一种用于稳定MOSFET工作在饱和区的系统的制作方法

本发明属于半导体功率器件，具体涉及一种用于稳定mosfet工作在饱和区的系统。

背景技术：

1、在国内半导体领域迅速发展的背景下，各种半导体分立器件如雨后春笋般涌现。这些器件包括sgt mosfet、sj mosfet、igbt mosfet和sic mosfet等，它们具有独特的特性和应用场景。在电路中，这些器件的应用越来越广泛，如电池管理、电机驱动和同步整流等方面。

2、然而，这些半导体分立器件在电路中的工作并不总是一帆风顺的。由于各种因素的影响，如浪涌电压，可能会导致输出短路等不稳定现象的发生。具体来说，浪涌电压是指在电路中突然出现的瞬态高电压，它可能会对电路中的器件造成过大的电流和电压应力，从而损坏器件或引起其他问题。

3、当浪涌电压出现时，它可能会在电路中产生瞬态的大电流，导致电流过载或电压过高。如果这种浪涌电压不能得到有效的抑制或吸收，它可能会对电路中的半导体分立器件造成损坏或性能下降。例如，浪涌电压可能会引起输出短路，使电路中的电流急剧增加，从而导致器件过热、损坏或缩短其使用寿命。

技术实现思路

1、本发明主要解决的问题是提供了一种用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，通过大小mosfet并联的方式，实现了电路输出电压电流的稳定性，解决了当涌入电路的电压过高时，因输出“不稳定”而造成的电路失效问题，所给出的系统具有输出电压电流稳定，散热快，安全工作区宽等优点。

2、为了解决上述的“不稳定”现象，本发明提出了一种用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，具体技术方案如下。

3、一种用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，包括控制两个mosfet开启和关断的控制ic，大面积和小面积的两个mosfet，且这两个mosfet并联后与控制ic相连接；还设置有用于检测mosfet的栅极输入电压的传感器。

4、所述面积大的mosfet，其vgs为10v。

5、所述面积小的mosfet，其vgs根据输出电流的反馈进行调整。

6、所述的传感器连接在电路的输入端和输出端之间。

7、所述的控制ic连接在电路的输入端和输出端之间，并接收传感器的信号。

8、所述的mosfet栅极与控制ic以及传感器相连接，漏极与电路的输入端相连接，源极与传感器以及电路的输出端相连接。

9、所述的mosfet为n型mosfet管。

10、本发明的有益效果是：

11、本发明的一种用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，在正常工作时，控制ic通过接收传感器信号将栅极输入电压控制在10v，此时，大小mosfet同时导通且工作在可变电阻区，输出电压和电流始终保持在28v和6a。而当浪涌电压袭来时，控制ic通过接收传感器信号关闭大mosfet，并检测输出电流，不断降低vgs输入电压，直至达到6a输出电流，此时，大mosfet处于关断状态，仅开启的小mosfet工作在ztc(零温度系数)以上，有利于散热的同时能够使系统稳定的工作在饱和区，承担浪涌电压的同时保证了输出电压和电流始终保持在28v和6a。

12、本发明通过大小mosfet并联的方式，实现了电路输出电压电流的稳定性，解决了当涌入电路的电压过高时，因输出“不稳定”而造成的电路失效问题，所给出的系统具有输出电压电流稳定，散热快，安全工作区宽等优点。

技术特征：

1.一种用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，其特征在于，包括控制两个mosfet开启和关断的控制ic，大面积和小面积的两个mosfet，且这两个mosfet并联后与控制ic相连接；还设置有用于检测mosfet的栅极输入电压的传感器。

2.根据权利要求1所述的用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，其特征在于：所述面积大的mosfet，其vgs为10v。

3.根据权利要求1所述的用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，其特征在于：所述面积小的mosfet，其vgs根据输出电流的反馈进行调整。

4.根据权利要求1所述的用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，其特征在于：所述的传感器连接在电路的输入端和输出端之间。

5.根据权利要求1所述的用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，其特征在于：所述的控制ic连接在电路的输入端和输出端之间，并接收传感器的信号。

6.根据权利要求1所述的用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，其特征在于：所述的mosfet栅极与控制ic以及传感器相连接，漏极与电路的输入端相连接，源极与传感器以及电路的输出端相连接。

7.根据权利要求1所述的用于稳定mosfet工作在饱和区的系统，其特征在于：所述的mosfet为n型mosfet管。

技术总结
本发明公开了一种用于稳定MOSFET工作在饱和区的系统，包括控制两个MOSFET开启和关断的控制IC，具体为大小面积的两个MOSFET，且这两个MOSFET并联后与控制IC相连接。在正常工作时，大小MOSFET同时导通且工作在可变电阻区，输出电压和电流始终保持在28V和6A。而当浪涌电压袭来时，控制IC通过接收传感器信号关闭大MOSFET，并检测输出电流，降低V<subgt;gs</subgt;输入电压，直至达到6A输出电流，此时，大MOSFET处于关断状态，仅开启的小MOSFET工作在ZTC(零温度系数)以上，有利于散热的同时能够使系统稳定的工作在饱和区，承担浪涌电压的同时保证了输出电压和电流始终保持在28V和6A。

技术研发人员：冯江旭,杨乐,李铁生,曹琳
受保护的技术使用者：西安龙飞电气技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31