低压MOS管选择电路及低压MOS管的制作方法

低压mos管选择电路及低压mos管
技术领域
1.本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种低压mos管选择电路及低压mos管。


背景技术：

2.随着半导体技术的高速发展，低压mos管在各种电路上的使用也越来越多，同时也对于低压mos管的使用准确率和使用功能性也越来越重视，传统的低压mos管的使用方式是直接将低压mos管接入各种电路，只有当实际电压达到导通电压之后才导通工作。这种低压mos管的使用方式存在很大的缺陷，会存在当接入电路的实际电压小于导通电压时是整个电路停止工作的问题。即，这种低压mos管的使用方式会由于实际电压小于导通电压进而造成低压mos管的使用功能性不强。


技术实现要素：

3.本实用新型的主要目的在于提出一种低压mos管选择电路及低压mos管，旨在如何提高低压mos管的使用功能性。
4.为实现上述目的，本实用新型提供一种低压mos管选择电路，所述低压mos管选择电路包括内部电压处理模块、特制开关、电压比较器、选择开关和低压mos管模块；
5.所述内部电压处理模块的第一输出端与所述特制开关连接，所述特制开关还与所述低压mos管模块连接，所述内部电压处理模块用于提供比较电压；
6.所述电压比较器与所述特制开关、所述低压mos管模块和所述选择开关连接，所述电压比较器用于通过所述比较电压确定所述选择开关的导通信息；
7.所述选择开关与所述低压mos管模块连接，所述选择开关用于根据所述导通信息控制所述低压mos管模块的工作状态。
8.可选地，所述电压比较器包括第一输入端、第二输入端和第二输出端，所述第一输入端与所述选择开关和所述特制开关连接，所述第二输入端与所述特制开关连接，所述第二输出端与所述选择开关连接。
9.可选地，所述电压比较器还包括第一比较芯片和第一电阻，所述第一比较芯片的3脚与所述第一输入端连接，所述第一比较芯片的2脚与所述第二输入端连接，所述第一比较芯片的1脚与所述第二输出端和所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一比较芯片的8脚和系统电源连接，所述第一比较芯片的4脚与系统电源地连接。
10.可选地，所述选择开关包括第一接线端、第二接线端、第三接线端和控制接线端，所述控制接线端与所述电压比较器的第二输出端连接，所述第一接线端与所述电压比较器的第一输入端连接，所述低压mos管模块与所述第二接线端和所述第三接线端连接。
11.可选地，所述第一接线端与所述第二接线端连接，与所述第三接线端断开。
12.可选地，所述第一接线端与所述第三接线端连接，与所述第二接线端断开。
13.可选地，所述低压mos管模块包括第一mos管和第二mos管，所述第一mos管的栅极
与所述第二接线端和所述特制开关连接，所述第二mos管的栅极与所述第三接线端和所述特制开关连接。
14.可选地，所述第一mos管为nmos管，所述第二mos管为pmos管。
15.此外，本技术还提供了一种低压mos管，低压mos管包括上述的低压mos管选择电路。
16.可选地，所述低压mos管包括第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚、第五管脚和第六管脚，所述第一管脚与所述电压比较器的第一输入端连接，所述第二管脚与所述内部电压处理模块的第三输入端连接，所述第三管脚与所述第一mos管的源极连接，所述第四管脚与所述第一mos管的漏极连接，所述第五管脚与所述第二mos管的源极连接，所述第六管脚与所述第二mos管的漏极连接。
17.本技术提供了一种低压mos管选择电路，该电路包括内部电压处理模块、特制开关、电压比较器、选择开关和低压mos管模块；所述内部电压处理模块的第一输出端与所述特制开关连接，所述特制开关还与所述低压mos管模块连接，所述内部电压处理模块用于提供比较电压；所述电压比较器与所述特制开关、所述低压mos管模块和所述选择开关连接，所述电压比较器用于通过所述比较电压所述电压比较器所述选择开关的导通信息；所述选择开关与所述低压mos管模块连接，所述选择开关用于根据所述导通信息控制所述低压mos管模块的工作状态。通过内部电压处理模块提供的比较电压，通过比较电压控制选择开关的导通信息，进而通过导通信息控制低压mos管模块进行工作，从而避免了现有技术中低压mos管只存在单一条件导通的现象发生，通过导通信息控制低压mos管模块进行不同的工作进而可以提高压mos管的使用功能性。
附图说明
18.图1为本实用新型低压mos管选择电路的结构示意图；
19.图2为本实用新型低压mos管选择电路中电压比较器示意图；
20.图3为本实用新型低压mos管选择电路中选择开关内部示意图；
21.图4为本实用新型低压mos管选择电路中低压mos管模块内部示意图；
22.图5为本实用新型低压mos管选择电路中内部电压处理模块内部示意图；
23.图6为本实用新型低压mos管封装管脚俯视示意图；
24.图7为本实用新型低压mos管选择电路中特制开关内部示意图。
25.附图标号说明：
[0026][0027][0028]
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0029]
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0030]
下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]
需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0032]
在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]
另外，在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0034]
本实用新型提供一种低压mos管选择电路，参照图1的低压mos管选择电路的结构示意图，低压mos管选择电路包括内部电压处理模块10、特制开关20、电压比较器30、选择开关40和低压mos管模块50；
[0035]
所述内部电压处理模块10的第一输出端11与所述特制开关20连接，所述特制开关20还与所述低压mos管模块50连接，所述内部电压处理模块10用于提供比较电压；
[0036]
所述电压比较器30与所述特制开关20、所述低压mos管模块50和所述选择开关40连接，所述电压比较器30用于通过所述比较电压确定所述选择开关40的导通信息；
[0037]
所述选择开关40与所述低压mos管模块50连接，所述选择开关40用于根据所述导通信息控制所述低压mos管模块50的工作状态。
[0038]
在本实施例中，整个低压mos管选择电路主要分为正常电路和选择电路。首先介绍本电路的内部电压处理模块10，参照图5，图5为低压mos管选择电路中内部电压处理模块内部示意图，其中内部电压处理模块10可以为一个简单电路，通过将输入电压根据电阻进行分压之后将分压之后的电压接入到整个电路就得到需要的比较电压，比较电压是指电压比较器30需要进行比较的电压。例如当需要比较电压为5v时，可以定义内部电压处理模块10的第三输入端12需要接12v电压，内部电压处理模块10就包括一个7ω和一个5ω电阻，最终将5ω电阻的两端与内部电压处理模块10中的第一输出端11连接，就可以得到比较电压。当整个低压mos管选择电路处于选择电路时，通过内部电压处理模块10确定比较电压，并通过特制开关20将内部电压处理模块10与电压比较器30的第二输入端32连接，通过比较电压与电压比较器30的第一输入端31的实际输入电压进行比较以确定电压比较器30的第二输出端33的输出电平，根据输出电平控制选择开关40导通得到导通信息。其中，输出电平是指输出高电平或者低电平，导通信息是指选择开关40内部线路选择信息。例如选择开关40接到高电平选通一号线路，选择开关40接到低电平选通二号线路，最终根据不同的线路选通可以接到低压mos管模块50中的不同单元，进而实现不同单元的工作，保证了整个电路工作的功能性。
[0039]
当整个低压mos管选择电路处于正常电路时，就会直接通过特制开关20将低压mos管模块50与电压比较器30的第一输入端31连接，实现整个电路不经过选择进行工作。参照图7，图7为低压mos管选择电路中特制开关内部示意图，当特制开关20选择进入选择电路时，就会将第一输出端11与第二输入端32连接，使整个电路进入选择电路模式；当特制开关20选择进入正常电路时，就会将mos管栅极24与第一输入端31连接，使整个电路进入正常电路模式，其中mos管栅极24就包括了第二mos管52的栅极g和第一mos管51的栅极g，实现输入端之间接点两个mos管栅极的正常工作电路，通过特制开关20可以实现整个电路在正常电路模式和选择电路模式之间的控制，而电压比较器30和选择开关40则实现选择电路的不同功能导通控制，提高了整个电路的功能性。
[0040]
进一步地，在本技术低压mos管选择电路又一实施例中，参照图2，图2为低压mos管选择电路中电压比较器示意图，所述电压比较器30包括第一输入端31、第二输入端32和第二输出端33，所述第一输入端31与所述选择开关40和所述特制开关20连接，所述第二输入端32与所述特制开关20连接，所述第二输出端33与所述选择开关40连接。
[0041]
具体的，所述电压比较器30还包括第一比较芯片u1和第一电阻r1，所述第一比较芯片u1的3脚与所述第一输入端31连接，所述第一比较芯片u1的2脚与所述第二输入端32连
接，所述第一比较芯片u1的1脚与所述第二输出端33和所述第一电阻r1的一端连接，所述第一电阻r1远离所述第一比较芯片u1的1脚的一端与所述第一比较芯片u1的8脚和系统电源连接，所述第一比较芯片u1的4脚与系统电源地连接。
[0042]
在本实施例中，在本实施例中，通过第一比较芯片u1构成的电压比较器30对第一管脚01的实际的输入电压进行检测，第一比较芯片u1可以为lm399芯片，也可以是其他的芯片。主要的作用原理是将第一管脚01的实际输入电压接入第一比较芯片u1的第一输入端31，而在第一比较芯片u1的第二输入端32与特制开关20连接，特制开关20则与内部电压处理模块10，内部电压处理模块10则是提供一个比较电压。根据实际输入电压和比较电压的大小关系可以确定第一比较芯片u1的第二输出端33的电平值。故当实际输入电压大于或等于比较电压时，第一比较芯片u1的第二输出端33的输出电平值为高电平；当实际输入电压小于比较电压时，第一比较芯片u1的第二输出端33的输出电平值为低电平，最终就会将第一比较芯片u1的第二输出端33的输出电平值作为控制条件对选择开关40进行控制，通过选择开关40选择不同的导通路线，其中，在本实施例中的比较电压的电压值与低压mos管模块50中第一mos管51的导通电压相等。例如，当第一mos管51的导通电压为a时，就通过内部电压处理模块10处理得到电压a，当实际输入电压为b,就会检测a和b的大小关系，根据两者之间的大小关系进而得到准确的选择开关40导通结果，当a≤b时，就会知道实际输入电压可以导通第一mos管51，就根据得到检测结果对选择开关40进行导通第一mos管51的电路；当a》b时，就会知道实际输入电压不可以导通第一mos管51，就会根据得到的检测结果对选择开关40进行导通第二mos管52，其中两种导通选择是控制选择开关40导通不同线路。即可以对实际输入电压进行准确的判断，通过不同的导通方式可以增加低压mos管的功能性。
[0043]
进一步的，在本技术低压mos管选择电路又一实施例中，参照图3，图3为低压mos管选择电路中选择开关内部示意图，所述选择开关40包括第一接线端41、第二接线端42、第三接线端43和控制接线端kx，所述控制接线端kx与所述电压比较器30的第二输出端33连接，所述第一接线端41与所述电压比较器30的第一输入端31连接，所述低压mos管模块50与所述第二接线端42和所述第三接线端43连接。
[0044]
具体的，所述第一接线端41与所述第二接线端42连接，与所述第三接线端43断开。
[0045]
具体的，所述第一接线端41与所述第三接线端43连接，与所述第二接线端42断开。
[0046]
在本实施例中，在本实施例中，选择开关40是一个双选择开关，可以根据控制接线端kx的不同控制信息选择导通不同的开关。其中第一接线端41为公共接线端，第二接线端42和第三接线端43为选择接线端，可以根据控制接线端kx的要求导通第一接线端41和第二接线端42或第三接线端43。在实施例中，当控制接线端kx接收到高电平时(电压比较器30中导通电压a≤实际输入电压b，需要第一mos管51导通)，实际表示电路需要导通就会通过控制接线端kx控制第一接线端41与所述第二接线端42连接，与第三接线端43断开，而第二接线端42与第一mos管51连接，实现第一mos管51导通；当控制接线端kx接收到低电平时(电压比较器30中导通电压a》实际输入电压b，需要第二mos管52导通)，实际表示电路实际输入电压较低需要导通第二mos管52，就会通过控制接线端kx控制第一接线端41与所述第三接线端43连接，与第二接线端42断开，而第三接线端43与第二mos管52连接，实现第二mos管52导通。实际低压mos管模块50可以根据实际输入电压进行选择性导通，进而可以保证低压mos管的功能性，同时还可以保留基本低压mos管功能。
[0047]
进一步的，在本技术低压mos管选择电路又一实施例中，参照图4，图4为低压mos管选择电路中低压mos管模块内部示意图，所述低压mos管模块50包括第一mos管51和第二mos管52，所述第一mos管51的栅极g与所述第二接线端42和所述特制开关20连接，所述第二mos管52的栅极g与所述第三接线端43和所述特制开关20连接.
[0048]
具体的，所述第一mos管51为nmos管，所述第二mos管52为pmos管。
[0049]
在本实施例中，低压mos管模块50包括第一mos管51和第二mos管52，故而可以选择低压mos管模块50内部的不同导通模式，只要将第二mos管52的源极s接入特定电压就可以实现电路分电压导通的功能。例如，第一mos管51的导通电压为5v，第二mos管52的导通电压也为5v，只要将第一mos管51的源极s接地，第二mos管52的源极接10v，内部电压处理模块10只要处理一个5v电压即可。就可以实现当电路实际输入电压为5v以上时选通第一mos管51，当电路实际输入电压为5v以下时选通第二mos管52，实现低压mos管模块50内部的不同工作模式，保证了整个电路的功能性。
[0050]
此外，本技术还提供了一种低压mos管00，低压mos管00包括上述低压mos管选择电路。
[0051]
进一步的，在本技术低压mos管一实施例中，参照图6，图6为低压mos管封装管脚俯视示意图，所述低压mos管00包括第一管脚01、第二管脚02、第三管脚03、第四管脚04、第五管脚05和第六管脚06，所述第一管脚01与所述电压比较器30的第一输入端31连接，所述第二管脚02与所述内部电压处理模块10的第三输入端12连接，所述第三管脚03与所述第一mos管51的源极s连接，所述第四管脚04与所述第一mos管51的漏极d连接，所述第五管脚05与所述第二mos管52的源极s连接，所述第六管脚06与所述第二mos管52的漏极d连接。
[0052]
在本实施例中，低压mos管00包括了六个管脚，内部含有低压mos管选择电路可以对工作模式进行选择。当该低压mos管00接入的电路中的的电压始终大于第一mos管51的导通电压时，就可以单一的实现现有低压mos管功能；当该低压mos管00接入的电路中的的电压存在大于和小于第一mos管51的导通电压时，就可以根据接入的电路中的的电压确定实际需要导通的mos管，用户根据需要接到不同mos管的输出端。当按下特制开关时，就可以实现现有低压mos管功能，通过整个低压mos管00内部的电路以及封装结构可以提高低压mos管00的功能性，进而可以提高低压mos管00的使用频率。
[0053]
以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是在本技术的发明构思下，利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本技术的专利保护范围内。