一种驱动电路的制作方法

1.本技术涉及电力电子领域，特别是涉及一种驱动电路。


背景技术：

2.伴随着电力电子器件的不断发展，电力电子技术被广泛应用于电源、逆变器和变频器等诸多新能源领域。电力电子拓扑的基本工作原理为：通过驱动电路控制开关管的高频导通和关断，进而实现调压、调频、整流和逆变等功能。可见，驱动电路对整个电路的正常运行至关重要。
3.驱动电路通常由驱动芯片和驱动电阻组成。图1为本技术所提供的一种boost升压电路的结构图，例如，以boost升压电路为例，如图1所示，boost升压电路由主电路、数字信号处理(digital signal processing，简称dsp)芯片和驱动电路组成。其中，主电路由电压源dc、电容c1、电流传感器hct1、电感l1、二极管d1、电容c2、电阻r2和开关管q1组成。驱动电路包括驱动芯片u1和驱动电阻r1，dsp芯片的输出端与驱动芯片u1的输入端连接，驱动芯片u1的输出端与驱动电阻r1的一端连接，驱动电阻r1的另一端与开关管q1的控制端连接。
4.当dsp芯片输出的控制信号为高电平时，驱动芯片u1输出的电压为vcc，开关管q1导通，当dsp芯片输出的控制信号为低电平时，驱动芯片u1输出的电压为0，开关管q1关断。开关管q1在导通和关断时会产生开关损耗，由于驱动电阻r1的阻值与开关速度成正比，驱动电阻r1的阻值越小，开关速度越快，开关管q1所产生的开关损耗越小。然而，在开关管q1关断时，由于线路和开关管q1中会产生寄生电感lg，导致开关管q1源极和漏极间产生关断的尖峰电压vp，其中，vp＝(lg*di)/dt，可见尖峰电压vp与关断速度成正比，关断速度越快，尖峰电压vp越大，较大的尖峰电压vp会增大开关管q1的电压应力，甚至损坏开关管q1。
5.所以选择合适的驱动电阻r1对于整个电路的效率和可靠性及其重要，若选择较小阻值的驱动电阻r1，虽然可以提高开关速度，降低开关损耗，但会产生较高的尖峰电压vp，进而损坏开关管q1。若为了降低尖峰电压vp，选择较大阻值的驱动电阻r1，虽然可以降低开关管q1的电压应力，但又会增加开关管q1的开关损耗，从而降低电路的整体工作效率。目前，无法同时兼顾开关管q1的开关损耗和电压应力。
6.由此可见，如何降低开关管开关损耗的同时，降低开关管的电压应力，避免开关管被损坏，提高驱动电路的工作效率和可靠性，是本领域技术人员亟待解决的问题。


技术实现要素：

7.本技术的目的是提供一种驱动电路，驱动芯片在接收第一控制信号时，控制开关单元导通，此时驱动电阻为阻值小的第二电阻，即降低驱动电阻的阻值以降低目标开关管的开关损耗。接收到第二控制信号时，控制开关单元关断，此时驱动电阻为阻值大的第一电阻，即增大驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管的电压应力，进而同时兼顾开关损耗和电压应力，提高驱动电路的工作效率和可靠性。
8.为解决上述技术问题，本技术提供一种驱动电路，
9.包括：驱动芯片，开关单元，第一电阻和第二电阻；
10.所述驱动芯片的第一输出端与所述开关单元的控制端连接，所述驱动芯片的第二输出端与所述开关单元的第一连接端连接，所述开关单元的第二连接端与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第一电阻的一端连接的公共端与目标开关管的控制端连接，所述第一电阻的另一端与所述开关单元的第一连接端连接；其中，所述第一电阻的阻值远大于所述第二电阻的阻值；
11.所述驱动芯片用于在接收到dsp芯片的第一控制信号时，控制所述开关单元导通以便使驱动电路的驱动电阻为所述第二电阻，在接收到所述dsp芯片的第二控制信号时，控制所述开关单元关断以便使所述驱动电路的驱动电阻为所述第一电阻。
12.优选地，所述驱动芯片包括第一驱动芯片和第二驱动芯片；
13.所述第一驱动芯片的输出端作为所述驱动芯片的第一输出端，所述第二驱动芯片的输出端作为所述驱动芯片的第二输出端。
14.优选地，所述开关单元为mos管，所述mos管的栅极作为所述开关单元的控制端，所述mos管的漏极作为所述开关单元的第一连接端，所述mos管的源极作为所述开关单元的第二连接端。
15.优选地，所述第二控制信号为所述目标开关管的保护电感的电感电流达到预设值时所产生的信号。
16.优选地，所述驱动芯片为ir2110驱动器。
17.优选地，所述开关单元为igbt晶体管和二极管；
18.所述igbt晶体管和所述二极管反并联的第一公共端作为所述开关单元的第一连接端，第二公共端作为所述开关管的第二连接端，所述igbt晶体管的控制端作为所述开关单元的控制端。
19.为了解决上述技术问题，本技术还提供了一种boost升压电路，包括上述的驱动电路。
20.本发明所提供的一种驱动电路，包括：驱动芯片，开关单元，第一电阻和第二电阻，驱动芯片的第一输出端与开关管的控制端连接，驱动芯片的第二输出端与开关管的第一连接端连接，开关管的第二连接端与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第一电阻的一端连接的公共端与目标开关管连接，第一电阻的另一端与开关管的第一连接端连接，其中，第一电阻的阻值远大于第二电阻的阻值。当驱动芯片接收到dsp芯片的第一控制信号时，控制开关单元导通，此时驱动电路的驱动电阻为第二电阻，当接收到dsp芯片的第二控制信号时，控制开关单元关断，此时驱动电路的驱动电阻为第一电阻。由此可见，本技术所提供的技术方案，当驱动芯片接收到第一控制信号控制开关单元导通时，驱动电路的驱动电阻为第二电阻，即降低驱动电阻的阻值以降低目标开关管的开关损耗，当驱动芯片接收到第二控制信号控制开关单元关断时，驱动电路的驱动电阻为第一电阻，即增大驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管的电压应力，避免目标开关管被损坏，提升驱动电路的工作效率和可靠性。
21.此外，本技术还提供了一种boost升压电路，包括上述的驱动电路，效果同上。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1为本技术所提供的一种boost升压电路的结构图；
24.图2为本技术实施例所提供的一种驱动电路的结构图；
25.图3为本技术另一实施例所提供的驱动电路的结构图；
26.图4为本技术另一实施例所提供的驱动电路的结构图；
27.附图标记如下：1为驱动芯片，2为开关单元，3为dsp芯片。
具体实施方式
28.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护范围。
29.本技术的核心是提供一种驱动电路，驱动芯片在接收到第一控制信号时，控制开关单元导通，保证驱动电阻为阻值低的第二电阻，进而降低驱动电阻的阻值以降低目标开关管的开关损耗。当驱动芯片接收第二控制信号时，控制开关单元关断，保证驱动电阻为阻值高的第一电阻，即增大驱动电阻的阻值以降低目标开关管的电压应力。
30.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。
31.伴随着电力电子器件的不断发展，电力电子技术被广泛应用于电源、逆变器和变频器等诸多新能源领域。电力电子拓扑的基本工作原理为：通过驱动电路控制开关管的高频导通和关断，进而实现调压、调频、整流和逆变等功能。可见，驱动电路对整个电路的正常运行至关重要。
32.驱动电路通常由驱动芯片和驱动电阻组成，例如，以boost升压电路为例，如图1所示，boost升压电路由主电路、dsp芯片和驱动电路组成。其中，主电路由电压源dc、电容c1、电流传感器hct1、电感l1、二极管d1、电容c2、电阻r2和开关管q1组成。驱动电路包括驱动芯片u1和驱动电阻r1，dsp芯片的输出端与驱动芯片u1的输入端连接，驱动芯片u1的输出端与驱动电阻r1的一端连接，驱动电阻r1的另一端与开关管q1的控制端连接。
33.当dsp芯片输出的控制信号为高电平时，驱动芯片u1输出的电压为vcc，开关管q1导通，当dsp芯片输出的控制信号为低电平时，驱动芯片u1输出的电压为0，开关管q1关断。开关管q1在导通和关断时会产生开关损耗，由于驱动电阻r1的阻值与开关速度成正比，驱动电阻r1的阻值越小，开关速度越快，开关管q1所产生的开关损耗越小。然而，在开关管q1关断时，由于线路和开关管q1中会产生寄生电感lg，导致开关管q1源极和漏极间产生关断的尖峰电压vp，其中，vp＝(lg*di)/dt，可见尖峰电压vp与关断速度成正比，关断速度越快，尖峰电压vp越大，较大的尖峰电压vp会增大开关管q1的电压应力，甚至损坏开关管q1。
34.所以选择合适的驱动电阻r1对于整个电路的效率和可靠性及其重要，若选择较小阻值的驱动电阻r1，虽然可以提高开关速度，降低开关损耗，但会产生较高的尖峰电压vp，
进而损坏开关管q1。若为了降低尖峰电压vp，选择较大阻值的驱动电阻r1，虽然可以降低开关管q1的电压应力，但又会增加开关管q1的开关损耗，从而降低电路的整体工作效率。目前，无法同时兼顾开关管q1的开关损耗和电压应力。
35.为了降低开关管的开关损耗的同时，降低开关管的电压应力，避免开关管损坏，即同时兼顾开关损耗和电压应力，本技术提供了一种驱动电路，驱动电路中的驱动芯片在接收到第一控制信号时，控制开关单元导通，此时驱动电阻为阻值小的第二电阻，即降低驱动电阻的阻值以降低目标开关管的开关损耗，当驱动芯片接收到第二控制信号时，控制开关单元关断，此时驱动电阻为阻值大的第一电阻，即增大驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管的电压应力，进而避免开关管损坏。
36.图2为本技术实施例所提供的一种驱动电路的结构图，如图2所示，该驱动电路包括：驱动芯片1，开关单元2，第一电阻r3和第二电阻r4。驱动芯片1的第一输出端与开关管的控制端连接，驱动芯片1的第二输出端与开关管的第一连接端连接，开关管的第二连接端与第二电阻r4的一端连接，第二电阻r4的另一端与第一电阻r3的一端连接的公共端与目标开关管q1的控制端连接，第一电阻r3的另一端与开关管的第一连接端连接，其中，第一电阻r3的阻值远大于第二电阻r4的阻值。
37.在具体实施中，当驱动芯片1接收到dsp芯片3传输的第一控制信号时，控制开关单元2导通，此时驱动电路的驱动电阻为阻值小的第二电阻r4，进而实现使用阻值小的驱动电阻以降低目标开关管q1的开关损耗。驱动芯片1在接收到dsp芯片3传输的第二控制信号时，控制开关单元2关断，此时驱动电路的驱动电阻为阻值大的第一电阻r3，进而实现使用阻值大的驱动电阻以降低目标开关管q1的电压应力，避免目标开关管q1损坏。
38.需要说明的是，本技术所提供的驱动电路对于应用的具体电路不作限定，为了便于理解，本实施例以boost升压电路为例进行详细说明。在电路正常运行时，目标开关管q1处于正常运行，即在周期内正常导通和关断时，dsp芯片3将第一控制信号发送至驱动芯片1，此时驱动芯片1通过第二输出端口控制目标开关管q1的导通和关断。可以理解的是，目标开关管q1在导通和关断时会产生开关损耗，由于驱动电阻的阻值与开关速度成正比，驱动电阻的阻值越小，开关速度越快，目标开关管q1所产生的开关损耗越小。因此，为了降低目标开关管q1的损耗，此时本技术提供的驱动电路中的驱动芯片1通过第一输出端控制开关单元2导通。值得注意的是，开关单元2可以是mos管，也可以是绝缘栅双极型(insulated gate bipolar transistor，简称igbt)晶体管和二极管反并联的结构。以mos管为例进行说明，如图2所示，当mos管q2导通时，由于mos管q2的寄生二极管导通对驱动电路中驱动电阻的大小影响很小，因此可以忽略不记，此时驱动电路的驱动电阻为(r3*r4)/(r3+r4)，又由于第一电阻r3的阻值远大于第二电阻r4的阻值，因此在mos管q2导通时，驱动电阻的阻值约等于第二电阻r4的阻值，即驱动电阻为第二电阻r4。由此，降低了驱动电阻的阻值，提升了目标开关管q1的开关速度，进而降低了目标开关管q1的开关损耗。
39.当dsp芯片3确定boost升压电路中的电流传感器采集的电流大小达到预设值时，即通过目标开关管q1的电感电流达到预设值时，可以理解的是，在目标开关管q1正常导通和关断时，由于线路和目标开关管q1中会产生寄生电感lg，导致目标开关管q1源极和漏极间产生关断的尖峰电压vp，且vp＝(lg*di)/dt，其中，dt为目标开关管q1的关断时间或速度，事实上，驱动电路所应用的具体电路结构确定时，寄生电感lg是固定的，当目标开关管
q1上的电感电流di达到预设值时，会产生导致目标开关管q1损坏的尖峰电压vp。因此，为了避免目标开关管q1损坏，此时dsp芯片3将第二控制信号传输至驱动芯片1，驱动芯片1通过第一输出端控制mos管q2关断，并通过第二输出端控制目标开关管q1提前关断，此时驱动电阻为第一电阻r3。由此，实现降低驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管q1的电压应力，避免目标开关管q1损坏。
40.事实上，驱动芯片1的第一输出端输出高电平时，可以控制开关单元2导通，输出低电平时，控制开关单元2关断。而驱动芯片1的第二输出端输出高电平时，可以控制目标开关管q1导通，输出低电平时，控制目标开关管q1关断。可以理解的是，当目标开关管q1正常工作时，驱动芯片1的第一输出端始终输出高电平，即始终控制开关单元2导通，而此时驱动芯片1的第二输出端在周期内通过切换高低电平控制目标开关管q1的导通和关断。当电路中电感电流过流保护，即目标开关管q1的电感电流达到预设值时，驱动芯片1第一输出端输出低电平控制开关单元2关断，且驱动芯片1的第二输出端同样也输出低电平，提前将目标开关管q1关断，达到保护目标开关管q1的目的。
41.可以理解的是，只要驱动芯片1有两个输出端口分别控制目标开关管q1和开关单元2的导通和关断即可，因此，驱动芯片1可以是一个具有两个输出端口的驱动芯片1，也可以是两个具有一个输出端口的驱动芯片1的组合，对此本技术不作限定。
42.当然，需要说明的是，驱动芯片1有必须有两个输出端口分别控制目标开关管q1和开关单元2的导通和关断，同样的需要两个输入端口，分别接收控制目标开关管q1和开关单元2的导通和关断的信号，即驱动芯片1包括第一输入端和第二输入端。dsp芯片3将第一控制信号传输至驱动芯片1时，即通过第一输入端输入高电平值至驱动芯片1，以便驱动芯片1通过第一输出端输出高电平控制开关单元2导通，并通过第二输入端不断切换输入高低电平至驱动芯片1，以便驱动芯片1通过第二输出端切换输出高低电平控制目标开关管q1的导通和关断。同理，当dsp芯片3将第二控制信号传输至驱动芯片1时，即通过第一输入端输入低电平值至驱动芯片1，以便驱动芯片1通过第一输出端输出低电平控制开关单元2关断，并通过第二输入端输入低电平至驱动芯片1，以便驱动芯片1通过第二输出端输出低电平控制目标开关管q1关断。
43.本技术实施例所提供的驱动电路，包括：驱动芯片，开关单元，第一电阻和第二电阻，驱动芯片的第一输出端与开关管的控制端连接，驱动芯片的第二输出端与开关管的第一连接端连接，开关管的第二连接端与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第一电阻的一端连接的公共端与目标开关管连接，第一电阻的另一端与开关管的第一连接端连接，其中，第一电阻的阻值远大于第二电阻的阻值。当驱动芯片接收到dsp芯片的第一控制信号时，控制开关单元导通，此时驱动电路的驱动电阻为第二电阻，当接收到dsp芯片的第二控制信号时，控制开关单元关断，此时驱动电路的驱动电阻为第一电阻。由此可见，本技术所提供的技术方案，当驱动芯片接收到第一控制信号控制开关单元导通时，驱动电路的驱动电阻为第二电阻，即降低驱动电阻的阻值以降低目标开关管的开关损耗，当驱动芯片接收到第二控制信号控制开关单元关断时，驱动电路的驱动电阻为第一电阻，即增大驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管的电压应力，避免目标开关管被损坏，提升驱动电路的工作效率和可靠性。
44.图3为本技术另一实施例所提供的驱动电路的结构图，可以理解的是，驱动芯片可
以是具有一个输出端的两个驱动芯片的组合，如图3所示，同样以boost升压电路，开关单元以mos管为例进行详细说明。boost升压电路由主电路、dsp芯片和驱动电路组成。其中，主电路由电压源dc、电容c1、电流传感器hct1、电感l1、二极管d1、电容c2、电阻r2和开关管q1组成。驱动芯片包括第一驱动芯片u2和第二驱动芯片u3，第一驱动芯片u2的输出端作为驱动芯片的第一输出端，第二驱动芯片u3的输出端作为驱动芯片的第二输出端。
45.在具体实施中，当电路正常运行时，目标开关管q1周期内正常导通和关断，dsp芯片将第一控制信号发送至驱动芯片，即通过第一输入端输入高电平值至第一驱动芯片u2，即opc1信号始终为高电平，此时第一驱动芯片u2通过第一输出端控制mos管q2始终导通，且第二驱动芯片u3通过第二输出端口控制目标开关管q1的导通和关断，即pwm1信号切换高低电平控制目标开关管q1的导通和关断。此时，驱动电阻为第二电阻r4，由此，降低了驱动电阻的阻值，提升了目标开关管q1的开关速度，进而降低了目标开关管q1的开关损耗。
46.当dsp芯片确定boost升压电路中的电流传感器采集的电流大小达到预设值时，即通过目标开关管q1的电感电流达到预设值时，dsp芯片将第二控制信号传输至驱动芯片，即通过第一输入端输入低电平值至第一驱动芯片u2，即opc1信号为低电平，此时第一驱动芯片u2通过第一输出端控制mos管q2关断，并通过第二输入端输入低电平至第二驱动芯片u3，第二驱动芯片u3通过第二输出端控制目标开关管q1提前关断，即pwm1信号切换为低电平，此时，驱动电阻为第一电阻r3，由此，实现降低驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管q1的电压应力，避免目标开关管q1损坏。
47.本技术实施例所提供的驱动电路，当驱动芯片接收到dsp发送的第一控制信号控制开关单元导通时，驱动电路的驱动电阻为第二电阻，进而降低驱动电阻的阻值以实现降低目标开关管的开关损耗的目的。当驱动芯片接收到第二控制信号控制开关单元关断时，驱动电路的驱动电阻为第一电阻，进而增大驱动电阻的阻值，降低目标开关管的电压应力，避免目标开关管被损坏，提升驱动电路的工作效率和可靠性。
48.在具体实施例中，开关单元可以是mos管，也可以是igbt晶体管和二极管的组合。从电路结构的复杂性角度出发，由于mos管自身会产生寄生二极管，无需增加额外的二极管进行连接，因此，优选使用mos管。当开关单元为mos管时，如图3所示，mos管q2的栅极作为开关单元的控制端，mos管q2的漏极作为开关单元的第一连接端，mos管q2的源极作为开关单元的第一连接端。
49.可以理解的是，当mos管q2导通时，mos管q2的寄生二极管导通对驱动电路中驱动电阻的大小影响很小，因此可以忽略不记，此时驱动电路的驱动电阻为(r3*r4)/(r3+r4)，又由于第一电阻r3的阻值远大于第二电阻r4的阻值，因此在mos管q2导通时，驱动电阻的阻值约等于第二电阻r4的阻值，即驱动电阻为第二电阻r4。当mos管q2关断时，驱动电阻为第二电阻r4。
50.本技术实施例所提供的驱动电路，驱动电阻使用mos管和两个电阻的组合结构，在目标开关管正常工作时，mos管导通，此时驱动电阻为两个电阻中阻值小的电阻，以便降低目标开关管的开关损耗。当目标开关管的电感电流达到预设值时，即尖峰电压过大时，mos管关断，此时驱动电阻为两个电阻中阻值大的电阻，进而避免目标开关管损坏。
51.可以理解的是，在实施中，目标开关管q1正常导通和关断时，由于线路和目标开关管q1中会产生寄生电感lg，导致目标开关管q1源极和漏极间产生关断的尖峰电压vp，且vp
＝(lg*di)/dt，其中，dt为目标开关管q1的关断时间或速度，当驱动电路所应用的具体电路结构确定时，寄生电感lg是固定的，当目标开关管q1上的电感电流di达到预设值时，会产生导致目标开关管q1损坏的尖峰电压vp。如图3所示，在boost升压电路中，电流传感器hct1与电感l1串联，且电感l1的另一端与目标开关管q1的源极连接，电流传感器hct1与dsp芯片连接，当目标开关管q1导通时，通过目标开关管q1的电流与电感l1上的电流相同，因此，当电流传感器hct1采集到电感l1的电流达到预设值时，确定产生的尖峰电压可能会损坏目标开关管q1，为了避免目标开关管q1损坏，此时dsp芯片将第二控制信号传输至驱动芯片。所以，可以理解的是，第二控制信号为目标开关管的保护电感的电感电流达到预设值时所产生的信号。
52.本技术实施例所提供的驱动电路，在目标开关管的保护电感的电感电流达到预设值时，此时dsp芯片将第二控制信号传输至驱动芯片，使驱动电阻为阻值大的第一电阻，进而避免目标开关管损坏，提升驱动电路的可靠性。
53.图4为本技术另一实施例所提供的驱动电路的结构图，当驱动芯片为具有两个输出端的一个芯片时，例如，驱动芯片为ir2110驱动器，如图4所示，驱动芯片u4具有两个输入端和两个输出端。
54.当电路正常运行时，目标开关管q1周期内正常导通和关断，dsp芯片将第一控制信号发送至驱动芯片u4，此时，opc1信号始终为高电平，驱动芯片u4通过第一输出端控制mos管q2始终导通，且通过第二输出端口控制目标开关管q1的导通和关断，即pwm1信号切换高低电平控制目标开关管q1的导通和关断。此时，驱动电阻为第二电阻r4，由此，降低驱动电阻的阻值，进而降低了目标开关管q1的开关损耗。
55.当dsp芯片确定boost升压电路中的电流传感器采集的电流大小达到预设值时，即通过目标开关管q1的电感电流达到预设值时，dsp芯片将第二控制信号传输至驱动芯片u4，此时opc1信号为低电平，驱动芯片u4通过第一输出端控制mos管q2关断，并通过第二输出端控制目标开关管q1提前关断，即pwm1信号切换为低电平。此时，驱动电阻为第一电阻r3，由此，实现降低驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管q1的电压应力，避免目标开关管q1损坏。
56.本技术实施例所提供的驱动电路，当驱动芯片接收到第一控制信号控制开关单元导通时，驱动电路的驱动电阻为第二电阻，即降低驱动电阻的阻值以降低目标开关管的开关损耗，当驱动芯片接收到第二控制信号控制开关单元关断时，驱动电路的驱动电阻为第一电阻，即增大驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管的电压应力，避免目标开关管被损坏，提升驱动电路的工作效率和可靠性。
57.当开关单元为igbt晶体管和二极管的组合结构时，igbt晶体管和二极管反并联的第一公共端作为开关单元的第一连接端，第二公共端作为开关管的第二连接端，igbt晶体管的控制端作为开关单元的控制端。
58.本技术实施例所提供的驱动电路，开关单元可以是包括igbt晶体管和二极管的结构，在目标开关管正常工作时，开关单元导通，此时驱动电阻为两个电阻中阻值小的电阻，以便降低目标开关管的开关损耗。当目标开关管的电感电流达到预设值时，即尖峰电压过大时，开关单元关断，此时驱动电阻为两个电阻中阻值大的电阻，进而避免目标开关管损坏。
59.在上述实施例中，对于驱动电路进行了详细描述，本技术还提供一种boost升压电路对应的实施例。具体实现原理与上述实施例相同，此处暂不赘述。
60.本技术实施例所提供的boost升压电路，包括上述实施例所提供的驱动电路，当驱动芯片接收到第一控制信号控制开关单元导通时，驱动电路的驱动电阻为第二电阻，即降低驱动电阻的阻值以降低目标开关管的开关损耗，当驱动芯片接收到第二控制信号控制开关单元关断时，驱动电路的驱动电阻为第一电阻，即增大驱动电阻的阻值，进而降低目标开关管的电压应力，避免目标开关管被损坏，提升驱动电路的工作效率和可靠性。
61.以上对本技术所提供的一种驱动电路进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以对本技术进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本技术权利要求的保护范围内。
62.还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。