技术特征：
1.一种单片裸片，包括：第一平面晶体管，占据所述单片裸片的第一象限；所述第一平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第二平面晶体管，占据所述单片裸片的第二象限；所述第二平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第三平面晶体管，占据所述单片裸片的第三象限；所述第三平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第四平面晶体管，占据所述单片裸片的第四象限；所述第四平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第一金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第一象限和所述第二象限的一部分，所述第一金属焊盘被配置为将所述第一平面晶体管的漏极电耦合到所述第二平面晶体管的漏极；第二金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第二象限和所述第三象限的一部分，所述第二金属焊盘被配置为将所述第二平面晶体管的源极电耦合到所述第三平面晶体管的漏极；第三金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第三象限和所述第四象限的一部分，所述第三金属焊盘被配置为将所述第三平面晶体管的源极电耦合到所述第四平面晶体管的源极；以及第四金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第一象限和所述第四象限的一部分，所述第四金属焊盘被配置为将所述第四平面晶体管的漏极电耦合到所述第一平面晶体管的源极。2.根据权利要求1所述的单片裸片，还包括：第五金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第一象限的一部分，所述第五金属焊盘耦合到所述第一平面晶体管的栅极；第六金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第二象限的一部分，所述第六金属焊盘耦合到所述第二平面晶体管的栅极；第七金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第三象限的一部分，所述第七金属焊盘耦合到所述第三平面晶体管的栅极；以及第八金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第四象限的一部分，所述第八金属焊盘耦合到所述第四平面晶体管的栅极。3.根据权利要求1所述的单片裸片，其中所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管包括高电子迁移率晶体管(hemt)。4.根据权利要求1所述的单片裸片，其中所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管包括氮化镓(gan)晶体管。5.根据权利要求1所述的单片裸片，其中所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管包括从由碳化硅、双极和锗半导体材料组成的组中选择的材料。6.一种桥式整流器，其包括根据权利要求1所述的单片裸片，被配置为对交流输入信号进行整流以形成整流后的直流输出信号。
7.一种集成电路组件，包括：单片裸片，包括：第一平面晶体管，占据所述单片裸片的第一象限，所述第一平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第二平面晶体管，占据所述单片裸片的第二象限，所述第二平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第三平面晶体管，占据所述单片裸片的第三象限，所述第三平面晶体管具有栅极、漏极和源极；以及第四平面晶体管，占据所述单片裸片的第四象限，所述第四平面晶体管具有栅极、漏极和源极；以及多个控制器集成电路，机械地附接到所述单片裸片，所述多个控制器集成电路被配置为产生用于控制所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管的栅极端的驱动信号。8.根据权利要求7所述的集成电路组件，其中，所述多个控制器集成电路恰好包括四个控制器集成电路，一个控制器集成电路用于所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管中的一个。9.根据权利要求8所述的集成电路组件，其中，所述集成电路组件用作桥式整流器并且恰好包括八个端子，包括两个桥式整流器输入端、两个桥式整流器输出端和四个电源端，一个电源端用于四个集成电路控制器中的一个。10.根据权利要求9所述的集成电路组件，还包括四个电容器，其中所述四个电源端中的每一个耦合到所述四个电容器中的相应的一个电容器并且其中所述电容器在所述集成电路组件的外部。11.根据权利要求9所述的集成电路组件，还包括四个电容器，其中所述四个电源端中的每一个耦合到所述四个电容器中的相应的一个电容器并且其中所述电容器在所述集成电路组件的内部。12.根据权利要求7所述的集成电路组件，其中，所述多个控制器集成电路恰好包括三个控制器集成电路，包括用于控制所述第一平面晶体管的栅极的第一控制器集成电路，用于控制所述第二平面晶体管的栅极的第二控制器集成电路，以及用于控制所述第三平面晶体管的栅极和所述第四平面晶体管的栅极的第三控制器集成电路。13.根据权利要求10所述的集成电路组件，其中，所述集成电路组件用作桥式整流器，并且恰好包括七个端子，包括两个桥式整流器输入端、两个桥式整流器输出端和三个电源端，一个电源端用于三个集成电路控制器中的一个。14.根据权利要求13所述的集成电路组件，还包括三个电容器，其中所述三个电源端中的每一个耦合到所述三个电容器中的相应的一个电容器并且其中所述电容器在所述集成电路组件的外部。15.根据权利要求13所述的集成电路组件，还包括三个电容器，其中所述三个电源端中的每一个耦合到所述三个电容器中的相应的一个电容器并且其中所述电容器在所述集成电路组件的内部。16.根据权利要求7所述的集成电路组件，其中每个控制器集成电路包括用于向相应的
控制器集成电路提供工作功率的电源，所述电源产生大约12至15伏特直流的电源电压，并且其中每个控制器集成电路包括栅极驱动器电路，其被配置为产生用于控制所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管的栅极端的驱动信号，其中所述栅极驱动信号各自被限制为大约5.5伏特直流。17.根据权利要求7所述的集成电路组件，其中所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管包括高电子迁移率晶体管(hemt)。18.根据权利要求7所述的集成电路组件，其中所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管包括氮化镓(gan)晶体管。19.根据权利要求7所述的集成电路组件，其中所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管包括从由碳化硅、双极和锗半导体材料组成的组中选择的材料。20.一种同步桥式整流器，包括：单片裸片，其包括多个平面开关元件，每个平面开关元件具有控制端和两个受控端；以及多个控制器集成电路，机械地附接到所述单片裸片，其中所述控制器集成电路被配置为感测跨所述平面开关元件的受控端的电压并在所述平面开关元件的控制端处产生驱动信号，以控制所述平面开关元件的打开和关闭，从而能够对交流输入信号进行整流，以形成整流后的直流输出信号。21.根据权利要求20所述的同步桥式整流器，其中，所述单片裸片包括第一平面晶体管、第二平面晶体管、第三平面晶体管和第四平面晶体管，以及其中，所述多个控制器集成电路恰好包括四个控制器集成电路，一个控制器集成电路用于所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管中的一个。22.根据权利要求21所述的同步桥式整流器，恰好包括八个端子，包括两个桥式整流器输入端、两个桥式整流器输出端和四个电源端，一个电源端用于四个集成电路控制器中的一个。23.根据权利要求22所述的同步桥式整流器，还包括四个电容器，其中所述四个电源端中的每一个耦合到所述四个电容器中的相应的一个电容器。24.根据权利要求20所述的同步桥式整流器，其中，所述单片裸片包括第一平面晶体管、第二平面晶体管、第三平面晶体管和第四平面晶体管，以及其中，所述多个控制器集成电路恰好包括三个控制器集成电路，包括用于控制所述第一平面晶体管的栅极的第一控制器集成电路，用于控制所述第二平面晶体管的栅极的第二控制器集成电路，以及用于控制所述第三平面晶体管的栅极和所述第四平面晶体管的栅极的第三控制器集成电路。25.根据权利要求24所述的同步桥式整流器，恰好包括七个端子，包括两个桥式整流器输入端、两个桥式整流器输出端和三个电源端，一个电源端用于三个集成电路控制器中的一个。26.根据权利要求25所述的同步桥式整流器，还包括三个电容器，其中所述三个电源端中的每一个耦合到所述三个电容器中的相应的一个电容器。27.根据权利要求20所述的同步桥式整流器，其中，所述单片裸片包括第一平面晶体管、第二平面晶体管、第三平面晶体管和第四平面晶体管，并且其中每个控制器集成电路包
括用于向相应的控制器集成电路提供工作功率的电源，所述电源产生大约12至15伏特直流的电源电压，并且其中每个控制器集成电路包括栅极驱动器电路，其被配置为产生用于控制所述第一平面晶体管、所述第二平面晶体管、所述第三平面晶体管和所述第四平面晶体管的栅极端的驱动信号，其中所述栅极驱动信号各自被限制为大约5.5伏特直流。28.根据权利要求20所述的同步桥式整流器，其中所述第一平面开关元件、所述第二平面开关元件、所述第三平面开关元件和所述第四平面开关元件包括高电子迁移率晶体管(hemt)。29.根据权利要求20所述的同步桥式整流器，其中所述第一平面开关元件、所述第二平面开关元件、所述第三平面开关元件和所述第四平面开关元件包括氮化镓(gan)晶体管。30.根据权利要求20所述的同步桥式整流器，其中所述第一平面开关元件、所述第二平面开关元件、所述第三平面开关元件和所述第四平面开关元件包括从由碳化硅、双极和锗半导体材料组成的组中选择的材料。31.根据权利要求20所述的同步桥式整流器，其中所述开关元件包括：第一平面晶体管，占据所述单片裸片的第一象限，所述第一平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第二平面晶体管，占据所述单片裸片的第二象限，所述第二平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第三平面晶体管，占据所述单片裸片的第三象限，所述第三平面晶体管具有栅极、漏极和源极；第四平面晶体管，占据所述单片裸片的第四象限，所述第四平面晶体管具有栅极、漏极和源极。32.根据权利要求20所述的同步桥式整流器，其中，所述单片裸片包括：第一金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据第一象限和第二象限的一部分，所述第一金属焊盘被配置为将第一平面晶体管的漏极电耦合到第二平面晶体管的漏极；第二金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据第二象限和第三象限的一部分，所述第二金属焊盘被配置为将第二平面晶体管的源极电耦合到第三平面晶体管的漏极；第三金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据第三象限和第四象限的一部分，所述第三金属焊盘被配置为将第三平面晶体管的源极电耦合到第四平面晶体管的源极；以及第四金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据第一象限和第四象限的一部分，所述第四金属焊盘被配置为将第四平面晶体管的漏极电耦合到第一平面晶体管的源极。33.根据权利要求32所述的同步桥式整流器，其中，所述单片裸片还包括：第五金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第一象限的一部分，所述第五金属焊盘耦合到所述第一平面晶体管的栅极；第六金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第二象限的一部分，所述第六金属焊盘耦合到所述第二平面晶体管的栅极；第七金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第三象限的一部分，所述第七金属焊盘耦合到所述第三平面晶体管的栅极；以及第八金属焊盘，机械地附接到所述单片裸片并占据所述第四象限的一部分，所述第八金属焊盘耦合到所述第四平面晶体管的栅极。
技术总结
一种同步桥式整流器包括单片裸片，该单片裸片包括多个平面开关元件，每个平面开关元件具有控制端和两个受控端。桥式整流器还包括机械地附接到单片裸片的多个控制器集成电路，其中控制器集成电路被配置为感测跨平面开关元件的受控端的电压并在平面开关元件的控制端处产生驱动信号，以控制平面开关元件的打开和关闭，从而能够对交流输入信号进行整流，以形成整流后的直流输出信号。成整流后的直流输出信号。成整流后的直流输出信号。
技术研发人员：黄新年
受保护的技术使用者：虹冠电子工业股份有限公司
技术研发日：2022.08.16
技术公布日：2023/2/17