本申请涉及电子电力,具体涉及一种串联电容电路的均压电路。
背景技术:
1、随着技术的不断发展和进步,电容串联使用的情况在电力电子领域已非常普遍。例如,普通大电解电容串联适应高压的使用工况,或者是超级电容为了满足一定电压串联使用的功率。
2、然而,在电容串联使用过程中,为了防止各电容内部参数一致性差以及充电中易出现某一节电容的充电电压过高损坏电容。一般通过设置均压电路,以防止电容串联充电过程中某个电容电压大于其额定电压。
3、现有一般直接通过在电容旁边并联电阻或者稳压二极管的方式,达到电容均压的效果,但是,此种方式会损耗电容上的电荷,影响电容储能效率。
技术实现思路
1、对此,本申请提供一种串联电容电路的均压电路,以解决现有直接通过在电容旁边并联电阻或者稳压二极管的方式实现电容均压,会损耗电容上的电荷,降低电容储能效率的问题。
2、为实现上述目的,本申请实施例提供如下技术方案:
3、本申请公开了一种串联电容电路的均压电路,包括:与所述串联电容电路中每一个电容并联的至少一个均压器件,每一并联回路上设置至少一个开关。
4、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,所述均压器件个数与所述串联电容电路中的电容的个数相同。
5、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,所述均压器件个数与所述串联电容的个数均为3。
6、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,所述均压器件为电阻,或者,稳压二极管。
7、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,所述并联回路是每一所述均压器件与对应电容构成的回路。
8、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,所述开关包括以下至少之一:pmos管、nmos管、npn三极管、pnp三极管、继电器。
9、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,还包括:与每一开关对应的开关驱动电路。
10、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,所述开关为所述pmos管,所述开关驱动电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第一开关管;所述第一电阻的一端连接至所述pmos管的源极,所述第一电阻的另一端分别连接至所述pmos管的栅极和所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端连接至所述第一开关管的漏极,所述第一开关管的源极接地,所述第一开关管的栅极通过所述第三电阻接收控制信号。
11、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,所述开关为所述nmos管,所述开关驱动电路包括:第四电阻,所述第四电阻的一端连接至所述nmos管的栅极,所述第四电阻的另一端接收控制信号。
12、可选地,在上述的串联电容电路的均压电路中,所述串联电容电路中的电容为超级电容,或者,电解电容。
13、本申请提供的串联电容电路的均压电路,包括:与串联电容电路中每一个电容并联的至少一个均压器件,每一并联回路上设置至少一个开关;也即本申请可以通过在每一均压器件与电容并联的回路上设置开关,通过控制开关控制均压电路是否对串联电容进行均压,在串联电容需要均压时闭合开关,不需要均压时断开开关,解决了现有直接通过在电容旁边并联电阻或者稳压二极管的方式实现电容均压,会损耗电容上的电荷,降低电容储能效率的问题。
1.一种串联电容电路的均压电路,其特征在于,包括:与所述串联电容电路中每一个电容并联的至少一个均压器件,以及与每一开关对应的开关驱动电路,其中,每一并联回路上设置至少一个开关,所述开关包括以下至少之一:pmos管、nmos管、npn三极管、pnp三极管、继电器。
2.根据权利要求1所述的串联电容电路的均压电路,其特征在于,所述均压器件个数与所述串联电容电路中的电容的个数相同。
3.根据权利要求2所述的串联电容电路的均压电路,其特征在于,所述均压器件个数与所述串联电容的个数均为3。
4.根据权利要求1所述的串联电容电路的均压电路,其特征在于,所述均压器件为电阻,或者,稳压二极管。
5.根据权利要求1所述的串联电容电路的均压电路,其特征在于,所述并联回路是每一所述均压器件与对应电容构成的回路。
6.根据权利要求1所述的串联电容电路的均压电路,其特征在于,所述开关为所述pmos管,所述开关驱动电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第一开关管;所述第一电阻的一端连接至所述pmos管的源极,所述第一电阻的另一端分别连接至所述pmos管的栅极和所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端连接至所述第一开关管的漏极,所述第一开关管的源极接地,所述第一开关管的栅极通过所述第三电阻接收控制信号。
7.根据权利要求1所述的串联电容电路的均压电路,其特征在于,所述开关为所述nmos管,所述开关驱动电路包括:第四电阻,所述第四电阻的一端连接至所述nmos管的栅极,所述第四电阻的另一端接收控制信号。
8.根据权利要求1-7任一项所述的串联电容电路的均压电路,其特征在于,所述串联电容电路中的电容为超级电容,或者,电解电容。