一种提高备电电容可靠性的电路的制作方法

本技术涉及备电电容可靠性的，尤其是指一种提高备电电容可靠性的电路。

背景技术：

1、现有固态硬盘正常工作时通过外部12v电源给固态硬盘供电，并通过升降压模块给备电电容充电，当突然拔插固态硬盘或者主机掉电时，升降压电源模块立即切换到备电电容供电，保障固态硬盘还能够持续工作一段时间把缓存中数据下刷到非易失性介质上，确保数据不丢失。但该方案存在明显的缺陷，由于电容故障率较高，当电容发生故障时，一种情况是该固态硬盘写数据无法放进缓存，需要直接写到非易失性介质后才能进行下一步操作，导致性能严重下降；另一种情况是固态硬盘检测到备电电容故障后，立即停止与主机之间的业务，等待更换故障电容；以上两种情况对系统整体性能和业务连续性都有较大的影响。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种提高备电电容可靠性的电路。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

3、一种提高备电电容可靠性的电路，包括：第一备电电容模块、第二备电电容模块、升降压电源模块及板载模块；所述第一备电电容模块和第二备电电容模块与所述升降压电源模块连接，所述升降压电源模块与所述板载模块连接；所述升降压电源模块用于接收来自主机或第一备电电容模块或第二备电电容模块的电压并给固态硬盘供电。

4、在一具体实施例中，所述升降压电源模块包括电源转换芯片u82。

5、在一具体实施例中，所述电源转换芯片u82的型号为syh664rgc。

6、在一具体实施例中，所述第一备电电容模块包括备电电容ce1和mos管q11，所述备电电容ce1与所述mos管q11连接，所述mos管q11与所述电源转换芯片u82连接。

7、在一具体实施例中，所述mos管q11的漏极与所述电源转换芯片u82的16脚、17脚及18脚连接，所述备电电容ce1与所述mos管q11的源极连接。

8、在一具体实施例中，所述第二备电电容模块包括备电电容ce2和mos管q12，所述备电电容ce2与所述mos管q12连接，所述mos管q12与所述电源转换芯片u82连接。

9、在一具体实施例中，所述mos管q12的漏极与所述电源转换芯片u82的16脚、17脚及18脚连接，所述备电电容ce2与所述mos管q12的源极连接。

10、在一具体实施例中，所述mos管q11和mos管q12的型号均为irlml2502trpbf。

11、在一具体实施例中，所述备电电容ce1和备电电容ce2的型号均为t523w476m035ape100或cps7343h1_5。

12、在一具体实施例中，所述板载模块包括二极管d7，所述二极管d7的1脚和2脚与所述电源转换芯片u82的19脚连接，所述二极管d7的3脚与所述电源转换芯片u82的21脚连接。

13、本实用新型与现有技术相比的有益效果是：通过设置两个备电电容，在一个备电电容发生故障时，还有一个备电电容可以提供备电功能，保障缓存数据全部下刷到非易失性介质上，不会导致固态硬盘性能下降，也不会导致业务中断。

14、下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步描述。

技术特征：

1.一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，包括：第一备电电容模块、第二备电电容模块、升降压电源模块及板载模块；所述第一备电电容模块和第二备电电容模块与所述升降压电源模块连接，所述升降压电源模块与所述板载模块连接；所述升降压电源模块用于接收来自主机或第一备电电容模块或第二备电电容模块的电压并给固态硬盘供电。

2.根据权利要求1所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述升降压电源模块包括电源转换芯片u82。

3.根据权利要求2所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述电源转换芯片u82的型号为syh664rgc。

4.根据权利要求3所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述第一备电电容模块包括备电电容ce1和mos管q11，所述备电电容ce1与所述mos管q11连接，所述mos管q11与所述电源转换芯片u82连接。

5.根据权利要求4所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述mos管q11的漏极与所述电源转换芯片u82的16脚、17脚及18脚连接，所述备电电容ce1与所述mos管q11的源极连接。

6.根据权利要求4所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述第二备电电容模块包括备电电容ce2和mos管q12，所述备电电容ce2与所述mos管q12连接，所述mos管q12与所述电源转换芯片u82连接。

7.根据权利要求6所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述mos管q12的漏极与所述电源转换芯片u82的16脚、17脚及18脚连接，所述备电电容ce2与所述mos管q12的源极连接。

8.根据权利要求6所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述mos管q11和mos管q12的型号均为irlml2502trpbf。

9.根据权利要求6所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述备电电容ce1和备电电容ce2的型号均为t523w476m035ape100或cps7343h1_5。

10.根据权利要求6所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述板载模块包括二极管d7，所述二极管d7的1脚和2脚与所述电源转换芯片u82的19脚连接，所述二极管d7的3脚与所述电源转换芯片u82的21脚连接。

技术总结
本技术涉及备电电容可靠性的技术领域，尤其是指一种提高备电电容可靠性的电路，该提高备电电容可靠性的电路，包括：第一备电电容模块、第二备电电容模块、升降压电源模块及板载模块；所述第一备电电容模块和第二备电电容模块与所述升降压电源模块连接，所述升降压电源模块与所述板载模块连接；所述升降压电源模块用于接收来自主机或第一备电电容模块或第二备电电容模块的电压并给固态硬盘供电。本技术通过设置两个备电电容，在一个备电电容发生故障时，还有一个备电电容可以提供备电功能，保障缓存数据全部下刷到非易失性介质上，不会导致固态硬盘性能下降，也不会导致业务中断。

技术研发人员：詹建平,唐觅,罗海全
受保护的技术使用者：深圳忆联信息系统有限公司
技术研发日：20221108
技术公布日：2024/1/12