一种点胶系统的电机驱动电路的制作方法

1.本实用新型涉及点胶技术领域，更具体的说，本实用新型涉及一种点胶系统的电机驱动电路。


背景技术：

2.在智能点胶系统里面会使用到直流电机对相应的部件进行控制和移动。特别是精密的点胶系统里面对位移的控制更加严格，只有控制好相应的点胶部件，才能进行精细的点胶作业。同时点胶系统内部构成模块比较复杂，经常有很强的干扰存在，对内部电路的抗干扰性和稳定性要求比较高。


技术实现要素：

3.为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种点胶系统的电机驱动电路，基于对多个mos管的开关控制，实现对电机正转和反转的控制。
4.本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种点胶系统的电机驱动电路，其改进之处在于，包括第一信号控制端、第一半桥驱动电路、第二信号控制端、第二半桥驱动电路、mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4以及电机；
5.所述的第一信号控制端连接在第一半桥驱动电路上，第二信号控制端连接在第二半桥驱动电路上，第一半桥驱动电路和第二半桥驱动电路分别具有两路信号输出端；所述mos管q1的栅极和mos管q3的栅极分别与第一半桥驱动电路的两路信号输出端相连接，所述mos管q2的栅极和mos管q4的栅极分别与第二半桥驱动电路的两路信号输出端相连接；
6.所述mos管q1的漏极同mos管q2的漏极相连接，且连接至驱动电源vcc2；mos管q1的源极与mos管q3的漏极电性连接，并形成第一供电端，mos管q2的源极与mos管q4的漏极电性连接，并形成第二供电端，所述的电机电性连接在第一供电端与第二供电端之间。
7.在上述的结构中，所述的第一半桥驱动电路和第二半桥驱动电路均具有电源输出端，且第一半桥驱动电路的电源输出端与第一供电端电性连接，第二半桥驱动电路的电源输出端与第二供电端电性连接。
8.在上述的结构中，所述的第一半桥驱动电路与第二半桥驱动电路的结构相同；其中，所述的第一半桥电路包括有芯片u2，该芯片u2具有hin引脚、sdn引脚、ho引脚、lo引脚以及vs引脚；
9.所述的第一控制信号端包括输出信号端ctr
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ah和状态控制信号端ctr
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al，输出信号端ctr
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ah连接至hin引脚，状态控制信号端ctr
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al连接至sdn引脚，ho引脚连接至mos管q1的栅极，lo引脚连接至mos管q3的栅极；
10.当hin引脚有信号输入时，sdn引脚的电平状态控制ho引脚和lo引脚的输出状态；当sdn引脚为高电平时，ho引脚的电平与hin引脚相同，lo引脚的电平与hin引脚相反；当sdn引脚为低电平时，ho引脚的电平与hin引脚相反，lo引脚的电平与hin相同；
11.所述芯片u2的vs引脚即为电源输出端。
12.在上述的结构中，所述的芯片u2还具有vcc引脚和vb引脚；
13.所述vcc引脚连接至供电端vcc1，vcc引脚与vb引脚之间设置有二极管d2，且二极管d2的正极端vcc引脚相连；
14.所述vb引脚与vs引脚之间设置有相并联的电容c2和电容c4。
15.在上述的结构中，所述点胶系统的电机驱动电路还包括mos管保护电路，该mos管保护电路包括肖特基二极管dz1、肖特基二极管dz2、肖特基二极管dz3以及肖特基二极管dz4；
16.所述肖特基二极管dz1和肖特基二极管dz2的负极端均连接至驱动电源vcc2；
17.所述肖特基二极管dz1的正极端同肖特基二极管dz3的负极端相连接后，连接至第一供电端；所述肖特基二极管dz2的正极端同肖特基二极管dz4的负极端相连接后，连接至第二供电端；
18.所述肖特基二极管dz3和肖特基二极管dz4的正极端均连接到接地端。
19.在上述的结构中，所述mos管q3的源极与接地端之间设置有采样电阻r10，mos管q4的源极与接地端之间设置有采样电阻r9。
20.本实用新型的有益效果是：通过主控mcu输出信号ctr
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ah、ctr
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al、ctr
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bh、以及ctr
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bl控制芯片u1和芯片u2的输出信号状态，从而控制mos管q1、q2、q3、q4的导通状态，对电机进行正转和反转控制。通过对mos的开关控制实现对电机的正转和反转控制，从而实现带动相关部件动作；
附图说明
21.图1为本实用新型的一种点胶系统的电机驱动电路的结构原理图。
具体实施方式
22.下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
23.以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。另外，专利中涉及到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本实用新型创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
24.参照图1所示，本实用新型揭示了一种点胶系统的电机驱动电路，具体的，包括第一信号控制端10、第一半桥驱动电路30、第二信号控制端20、第二半桥驱动电路40、mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4以及电机；第一信号控制端10和第二信号控制端20都是主控mcu输出的两组控制信号，本实施例中，第一控制信号端包括输出信号端ctr
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ah和状态控制信号端ctr
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al，同样的，第二信号控制端20包括输出信号端ctr
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bh和状态信号端ctr
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bl。第一半桥驱动电路30和第二半桥驱动电路40分别具有两路信号输出端，所述mos管q1的栅极和mos管q3的栅极分别与第一半桥驱动电路30的两路信号输出端相连接，所述mos管q2的栅极和mos管q4的栅极分别与第二半桥驱动电路40的两路信号输出端相连接；所述mos管q1的
漏极同mos管q2的漏极相连接，且连接至驱动电源vcc2；mos管q1的源极与mos管q3的漏极电性连接，并形成第一供电端301，mos管q2的源极与mos管q4的漏极电性连接，并形成第二供电端402，所述的电机电性连接在第一供电端301与第二供电端402之间。
25.进一步的，所述的第一信号控制端10连接在第一半桥驱动电路30上，第二信号控制端20连接在第二半桥驱动电路40上，第一半桥驱动电路30和第二半桥驱动电路40的基本电路相同，其中，第一半桥驱动电路30包括半桥驱动ic，本实施例中为芯片u2，如图1所示，该芯片u2具有hin引脚、sdn引脚、ho引脚、lo引脚以及vs引脚；输出信号端ctr
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ah连接至hin引脚，状态控制信号端ctr
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al连接至sdn引脚，ho引脚连接至mos管q1的栅极，lo引脚连接至mos管q3的栅极；同样的，第二半桥驱动电路40包括芯片u1，芯片u1也具有hin引脚、sdn引脚、ho引脚、lo引脚以及vs引脚；输出信号端ctr
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bh连接至hin引脚，状态控制信号端ctr
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bl连接至sdn引脚，ho引脚连接至mos管q2的栅极，lo引脚连接至mos管q4的栅极。该方案中，输出信号端ctr
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ah与hin引脚之间设置有电阻r4，状态控制信号端ctr
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al与sdn引脚之间设置有电阻r5，输出信号端ctr
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bh与hin引脚之间设置有电阻r3，状态控制信号端ctr
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bl与sdn引脚之间设置有电阻r6，电阻r3、电阻r4、电阻r5以及电阻r6起到了限流作用。
26.当hin引脚有信号输入时，sdn引脚的电平状态控制ho引脚和lo引脚的输出状态；当sdn引脚为高电平时，ho引脚的电平与hin引脚相同，lo引脚的电平与hin引脚相反；当sdn引脚为低电平时，ho引脚的电平与hin引脚相反，lo引脚的电平与hin相同。
27.在上述的实施例中，所述的第一半桥驱动电路30和第二半桥驱动电路40均具有电源输出端，且第一半桥驱动电路30的电源输出端与第一供电端301电性连接，第二半桥驱动电路40的电源输出端与第二供电端402电性连接；本实施例中，芯片u1的vs引脚和芯片u2的vs引脚即为电源输出端。
28.继续参照图1所示，所述的芯片u2还具有vcc引脚和vb引脚；所述vcc引脚连接至供电端vcc1，vcc引脚与vb引脚之间设置有二极管d2，且二极管d2的正极端vcc引脚相连；所述vb引脚与vs引脚之间设置有相并联的电容c2和电容c4。由于芯片u1的周边结构完全与芯片u2相同，因此本实施例中则不再赘述。参照图1，电源vcc1为芯片u1和芯片u2供电，二极管d1和d2起到防止反向导通作用，防止泵升电压损坏vcc1电源；电容c1、c2、c3、c4为泵升作用，为浮高驱动提高泵升电压作用，电阻r1，r2、r7、r8分别为mos管的驱动电阻，具有限流作用。
29.在上述的电路结构中，mos管q1，mos管q2，mos管q3，mos管q4为控制电机正转和反转的关键器件；电源vcc2提供驱动电源，当mos管q1和mos管q4导通，mos管q2和mos管q3断开时，电机正转；当mos管q1和mos管q4断开，mos管q2和mos管q3导通时，电机反转。mos管q1和mos管q3不能同时导通，mos管q2和mos管q4也是不能同时导通。
30.另外，本实施例中，所述点胶系统的电机驱动电路还包括mos管保护电路50，该mos管保护电路50包括肖特基二极管dz1、肖特基二极管dz2、肖特基二极管dz3以及肖特基二极管dz4；所述肖特基二极管dz1和肖特基二极管dz2的负极端均连接至驱动电源vcc2；所述肖特基二极管dz1的正极端同肖特基二极管dz3的负极端相连接后，连接至第一供电端301；所述肖特基二极管dz2的正极端同肖特基二极管dz4的负极端相连接后，连接至第二供电端402；所述肖特基二极管dz3和肖特基二极管dz4的正极端均连接到接地端。肖特基二极管dz1、dz2、dz3、dz4保护mos管作用，当磁性的电机进行导通和断开时，会产生高压容易损坏mos管；通过上述4个肖特基二极管把电压幅值限制到vcc2和gnd之间，从而保护mos管不被
损坏。
31.所述mos管q3的源极与接地端之间设置有采样电阻r10，mos管q4的源极与接地端之间设置有采样电阻r9，mos管q3的源极上连接有端口adc2，mos管q4的源极上连接有端口adc1，adc采样模块通过adc1和adc2的采样值判断电流是否到达保护阈值，当到达阈值时，进行保护操作。
32.本实用新型通过上述的结构，通过主控mcu输出信号ctr
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ah、ctr
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al、ctr
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bh、以及ctr
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bl控制芯片u1和芯片u2的输出信号状态，从而控制mos管q1、q2、q3、q4的导通状态，对电机进行正转和反转控制。通过对mos的开关控制实现对电机的正转和反转控制，从而实现带动相关部件动作；本发明使用mos作为电机的开关控制，能实现快速的电机动作控制，更重要的是使用次数寿命没有限制，理论上可以使用无穷次；同时开关动作时，没有振动的现象，不会带来电机的控制出现振动现象。
33.以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本技术权利要求所限定的范围内。