一种智能门锁保护电路的制作方法

1.本发明涉及智能门锁电路领域，特别涉及一种智能门锁保护电路


背景技术：

2.现有智能门锁均由外挂eeprom存储锁具用户信息，在锁具工作的过程中经常进行读写操作，若在写数据过程中出现掉电，则有几率导致存储数据异常，导致用户数据丢失，存在安全隐患。


技术实现要素：

3.本实用新型其中一个目的在于提供一种智能门锁保护电路，所述保护电路具有掉电检测电路，通过所述掉电检测电路中的mos管和电容对电路波动进行检测，当出现掉电情况时输出不同的电压来阻止控制器的读写操作，从而起到智能门锁电路保护的作用。
4.本实用新型另一个目的在于提供一种智能门锁保护电路，所述保护电路设有ldo稳压芯片，可以保障智能门锁电路输出电压的稳定性，减少电压波动对数据的影响。
5.本实用新型另一个目的在于提供一种智能门锁保护电路，所述保护电路内设有多个储能电容，当出现掉电情况时，储能电容可以有效地缓解电路的电压波动，减少对用户数据的影响。
6.为了实现至少一个上述实用新型目的，本实用新型进一步提供一种智能门锁保护电路，所述保护电路包括：
7.mcu控制器；
8.掉电检测电路；
9.电池模块；
10.ldo稳压芯片；
11.存储器；
12.其中所述mcu控制器连接所述连接所述掉电检测电路，所述电池模块连接所述mcu控制器，所述ldo稳压芯片连接所述掉电检测电路，且所述ldo稳压芯片连接电池模块。
13.根据本实用新型其中一个较佳实施例，所述电池模块的输出端连接两个分压电阻，所述分压电阻为第二电阻和第五电阻，所述第四电阻和第五电串联连接，所述第四电阻和第五电阻之间的输出端连接所述mcu控制器的adc采样引脚。
14.根据本实用新型另一个较佳实施例，所述电池模块还连接第一二极管阳极，所述第一二极管阴极连接存储电容的输入端。
15.根据本实用新型另一个较佳实施例，所述存储电容的输出端连接所述ldo稳压芯片。
16.根据本实用新型另一个较佳实施例，所述电池模块还连接第一电容的输入端，所述第一电容的输出端分别连接第三电阻和第二二极管输入端，其中所述第二二极管阴极，所述第二二极管阳极连接第一电阻和mos管的栅极。
17.根据本实用新型另一个较佳实施例，所述mos管的源极连接模拟信号电源和所述第一电阻。
18.根据本实用新型另一个较佳实施例，所述mos管的漏极连接第四电阻一端，所述第四电阻另一端接地。
19.根据本实用新型另一个较佳实施例，所述mos管的漏极具有控制信号线，所述控制信号线连接存储器的保护引脚。
20.根据本实用新型另一个较佳实施例，所述第一电容的电容量为10uf。
21.根据本实用新型另一个较佳实施例，所述存储器为eeprom存储芯片。
附图说明
22.图1为本实用新型一种智能门锁掉电保护电路的模块示意图。
23.图2为本实用新型中核心电路结构示意图。
24.图3为本实用新型中掉电检测电路的结构示意图。
25.图4为本实用新型中存储器的电路连接示意图。
具体实施方式
26.以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。
27.本领域技术人员应理解的是，在本实用新型的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本实用新型的限制。
28.可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
29.请结合图1-图4，本实用新型公开了一种智能门锁掉电保护电路，主要包括电池模块、掉电检测电路、ldo稳压芯片、存储器和mcu控制器，其中所述电池模块连接掉电检测电路、mcu控制器和ldo稳压芯片，所述掉电检测电路连接所述mcu控制器控制器，且所述ldo稳压芯片也连接所述mcu控制器，当所述掉电检测电路获取电池模块的电压信号时，判断电压信号的变化，根据电压信号的变化来判断掉电情况，所述mcu控制器连接所述存储器，通过判断存在掉电情况来控制所述存储的读写操作，从而减少用户数据在读写过程中造成数据丢失的现象。
30.具体的，请结合图2显示的本实用新型提的核心电路示意图，在该电路示意图中，电池电压为bat，j1为电池接口，d1表示第一二极管，bat_div表示电池分压，电池输入端连接所述第一二极管d1和两个分压电阻，其中所述第一二极管d1和分压电阻之间并联，两个分压电阻之间串联，所述分压电阻包括第二电阻r2和第五电阻r5，在所述第二电阻r2和第
五电阻r5之间具有分压线缆，所述分压线缆连接mcu控制器的adc(模/数转换器)采样引脚，用于模拟信号转换成数字信号的采样处理。
31.所述电池输入端连接第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接多个并联的储能电容相同的一端，分别为第二电容c2、第三电容c3、第四电容c4。所述多个储能电容连接ldo稳压芯片，从而使得最终向所述mcu控制器和掉电检测电路输出约3.3v的稳压电源。
32.请参考图3显示的掉电检测电路，在该电路中，电池模块连接第一电容c1一端，所述第一电容c1另一端连接第三电阻r3和第二二极管d2，其中所述第三电阻r3和第二二极管d2并联连接，所述第一电容c1的另一端和所述第二二极管d2的阳极连接，所述第二二极管d2的阴极连接第一电阻r1和mos管，其中所述第一电阻和mos管q1并联连接，所述第一电阻r1的一端连接所述mos管q1的栅极，另一端连接所述mos管q1的源极，所述mos管q1的漏极连接一个第四电阻r4，所述第四电阻r4和第三电阻r3均接地。所述mos管q1的源极连接模拟信号电源vcc。所述mos管q1的漏极连接一个控制信号线，所述控制信号线连接存储器的保护引脚，通过所述mos管q1的漏极输出信号控制存储器的读写。
33.请结合图3-4，本实用新型基于电路结构提供一种掉电保护的控制方法和原理：
34.当电池存在时电池电压bta为高电平，c1电容饱和状态，mos管q1栅极由第一电阻r1上拉至vcc，同时经第二二极管d2和第三电阻r3下拉至gng，此时mos管q1的栅极处于截止状态，wp低电平。
35.当电池拔掉瞬间，电池电压bat为低电平，第一电容c1开始放电，电流从vcc流经第二二极管d2进入第一电容c1，产生毫秒级别的低电平脉冲，mos管q1被导通，wp变为高电平。由于电池掉电，后端储能电容被消耗，vcc也逐渐掉电。
36.关键器件第二二极管d2的作用在于：当电池电压bat由于系统大电流产生电压波动时，第一电容c1两端产生较小幅度的电势变化，当mos管q1栅极过二极管压降后保护mos开关不被导通，当直接移除电池电压bat为0时才会触发开关。
37.请参考图4，wp为存储器的保护引脚，所述保护引脚通过上述控制信号线连接，当wp引脚为高电平时，存储器不允许执行读写操作，只有当wp引脚被下拉到低电平才允许正常的读写操作，并且vcc模拟电源连接存储芯片，在断电过程中，vcc供电消耗，mcu和存储芯片逐渐掉电。
38.本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本实用新型的实施例只作为举例而并不限制本实用新型，本实用新型的目的已经完整并有效地实现，本实用新型的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本实用新型的实施方式可以有任何变形或修改。