一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路的制作方法

本技术涉及开关电源，且特别是有关于一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路。

背景技术：

1、随着技术的发展，开关电源的开关频率不断提升，从之前几十khz已经提升到100khz～400khz，甚至到更高的1mhz～2mhz。随着开关频率的不断提高，开关管的切换速度也越来越快，工作于开关频率的整流二极管处于不断开通关断的模式下，电路中参数dv/dt和di/dt也不断提高，加上整流二极管的反向恢复过程，给外部带来了更多的电磁干扰(emi)，也给电源整体的电磁兼容性能(emc)提出了更高的挑战。

2、改善电磁干扰的一种常用方法是减缓开关管的开通速度，增大开通的切换时间，从而改善整流二极管的反向恢复问题及电路的emc性能，但是，这会导致开通过程中开关管中电流和电压交叠的时间变长，从而导致开关管的开通损耗变大，导致电路的效率降低，恶化电源的热性能。

3、另一种常用的方法是在电路中增加一个与整流二极管串联的磁珠，相当于引入一个电感，但是这会导致开关管的电压应力增加。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本实用新型提供一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，在保留磁珠改善整流二极管反向恢复问题的同时，通过在磁珠两端并联一个二极管来解决磁珠带来电压应力升高的问题。

2、为达到上述目的，本实用新型技术方案是：

3、一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，包括第一磁珠与第一二极管，所述第一磁珠串联在开关电源的输出端，所述第一磁珠与所述第一二极管并联。

4、在一具体实施例中，所述开关电源包括boost电路，所述第一磁珠串联在所述boost电路的输出端。所述boost电路包括第一电感、第一开关管、第二开关管与第一电容，所述第一电感、所述第一开关管、所述第二开关管与所述第一电容的连接方式为boost拓扑连接，所述第一磁珠与所述第二开关管串联。

5、上述第二开关管为二极管或mosfet。

6、在一具体实施例中，上述开关电源包括四开关buck-boost电路，所述第一磁珠串联在所述四开关buck-boost电路的输出端。所述四开关buck-boost电路包括第三开关管、第四开关管、第五开关管、第六开关管、第二电感与第二电容，所述第三开关管、所述第四开关管、所述第五开关管、所述第六开关管、所述第二电感与所述第二电容的连接方式为四开关buck-boost拓扑连接，所述第一磁珠串联在所述第五开关管与所述第二电容之间。

7、上述第五开关管为二极管或mosfet。

8、有益效果，本实用新型一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，同时抑制了电磁干扰和电压尖峰，并且导通损耗小，提高了电路的整体性能。

9、为让实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

技术特征：

1.一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，包括第一磁珠与第一二极管，所述第一磁珠串联在开关电源的输出端，所述第一磁珠与所述第一二极管并联。

2.如权利要求1所述一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，所述开关电源包括boost电路，所述第一磁珠串联在所述boost电路的输出端。

3.如权利要求2所述一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，所述boost电路包括第一电感、第一开关管、第二开关管与第一电容，所述第一电感、所述第一开关管、所述第二开关管与所述第一电容的连接方式为boost拓扑连接，所述第一磁珠与所述第二开关管串联。

4.如权利要求3所述一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，所述第二开关管为二极管。

5.如权利要求3所述一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，所述第二开关管为mosfet。

6.如权利要求1所述一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，所述开关电源包括四开关buck-boost电路，所述第一磁珠串联在所述四开关buck-boost电路的输出端。

7.如权利要求6所述一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，所述四开关buck-boost电路包括第三开关管、第四开关管、第五开关管、第六开关管、第二电感与第二电容，所述第三开关管、所述第四开关管、所述第五开关管、所述第六开关管、所述第二电感与所述第二电容的连接方式为四开关buck-boost拓扑连接，所述第一磁珠串联在所述第五开关管与所述第二电容之间。

8.如权利要求7所述一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，所述第五开关管为二极管。

9.如权利要求7所述一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，其特征在于，所述第五开关管为mosfet。

技术总结
本技术公开了一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，属于开关电源技术领域，包括第一磁珠与第一二极管，所述第一磁珠串联在开关电源的输出端，所述第一磁珠与所述第一二极管并联。本技术一种抑制电磁干扰和电压尖峰的电路，同时抑制了电磁干扰和电压尖峰，并且导通损耗小，提高了电路的整体性能。

技术研发人员：孙超,陈咸丰
受保护的技术使用者：南京酷科电子科技有限公司
技术研发日：20230214
技术公布日：2024/1/13