此，漏极118d、120d的电势比使gan器件(例如q1 118、q2 120等)导通的栅极的电势低(例如，具有较低的电压)，并且允许反向传导而无需体二极管。
34.在图1的所示示例中，q1 118具有示例漏极(例如，电流端子、漏极端子等)118d、示例栅极(例如，栅极端子)118g和示例源极(例如，电流端子、源极端子等)118s。在图1中，q2 120具有示例漏极120d、示例栅极 120g和示例源120s。
35.在图1的所示示例中，d1 122和d2 124是碳化硅二极管。例如，d1 122 和d2 124可以各自具有在1
‑
1.7v范围内的相应正向电压(v
f
)。可替代地，d1 122和/或d2 124中的一个或两个可以具有在任何其它范围内的正向电压。可替代地，d1 122和/或d2 124中的一个或两个可以是任何其它类型的二极管(例如，硅二极管)。
36.在图1的所示示例中，pfc电路102包括第三示例二极管(da)126、第四示例二极管(db)128、第五示例二极管(dc)130、第六示例二极管(de) 132、第一示例电阻器(rs)(例如，感测电阻器)134和co 138。在图1中， da 126、db 128、dc 130和de 132是硅二极管。例如，da 126、db 128、dc130和de 132可以各自具有1
‑
1.7v范围内的正向电压。可替代地，da 126、 db 128、dc 130和/或de 132中的一个或多个可以具有任何其它范围的正向电压。可替代地，da 126、db 128、dc 130和/或de 132中的一个或多个可以是任何其它类型的二极管(例如，碳化硅二极管)。
37.在图1的所示示例中，l1 114具有第一端子(例如，第一电感器端子) 和第二端子(例如，第二电感器端子)。例如，功率转换系统100可以包括要耦合至l1 114的第一端的第一端子(例如，第一电感器端子)和要耦合至l1114的第二端的第二端子(例如，第二电感器端子)。在此类示例中，可以在不具有l1 114的情况下制造功率转换系统100，并且l1 114可以使用第一端子和第二端子耦合至功率转换系统100。在图1中，l1 114的第一端子耦合至线路输入110、da 126的阴极(例如，阴极端子)和dc 130的阳极(例如，阳极端子)。l1 114的第二端子耦合至d1 122的阳极和q1 118的漏极118d。
38.在图1的所示示例中，l2 116具有第一端子(例如，第一电感器端子) 和第二端子(例如，第二电感器端子)。例如，功率转换系统100可以包括要耦合至l2 116的第一端的第一端子(例如，第一电感器端子)和要耦合至l2116的第二端的第二端子(例如，第二电感器端子)。在此类示例中，可以在不具有l2 116的情况下制造功率转换系统100，并且l2 116可以使用第一端子和第二端子耦合至功率转换系统100。在图1中，l2 116的第一端子耦合至中性输入112、db 128的阴极和de 132的阳极。l2 116的第二端子耦合至d2124的阳极和q2 120的漏极120d。
39.在图1的所示示例中，co 138具有第一端子和第二端子。在图1中，co 138 的第一端子耦合至dc 130的阴极、de 132的阴极、d1 122的阴极以及d2 124 的阴极。在图1中，功率转换器104耦合至负载106的第一端子、co 138的第一端子、dc 130的阴极、de 132的阴极、d1 122的阴极和d2 124的阴极。
40.在图1的所示示例中，功率转换器104耦合至负载106的第二端子、co 138 的第二端子、q2 120的源极120s、q1 118的源极118s、rs 134的第一端子 (例如，第一电阻器端子、一端、第一端等)，以及示例参考轨(例如，接地轨、参考电压轨等)140。在图1中，rs 134的第二端子(例如，第二电阻器端子、一端、第二端等)耦合至da 126的阳极和db 128的阳极。
41.在图1的所示示例中，pfc电路102是双升压半无桥pfc电路，这是因为pfc电路102包括两个示例操作单元142、144，在线路输入110为高时的半线周期内或者在中性输入112为高时的半线周期内，该两个示例操作单元 142、144以升压开关模式操作。
42.在图1的所示示例中，操作单元142、144包括第一示例操作单元142和第二示例操作单元144。在图1中，第一操作单元142耦合至第二操作单元144。在图1中，第一操作单元142包括q1118和d1122。第二操作单元144包括q2120和d2124。例如，在线路输入110为高时的半线周期内，q1118和d1122可以以升压开关模式操作。在此类示例中，在另一半线周期上，当中性输入112为高时，q2120和d2124以升压开关模式操作。
43.在示例操作中，在线路输入110相对于中性输入112具有正电压(例如，q1118和/或q2120被关断和/或以其它方式未启用)时的半线周期期间，电流沿着由图1中的一组箭头示出的示例电流流动路径146流动。图1的电流流动路径146对应于从线路输入110经由l1114、d1122、功率转换器104和/或负载106、rs134和db128流到中性输入112的电流，因为q1118和q2120不具有体二极管。在图1中，q1118和q2120不传导沿电流流动路径146流动的电流，并且因此，流过rs134的电流对应于从线路输入110流向中性输入112的全部电流。由于q1118和q2120是ganmosfet，其具有与da126和db128的正向电压相比显著更高的vsd，因此q1118和q2120不会传导流向中性输入112的返回电流。
44.有利地，当总返回电流通过一个或多个返回二极管(诸如da126、db128等)时，诸如rs134的感测电阻器可以用于测量与l1114或l2116中的至少一个相关联的总电感器电流(例如，流过l1114或l2116中的至少一个的电流)。有利地，通过经由rs134感测和/或以其它方式测量总电感器电流，可以从常规pfc电路(诸如双升压半无桥pfc电路)中消除一个或多个电流互感器、一个或多个霍尔效应传感器以及相关组件等。有利地，通过经由rs134感测和/或以其它方式测量总电感器电流，与常规pfc电路相比，通过消除一个或多个电流互感器，并且由于rs134不包括在图1的pfc电路102的功率环路路径中，图1的pfc电路102具有改善的功率环路。在一些示例中，由于rs134包括在返回电流路径中，与常规pfc电路相比，一个或多个返回二极管(诸如da126、db128等)可以用mosfet代替，以改善效率。
45.图2是包括第二示例pfc电路202和示例控制器204的另一示例功率转换系统200的示意图。在图2中，可以使用硬件逻辑、机器可读指令、硬件实现的状态机和/或其任何组合来实现控制器204。例如，控制器204可以用硬件、软件、固件和/或其任何组合来实现。
46.在一些示例中，控制器204可以对应于执行机器可读指令的一个或多个微控制器。在一些示例中，控制器204可以是硬件实现的有限状态机。例如，控制器204可以对应于一个或多个微控制器(例如，一个或多个模拟微控制器)，该微控制器包括用于感测和/或测量功能的模拟外围设备。控制器204可以包括一个或多个可编程增益放大器(pga)、一个或多个比较器、一个或多个跨阻放大器、一个或多个运算放大器等，和/或其组合。在一些示例中，控制器204可以由一个或多个模拟或数字电路、逻辑电路、(一个或多个)可编程处理器、(一个或多个)可编程控制器、(一个或多个)图形处理单元(gpu)、(一个或多个)数字信号处理器(dsp)、(一个或多个)专用集成电路(asic)、(一个或多个)可编程逻辑器件(pld)和/或(一个或多个)现场可编程逻辑器件(fpld)实现。
47.在图2的所示示例中，第二pfc电路202耦合至控制器204。在图2中，图1的功率转换器104耦合至图1的负载106和第二pfc电路202。在图2中，第二pfc电路202包括图1的ac电源108、线路输入110、中性输入112、l1114、l2116、q1118、q2120、d1122、d2124、da126、db128、dc130、de132、rs134、co138、参考轨140、第一操作单元142和第二操作单
224的电路(例如d3 214、d4 216、r5 218、 r6 220、c2 222)获得在vin 224处的ac电源108的电压。例如，控制器 204可以在vin 224处对ac电源108的电压进行采样。控制器204可以基于采样的ac电源电压来确定输入电流参考。控制器204可以确定输入电流参考与vin同相。控制器204可以将在isense 230处测量的电流与输入电流参考进行比较，并且基于比较分别经由gate1 242和/或gate2 244来控制q1118和/或q2 120。例如，控制器204可以基于总返回电流(例如，在isense230处测量的电流)和输入电流参考(例如，在vin 224处所确定)的比较来确定输入电压和输入电流不是同相的。在此类示例中，当q1 118和/或q2 120 断开时，控制器204可以确定总返回电流。
56.在一些示例中，控制器204通过重新整形与ac电源108相关联的输入电流和/或更一般地重新整形功率转换系统200的输入电流，来改善功率转换系统200的pf。例如，控制器204可以基于经由rs 134对总返回电流的测量来确定功率转换系统100的输入电流和输入电压异相。在此类示例中，响应于确定输入电流和输入电压异相，控制器204可以通过改变q1 118和/或q2 120 的开关周期和占空比来调节co 138的充电速率、co 138的放电速率等。有利地，通过经由rs 134测量总返回电流，控制器204可以改善功率因数，或在一些示例中，通过基于总返回电流而不是其它pfc电路中看到的总返回电流的一部分来调节q1 118和q2 120的操作(例如调节开关周期，调节占空比等) 来实现单位功率因数。有利地，基于总返回电流，控制器204可以改善pfc 电路102的操作，和/或更一般地，基于流过rs 134的测量电流，改善图2的功率转换系统200的操作。
57.图3是用于测量与图1的功率转换系统100和/或图2的功率转换系统200 相关联的电流的示例仿真电路300的示意图。例如，仿真电路300可以代表基于计算机的模型，该模型在由诸如一个或多个处理器的硬件执行时可以对仿真电路300的操作进行仿真。在此类示例中，仿真电路300可以对应于图1 的功率转换系统100、图2的功率转换系统200等的基于计算机的模型、仿真等。
58.在图3的所示示例中，vs1 302代表和/或以其它方式对应于图1
‑
图2的 ac电源108。在图3中，ls1 304代表图1
‑
图2的l1 114。在图3中，ls2 306 代表图1
‑
图2的l2 116。在图3中，s1 308代表图1
‑
图2的d1 122。在图3 中，s3 310代表图1
‑
图2的d2 124。在图3中，s7 312代表图1
‑
图2的da 126。在图3中，s8 314代表图1
‑
图2的db 128。例如，可以使用常关mosfet(例如，sic n沟道mosfet、si n沟道mosfet等)来仿真d1 122、d2 124、 da 126和db 128。
59.在图3的所示示例中，s2 316代表图1
‑
图2的q1 118。在图3中，s4 318 代表图1
‑
图2的q2 120。在图3中，cs 320代表图1
‑
图2的co 138。在图3 中，ro 322代表图1
‑
图2的功率转换器104和/或负载106。在图3中，rs 324 代表图1
‑
图2的rs 134。在图3中，pfc控制器326代表图2的控制器204。
60.响应于仿真和/或以其它方式执行图3的仿真电路300，pfc控制器326 测量诸如is 328和ineg 330的示例信号。在图3中，is 328代表由vs1 302 生成的到仿真电路300的输入电流。在图3中，ineg 330代表流过s7 312或 s8 314中的至少一个的返回电流(例如，负返回电流)。
61.图4是与图3的仿真电路300相关联的示例电流测量结果402、404的曲线图400。例如，电流测量结果402、404可以对应于响应于执行图3的仿真电路300而生成的电流的测量
结果。
62.在图4的所示示例中，电流测量结果402、404包括第一示例波形402和第二示例波形404。在图4中，第一波形402对应于图3的is 328。在图4中，第二波形404对应于图3的ineg 330。有利地，因为图1
‑
图2的q1 118和 q2 120是gan fet，其具有与图1
‑
图2的da 126、db 128等的正向电压相比显著更高的vsd，因此da 126和/或db 128传导输入电流的相当一部分，和 /或以其他方式传导输入电流的全部或整体，如图4中所示。
63.图5是示例pfc电路500的示意图。在图5中，pfc电路500是双升压半无桥pfc电路。在图5中，pfc电路500包括图1
‑
图2的ac电源108、线路输入110、中性输入112、l1 114、l2 116、d1 122、d2 124、da 126、 db 128、dc 130、de 132、co 138和参考轨140。
64.在图5的所示示例中，pfc电路500包括两个示例操作单元502、504，在线路输入110为高时的半线周期内或者在中性输入112为高时的半线周期内，该两个示例操作单元502、504以升压开关模式操作。图5的操作单元502、 504包括第三示例操作单元502和第四示例操作单元506。在图5中，第三操作单元502耦合至第四操作单元504。在图5中，第三操作单元502包括第三示例晶体管(q3)506和d1 122。第四操作单元504包括第四示例晶体管(q4) 508和d2 124。例如，在线路输入110为高时的半线周期内，q3 506和d1 122 可以以升压开关模式操作。在此类示例中，在另一半线周期上，当中性输入 112为高时，q4 508和d2 124以升压开关模式操作。在图5中，pfc电路500 包括代表一个或多个负载的示例负载(ro)509。例如，ro 509可以对应于图 1
‑
图2的功率转换器104或负载106中的至少一个。
65.在图5的所示示例中，q3 506和q4 508是硅n沟道mosfet。例如， q3 506和q4 508可以具有在1
‑
1.7v范围内的vds。在此类示例中，q3 506 的vds可以由第一示例体二极管510表示，并且q4 508的vds可以由第二示例体二极管512表示。
66.图6是描绘了图5的pfc电路500中的示例电流602、604、606的流动的示例电流流动图600的示意图。例如，可以响应于对图5的pfc电路500 的操作、启用等来生成电流602、604、606。在图6中，电流602、604、606 包括第一示例电流(i1)602、第二示例电流(i2)604和第三示例电流(i3) 606。
67.在示例操作中，在线路输入110为高时的半线周期(例如，q3 506和/或 q4 508被关断和/或以其它方式未启用)期间，电流从线路输入110经由两个不同的电流路径流向中性输入112。例如，i1 602可以被划分和/或以其它方式分成i2 604和i3 606。在此类示例中，电流可以沿着第一电流流动路径流动，该第一电流流动路径对应于从线路输入110经由l1 114、d1 122、co 138和 q4 508的第二体二极管512流到中性输入112的电流。在图6中，电流可以沿着第二电流流动路径流动，该第二电流流动路径对应于从线路输入110经由l1 114、d1 122、co 138和db 128流向中性输入112的电流。
68.在图6的所示示例中，由于q4 508的vds基本上类似于da 126和/或 db 128的正向电压，因此q4 508的第二体二极管512传导i1 602的第一部分。因此，db 128可以仅传导i1 602的第二部分，其中i1 602的第二部分可以与 i1 602的第一部分不同。由于q4 508传导i1 602的第一部分，因此沿着返回电流路径放置感测电阻器(诸如图1
‑
图2中的rs 134)仅可以测量i1 602的第二部分。有利地，图1的pfc电路102和/或图2的第二pfc电路202可以经由rs 134测量总返回电流(例如，i1 602)的全部，而图5
‑
图6的pfc电路500仅可以测量总返回电流的一部分(例如第二部分)。
69.在图6的所示示例中，总返回电流的第一部分传导通过第二体二极管512，并且因此感测电阻器(诸如图1
‑
图2中的rs 134)不能用于测量与l1 114或 l2 116中的至少一个相关联的总电感器电流(例如，流过l1 114或l2 116中的至少一个的电流)。由于图5
‑
图6的pfc电路500不能经由诸如rs 134的感测电阻器感测和/或以其它方式测量总电感器电流，因此与图1的pfc电路 102、图2的第二pfc电路202等相比，可能需要一个或多个电流互感器、一个或多个霍尔效应传感器及相关组件等。
70.图7是用于测量与图5
‑
图6的pfc电路500相关联的电流的示例仿真电路700的示意图。例如，仿真电路700可以代表基于计算机的模型，该模型在由诸如一个或多个处理器的硬件执行时可以对仿真电路700的操作进行仿真。在此类示例中，仿真电路700可以对应于图5
‑
图6的pfc电路500的基于计算机的模型、仿真等。
71.在图7的所示示例中，vs1 702代表和/或以其它方式对应于图1
‑
图2和图5
‑
图6的ac电源108。在图7中，ls1 704代表图1
‑
图2和图5
‑
图6的l1114。在图7中，ls2 706代表图1
‑
图2和图5
‑
图6的l2 116。在图7中，s1 708 代表图1
‑
图2和图5
‑
图6的d1 122。在图7中，s3 710代表图1
‑
图2和图5
‑ꢀ
图6的d2 124。在图7中，s7 712代表图1
‑
图2和图5
‑
图6的da 126。在图 7中，s8 714代表图1
‑
图2和图5
‑
图6的db 128。例如，可以使用n沟道 mosfet(例如，sic n沟道mosfet、si n沟道mosfet等)来仿真d1 122、 d2 124、da 126和db 128。
72.在图7的所示示例中，s2 716代表图5
‑
图6的q3 506。在图7中，s4 718 代表图5
‑
图6的q4 508。在图7中，cs 720代表图1
‑
图2和图5
‑
图6的co 138。在图7中，ro 722代表图1
‑
图2和图5
‑
图6的功率转换器104和/或负载106。在图7中，rs 724代表感测电阻器，诸如沿着图5
‑
图6的电流返回路径放置、安装等的图1
‑
图2的rs 134。例如，rs 724可以耦合至db 128的阳极、q3 506 的源极端子和q4 508的源极端子。在图7中，pfc控制器726代表图2的控制器204。
73.响应于仿真和/或以其它方式执行图7的仿真电路700，pfc控制器726 测量示例信号，诸如is 728和ineg 730。在图7中，is 728代表由vs1 702生成的到仿真电路700的输入电流。在图7中，ineg 730代表流过s7 712或s8714中的至少一个的返回电流(例如，负返回电流)。
74.图8是与图7的仿真电路700相关联的示例电流测量结果802、804的曲线图800。例如，电流测量结果802、804可以对应于响应于执行图7的仿真电路700而生成的电流的测量结果。
75.在图8的所示示例中，电流测量结果802、804包括第三示例波形802和第四示例波形804。在图8中，第三波形802对应于图7的is 728。在图8中，第四波形804对应于图7的ineg 730。因为图5
‑
图6的q3 506和q4 508是具有与图1
‑
图2和图5
‑
图6的da 126、db 128等的正向电压基本上相似的 vsd的si mosfet，所以图5
‑
图6的第二体二极管512传导is 728的第一部分，其使图7的rs 724仅感测is 728的第二部分，其中第二部分不同于第一部分。有利地，与图7的仅is 728的第二部分(如图7中所描绘的)相比，图1的pfc电路102和/或图2的第二pfc电路202使得能够测量图3的is 328 的全部(如图4中所描绘的)。相应地，图5
‑
图6的pfc电路500不能在电流返回路径中使用诸如图1
‑
图2的rs 134的感测电阻器用于电流感测或测量，因为仅可以测量is 728的第二部分。
76.图9a
‑
图9b描绘了包括示例pfc电路902和示例控制器904的示例pfc 系统900的示
意图。例如，图9b的控制器904可以对应于图2的控制器204。在图9a
‑
图9b中，pfc电路902耦合至控制器904。pfc电路902是图5
‑
图 6的pfc电路500的示例实施方式。在图9a中，pfc电路902是双升压半无桥pfc电路。在图9a中，pfc电路902包括图1
‑
图2和图5
‑
图6的ac电源108、线路输入110、中性输入112、l1 114、l2 116、d1 122、d2 124、 da 126、db 128、dc 130、de 132、co 138和参考轨140、图3的ro 322，以及图5
‑
图6的q3 506、q4 508、第一体二极管510和第二体二极管512。
77.在图9a
‑
图9b的所示示例中，pfc电路902耦合至控制器904。在图9a
‑ꢀ
图9b中，控制器904经由第一示例电流传感器906确定流过l1 114的第一电流。在图9a
‑
图9b中，控制器904经由第二示例电流传感器908确定流过 l2 116的第二电流。在图9a中，第一电流传感器906和第二电流传感器908 是包括互感器、电阻器和二极管的电流互感器电路。例如，控制器904可以通过测量在控制器904的第一输入(csa)处的第一电流来测量与流过l1 114 的第一电流(例如，第一输入电流)相关联的第一电流。在此类示例中，控制器904可以通过测量在控制器904的第二输入(csb)处的第二电流来测量与流过l2 116的第二电流(例如，第二输入电流)相关联的第二电流。
78.在图9a的所示示例中，由于l1 114和l2 116的电感器端子相对于参考轨140浮置并且电流在l1 114和l2 116之间不均等地分配，所以诸如图1
‑ꢀ
图2的rs 134的感测电阻器不能用于测量流过l1 114或l2 116中至少一个的输入电流。有利地，图1的pfc电路102和/或图2的第二pfc电路202 是对图9a的pfc电路902的改善，因为与图1
‑
图2的rs 134相比，图9a 的电流传感器906、908在大小上显著更大，在成本上显著更昂贵等。
79.在图10中示出了代表用于实现图2的控制器204和/或图1的功率转换系统100的示例硬件逻辑、机器可读指令、硬件实现的状态机和/或其任何组合的流程图。机器可读指令可以是一个或多个可执行程序或可执行程序的一部分，以由一个或多个模拟或数字电路、逻辑电路、(一个或多个)可编程处理器、(一个或多个)可编程控制器、(一个或多个)gpu、(一个或多个)dsp、 (一个或多个)asic、(一个或多个)pld和/或(一个或多个)fpld执行。程序可以体现在存储在非暂态计算机可读存储介质上的软件中，该非暂态计算机可读存储介质诸如非易失性存储器(例如，只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、闪存等)、易失性存储器(例如，同步动态随机存取存储器(sdram)、动态随机存取存储器(dram)等和/或任何其它类型的随机存取存储器(ram)设备)等。此外，虽然参考图10中所示的流程图描述了示例程序，但是可以替代地使用实现示例控制器204和/或功率转换系统100的许多其它方法。例如，可以改变框的执行顺序，和/或可以改变、消除或组合所描述的一些框。附加地或可替代地，任何或所有框可以由被构造成执行对应的操作而无需执行软件或固件的一个或多个硬件电路 (例如，分立和/或集成的模拟和/或数字电路、fpga、asic、比较器、运算放大器(op
‑
amp)、逻辑电路等)实现。
80.本文描述的机器可读指令可以以压缩格式、加密格式、分段格式、编译格式、可执行格式、打包格式等中的一种或多种存储。本文描述的机器可读指令可以被存储为可以用于创建、制造和/或产生机器可执行指令的数据(例如，指令的一部分、代码、代码的表示等)。例如，机器可读指令可以被分段并且存储在一个或多个存储设备和/或计算设备(例如，服务器)上。机器可读指令可能需要安装、修改、改编、更新、合并、补充、配置、解密、解压缩、解包、分发、重新分配、编译等中的一项或多项，以便使其直接可读、可解释和/或可由计
算设备和/或其它机器执行。例如，机器可读指令可以存储在多个部分中，该多个部分被分别压缩、加密并存储在分开的计算设备上，其中该部分在解密、解压缩和组合时形成了实现程序(诸如本文所述的程序) 的一组可执行指令。
81.在另一示例中，机器可读指令可以在以下状态下存储，在该状态中，机器可读指令可以被计算机的一个或多个处理器读取，但是需要添加库(例如，动态链接库(dll))、软件开发套件(sdk)、应用编程接口(api)等，以便在特定计算设备或其它设备上执行指令。在另一个示例中，在机器可读指令和/或对应的(一个或多个)程序可以整体或部分执行之前，可能需要配置机器可读指令(例如，存储的设置、数据输入、记录的网络地址等)。因此，所公开的机器可读指令和/或对应的(一个或多个)程序旨在涵盖此类机器可读指令和/或(一个或多个)程序，无论机器可读指令和/或(一个或多个)程序在存储时或以其它方式在静止或运输时的特定格式或状态如何。
82.本文描述的机器可读指令可以由任何过去、现在或将来的指令语言、脚本语言、编程语言等来表示。例如，可以使用以下任何一种语言来表示机器可读指令：c、c++、java、c#、perl、python、javascript、超文本标记语言 (html)、结构化查询语言(sql)、swift等。
83.如上所述，图10的示例过程可以使用存储在非暂态计算机和/或机器可读介质(诸如非易失性存储器、易失性存储器等)和/或在其中存储信息任何持续时间(例如，延长的时间段、永久的、短暂的时刻、临时缓冲和/或信息的高速缓存)的任何其它存储设备或存储盘上的可执行指令(例如，计算机和/ 或机器可读指令)来实现。如本文所使用的，术语“非暂态计算机可读介质”被明确定义为包括任何类型的计算机可读存储设备和/或存储盘，并且排除传播信号并排除传输介质。
[0084]“包括”和“包含”(及其所有形式和时态)在本文中用作开放式术语。因此，每当权利要求采用任何形式的“包括”或“包含”(例如，包含了、包括了、正包含、正包括、具有等)作为前序或在任何种类的权利要求记载中时，应理解为在不超出对应的权利要求或记载的范围的情况下，可以存在附加元素、术语等。如本文所使用的，当例如在权利要求的前序中使用短语“至少”作为过渡术语时，其以与术语“包含”和“包括”是开放式的相同的方式是开放式的。当例如以诸如a、b和/或c的形式使用时，术语“和/或”是指a、b、c的任何组合或子集，诸如(1)单独的a；(2)单独的b；(3) 单独的c；(4)a与b；(5)a与c；(6)b与c；以及(7)a与b与c。如本文在描述结构、组件、物品、对象和/或事物的上下文中所使用的，短语“a和b中的至少一个”旨在指代包括以下中的任何一种的实施方式：(1) 至少一个a；(2)至少一个b；以及(3)至少一个a和至少一个b。类似地，如本文在描述结构、组件、物品、对象和/或事物的上下文中所使用的，短语“a或b中的至少一个”旨在指代包括以下中的任何一种的实施方式：(1) 至少一个a；(2)至少一个b；以及(3)至少一个a和至少一个b。如本文在描述过程、指令、动作、活动和/或步骤的实行或执行的上下文中所使用的，短语“a和b中的至少一个”旨在指代包括以下中的任何一种的实施方式：(1) 至少一个a；(2)至少一个b；以及(3)至少一个a和至少一个b。类似地，如本文在描述过程、指令、动作、活动和/或步骤的实行或执行的上下文中所使用的，短语“a或b中的至少一个”旨在指代包括以下中的任何一种的实施方式：(1)至少一个a；(2)至少一个b；以及(3)至少一个a和至少一个b。
[0085]
如本文所使用的，单数引用(例如，“一”、“一个”、“第一”、“第二”等) 不排除多个。如本文所使用的，术语“一”或“一个”实体是指该实体中的一个或多个。术语“一”(或“一
个”)、“一个或多个”和“至少一个”在本文中可以互换使用。此外，尽管被单独列出，但是多个构件、元件或方法动作可以由例如单个单元或处理器来实现。另外，尽管各个特征可以被包括在不同的示例或权利要求中，但是这些特征可以被组合，并且包括在不同的示例或权利要求中并不意味着特征的组合是不可行和/或不利的。
[0086]
图10是代表示例过程1000的流程图，该示例过程1000可在利用可以被执行(例如由图2的控制器204执行)以实现图1的功率转换系统100的机器可读指令和/或被配置为实现图1的功率转换系统100的硬件的同时被执行。图10的流程图在框1002处开始，在框1002处，控制器204确定是否关断(一个或多个)晶体管。例如，控制器204可以基于在图2的vsense 212、vin224等处确定的(一个或多个)电压来确定关断图1
‑
图2的q1 118和/或q2 120。
[0087]
如果在框1002处，控制器204确定不关断(一个或多个)晶体管，则控制在框1002处等待。如果在框1002处，控制器204确定关断(一个或多个) 晶体管，则在框1004处，控制器204关断(一个或多个)晶体管。例如，控制器204可以通过经由图2的gate1 242调节q1 118的栅极118g的栅极电压来关断q1 118。
[0088]
在框1006处，控制器204测量来自电流返回路径中包括的感测电阻器的电流。例如，控制器204可以经由图2的isense 230测量流过图1
‑
图2的 rs 134的返回电流。在此类示例中，控制器204可以基于比较返回电流和由图2的vin 224确定的输入电流参考，来确定图1
‑
图2的ac电源108的输入电压和输入电流异相。有利地，与其它笨重的(例如，相当大的)和昂贵的(例如，在财政上或金钱上昂贵的)电流感测方法(诸如电流互感器、霍尔效应传感器等)相比，控制器204可以经由rs 134感测、测量和/或以其它方式确定全部返回电流。
[0089]
在框1008处，控制器204基于来自感测电阻器的测量电流来确定是否导通(一个或多个)晶体管。例如，控制器204可以基于与rs 134相关联的返回电流来确定(1)经由gate1 242导通q1 118，(2)经由图2的gate2 242 导通q2 120等，和/或其组合。在此类示例中，控制器204可以确定导通q1 118 和/或q2 120以降低图1
‑
图2的co 138的充电速率，以使ac电源108的输入电流和输入电压能够收敛于相同的相位，并且从而改善图1的功率转换系统100、图2的功率转换系统200等的pf。在其它示例中，控制器204可以基于与rs 134相关联的返回电流来确定(1)经由gate1 242关断q1 118， (2)经由图2的gate2 242关断q2 120等，和/或其组合。在此类示例中，控制器204可以确定关断q1 118和/或q2 120以增加图1
‑
图2的co 138的充电速率，以使ac电源108的输入电流和输入电压能够收敛于相同的相位，并且从而改善图1的功率转换系统100、图2的功率转换系统200等的pf。
[0090]
如果在框1008处，控制器204基于来自感测电阻器的测量电流确定不导通(一个或多个)晶体管，则控制在框1008处等待。如果在框1008处，控制器204基于来自感测电阻器的测量电流确定导通(一个或多个)晶体管，则在框1010处，控制器204导通(一个或多个)晶体管。例如，控制器204 可以(1)经由gate1 242导通q1 118，(2)经由图2的gate2 242导通q2120等，和/或其组合。响应于在框1010处导通(一个或多个)晶体管，控制返回到框1002以确定是否关断(一个或多个)晶体管。
[0091]
根据前述内容，将理解的是，已经公开了改善pfc电路的操作的示例系统、方法、装置和制品。有利地，本文公开的系统、方法、装置和制品可以使用感测电阻器代替更笨重的和/或更昂贵的组件来测量来自一个或多个电感器的总返回电流。有利地，在本文公开的示
例中使用感测电阻器改善了pfc 电路的功率环路，因为可以从功率环路路径中消除诸如电流互感器的电路组件。有利地，本文公开的示例系统、方法、装置和制品利用具有比一个或多个返回二极管的(一个或多个)正向电压显著更高的vds的gan fet，这使全部返回电流流过一个多个返回二极管而不是gan fet。因此，本文公开的示例系统、方法、装置和制品是对利用si mosfet的传统pfc电路的改善。
[0092]
本文公开了用于功率因数校正电路中的电流感测的示例方法、装置、系统和制品。其它示例及其组合包括以下内容：
[0093]
示例1包括一种电源电路，该电源电路包括：第一氮化镓(gan)晶体管，其具有第一电流端子和第二电流端子；第二gan晶体管，其具有第三电流端子和第四电流端子；第一二极管，其具有第一阳极；第二二极管，其具有第二阳极，第二阳极耦合至第一阳极；以及电阻器，其具有第一端子和第二端子，第一端子耦合至第二电流端子和第四电流端子，第二端子耦合至第一阳极和第二阳极。
[0094]
示例2包括示例1的电源电路，其中电源电路是双升压半无桥功率因数校正电路。
[0095]
示例3包括示例1的电源电路，其中第一二极管和第二二极管是碳化硅二极管。
[0096]
示例4包括示例1的电源电路，其中第二电流端子和第四电流端子是源极端子。
[0097]
示例5包括示例1的电源电路，其中第一gan晶体管和第二gan晶体管是耗尽型gan场效应晶体管。
[0098]
示例6包括示例1的电源电路，进一步包括：耦合至第一电感器的第一端子和第二端子；以及耦合至第二电感器的第三端子和第四端子，第二端子耦合至第一电流端子，第四端子耦合至第三电流端子。
[0099]
示例7包括示例6的电源电路，其中第一二极管具有第一阴极，并且第二二极管具有第二阴极，第一端子耦合至第一阴极，并且第三端子耦合至第二阴极，并且该电源电路进一步包括：第三二极管，其具有第三阳极，第三阳极耦合至第二端子和第一电流端子；以及第四二极管，其具有第四阳极，第四阳极耦合至第四端子和第三电流端子。
[0100]
示例8包括示例1的电源电路，进一步包括第一硅二极管和第二硅二极管，第一硅二极管耦合至第一电流端子，第二硅二极管耦合至第三电流端子。
[0101]
示例9包括示例1的电源电路，进一步包括：第三二极管，其具有第一阴极；第四二极管，其具有第二阴极；以及电容器，其耦合至第一阴极和第二阴极。
[0102]
示例10包括示例1的电源电路，其中电阻器是第一电阻器，并且该电源电路进一步包括：第二电阻器，其具有第三端子和第四端子，第三端子耦合至第二端子、第一阳极和第二阳极；以及控制器，其耦合至第四端子。
[0103]
示例11包括示例1的电源电路，其中第一gan晶体管具有第一栅极，并且第二gan晶体管具有第二栅极，并且该电源电路进一步包括耦合至第一栅极和第二栅极的控制器。
[0104]
示例12包括一种功率因数校正电路，该功率因数校正电路包括：第一氮化镓(gan)晶体管，其具有第一电流端子和第二电流端子；第二gan晶体管，其具有第三电流端子和第四电流端子；二极管，其具有阳极；电阻器，其具有第一端子和第二端子，第一端子耦合至第二电流端子和第四电流端子，第二端子耦合至阳极；以及控制器，其耦合至第二端子，控制器用于测量与流过电阻器和二极管的电流相对应的电压。
[0105]
示例13包括示例12的功率因数校正电路，其中第一gan晶体管和第二 gan晶体管
是耗尽型氮化镓场效应晶体管。
[0106]
示例14包括示例12的功率因数校正电路，该功率因数校正电路是双升压半无桥功率因数校正电路。
[0107]
示例15包括示例12的功率因数校正电路，其中电压是第一电压，电流是响应于控制器导通第一gan晶体管而具有第一值的第一电流，并且控制器用于测量与流过电阻器和二极管的第二电流相对应的第二电压，该第二电流响应于控制器关断第一gan晶体管而具有第二值，第二值大于第一值。
[0108]
示例16包括示例12的功率因数校正电路，其中二极管是第一二极管，阳极是第一阳极，第一二极管具有第一阴极，并且该功率因数校正电路进一步包括：第二二极管，其具有第二阳极和第二阴极，第二阳极耦合至第一端子；第三二极管，其具有第三阳极和第三阴极，第三阳极耦合至第一电流端子；第四二极管，其具有第四阳极和第四阴极，第四阳极耦合至第三电流端子，第四阴极耦合至第三阴极；以及电容器，电容器耦合至第三阴极和第四阴极。
[0109]
示例17包括一种功率转换系统，该功率转换系统包括功率转换器和耦合至功率转换器的功率因数校正电路，该功率因数校正电路包括：第一氮化镓 (gan)晶体管，其具有第一电流端子和第二电流端子；第二gan晶体管，其具有第三电流端子和第四电流端子；二极管，其具有阳极；以及电阻器，其具有第一端子和第二端子，第一端子耦合至第二电流端子和第四电流端子，第二端子耦合至阳极。
[0110]
示例18包括示例17的功率转换系统，其中功率因数校正电路是双升压半无桥功率因数校正电路，并且该功率转换系统进一步包括耦合至第二端子的控制器。
[0111]
示例19包括示例17的功率转换系统，其中第一gan晶体管和第二gan 晶体管是耗尽型氮化镓场效应晶体管。
[0112]
示例20包括示例17的功率转换系统，其中电阻器是第一电阻器，二极管是第一二极管，阳极是第一阳极，第一二极管具有第一阴极，并且功率因数校正电路包括：第二二极管，其具有第二阳极，第二阳极耦合至第二端子；第二电阻器，其具有第三端子和第四端子，第三端子耦合至第二端子、第一阳极和第二阳极；以及控制器，控制器耦合至第四端子，该控制器用于响应于关断第一gan晶体管而测量与流过第一电阻器的电流相对应的电压。
[0113]
尽管本文已经公开了某些示例系统、方法、装置和制品，但是本专利的覆盖范围不限于此。相反，该专利涵盖了完全落入本专利的权利要求范围内的所有系统、方法、装置和制品。
[0114]
所附权利要求据此通过引用结合到本具体实施方式中，其中每个权利要求独立地作为本实用新型的单独实施例。