驱动电压产生装置的制作方法

本发明涉及一种驱动电压产生装置，且尤其是涉及一种可确保功率晶体管工作在安全操作区(safe operation area,soa)的驱动电压产生装置。

背景技术：

1、基于功率晶体管常操作在高温的环境下，因此对于温度的操作上限特别敏感。当功率晶体管操作在温度上限的环境下时，当功率晶体管发生转态现象时，特别容易发生损坏的现象。

2、基于上述，针对功率晶体管的运作，进行环境温度的检测是很重要的。重点在于，温度检测电路对于温度检测的反应速度是否足够快以保护功率晶体管不至于损毁。然而，若设计使温度检测电路过于敏感，又可能使温度检测动作发生误动作而错关闭了功率晶体管的动作。因此，如何设计一种可正确判断又可快速反应过温现象的温度检测电路，是本领域技术人员的重要课题。

技术实现思路

1、本发明提供一种驱动电压产生装置，可确保功率晶体管工作在安全操作区(safeoperation area,soa)。

2、根据本发明的实施例，驱动电压产生装置包括温度检测器、控制电路、电压产生器以及输出级电路。温度检测器耦接至功率晶体管的控制端，用以检测环境温度来产生检测温度信息。控制电路耦接温度检测器，根据检测温度信息以判断环境温度是否异常以产生启动信号。电压产生器根据启动信号以产生操作电源。输出级电路耦接电压产生器，根据操作电源以产生驱动电压至功率晶体管的控制端。

3、基于上述，本发明的驱动电压产生装置可针对功率电路体所在区域的环境温度进行检测。在当环境温度过高时，驱动电压产生装置可停止所产生的驱动电压，并藉此终止功率晶体管的动作。如此一来，功率晶体管可被确保于操作在安全的环境温度下，并可工作在安全操作区中。

技术特征：

1.一种驱动电压产生装置，用以驱动功率晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动电压产生装置，其中所述控制电路在所述环境温度大于默认阈值时产生所述启动信号以使所述电压产生器停止输出所述操作电源。

3.根据权利要求2所述的驱动电压产生装置，其中所述控制电路针对所述检测温度信息以及默认阈值信息进行逻辑运算以产生所述启动信号，其中所述默认阈值信息为所述默认阈值的数字值。

4.根据权利要求2所述的驱动电压产生装置，其中所述控制电路包括：

5.根据权利要求1所述的驱动电压产生装置，其中所述电压产生器包括：

6.根据权利要求1所述的驱动电压产生装置，其中所述输出级电路包括：

7.根据权利要求6所述的驱动电压产生装置，其中所述输出级电路更包括：

8.根据权利要求1所述的驱动电压产生装置，其中所述温度检测器包括：

9.根据权利要求8所述的驱动电压产生装置，其中所述运算电路包括：

10.根据权利要求9所述的驱动电压产生装置，其中各所述逻辑运算器为异或门或异或非门。

11.根据权利要求9所述的驱动电压产生装置，其中所述多个参考电压包括依大小顺序排列的一第一参考电压至一第n参考电压，所述多个比较器包括分别对应所述第一参考电压至所述第n参考电压的第一比较器至一第n比较器，所述多个比较器并分别产生第一比较结果至第n比较结果，

12.根据权利要求9所述的驱动电压产生装置，其中所述运算电路更包括：

13.根据权利要求8所述的驱动电压产生装置，其中所述温度检测器更包括一参考电压产生器，所述参考电压产生器耦接所述运算电路，用以产生所述多个参考电压，所述参考电压产生器包括：

14.根据权利要求13所述的驱动电压产生装置，其中所述分压电路包括：

15.根据权利要求8所述的驱动电压产生装置，其中所述温度检测器更包括参考电压产生器，所述参考电压产生器耦接所述运算电路，用以产生所述多个参考电压，所述参考电压产生器包括：

16.根据权利要求8所述的驱动电压产生装置，其中所述第一电阻的第一端耦接至所述功率晶体管控制端，所述第一电阻的第二端耦接至所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端接收所述参考接地电压。

17.根据权利要求8所述的驱动电压产生装置，其中所述第二电阻的第一端耦接至所述功率晶体管控制端，所述第二电阻的第二端耦接至所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接收所述参考接地电压。

18.根据权利要求8所述的驱动电压产生装置，其中所述第二电阻为n型碳化硅扩散电阻或p型碳化硅扩散电阻。

19.根据权利要求8所述的驱动电压产生装置，其中当所述第二电阻为p型碳化硅扩散电阻时，所述第二电阻包括：

20.根据权利要求8所述的驱动电压产生装置，其中当所述第二电阻为n型碳化硅扩散电阻时，所述第二电阻包括：

技术总结
本发明提供一种驱动电压产生装置。驱动电压产生装置包括温度检测器、控制电路、电压产生器以及输出级电路。温度检测器用以检测环境温度来产生检测温度信息。控制电路根据检测温度信息以判断环境温度是否异常以产生启动信号。电压产生器根据启动信号以产生操作电源。输出级电路根据操作电源以产生驱动电压至功率晶体管的控制端。

技术研发人员：陈伟梵,蔡国基
受保护的技术使用者：力拓半导体股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7