3、4脚，即发射极及集电极导通，电容三C3电压被拉低，功率管T9断开，接触器Jl控制电断开。此为过压保护电路，调节电阻一Rl、电阻二 R2的分压比可以调节过压保护电压的大小。
[0031]欠压保护和缺相保护共用一套电路，三相电压经整流后，必须高于瞬态抑制稳压二极管三TVSl的电压，否则光电耦合器一 Ul不会工作，因此当发生欠压的情况时，瞬态抑制稳压二极管三TVSl不能被击穿，光电耦合器一 Ul不工作，光电耦合器一 Ul的3脚，即发射极电压变为低电平，PNP型的三极管Ql导通，将电容三C3短路放电，从而拉低功率管T9的门极电压，关断三相接触器。改变瞬态抑制稳压二极管三TVSl的电压值可以改变欠压保护的电压大小。
[0032]如图3所示，当输入端发生缺相时，Ua，Ub，Uc变为单相输入，其整流之后的波形为单相整流波形，单相整流波形谷值很低，可以到低至0V，因此瞬态抑制稳压二极管三TVSl肯定有一段时间处于不导通状态，因此光电耦合器一 Ul处于脉动导通状态，在这种状态中，光电耦合器一 Ul导通时，三极管Ql关断，电容三C3被电阻七R7充电，电压缓缓升高，光电耦合器一 Ul关断时，三极管Ql导通，将电容三C3放电，由于放电电流是经过三极管Ql放大后的电流，因此放电很快，而由于电阻七R7阻值比较大，电容三C3的容值也比较大，其充电时间常数比较大，因此在下一个放电脉冲到来时，电容三C3的电压还没有被充上去，因此电容三C3两端还是一直处于低电压状态，此时MOS功率管T9关闭，接触器断开。
[0033]电路简单，成本低廉，设计巧妙，实现了多种保护功能，不需要使用敏感的检测芯片，如电压比较器，单片机等，可靠性高。
[0034]由于没有使用检测芯片，因此一次侧，如强电，不需要单独的控制电路供电，也没有芯片容易受干扰的问题，减小了控制电源设计的复杂程度。
[0035]强电和弱电之间使用光电耦合器完全隔离，保证了安全性，提高了抗干扰能力。
[0036]使用检测电网电压峰值的方法，此电路设计为脉动控制，只要电网电压的峰值达到可以触发光电耦合器一 U1、光电耦合器二 U2工作的情况，后端电路就可以进行异常情况判断，因为后端MOS功率管T9设计为强关断弱开通状态。
[0037]巧妙利用可编程稳压管TL431，此芯片常规应用为基准电压或可变稳压管，但此处作为开关来使用。
[0038]使用瞬态抑制稳压二极管三TVSl作为电压检测元件，此元件一般作为ESD防护，但此处类似于稳压管的作用，因为普通稳压管达不到很高的电压值，因此选用TVS瞬态抑制二极管，其精度完全满足设计要求。
【主权项】
1.一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，包括二极管、电阻、电容、光电耦合器、三极管、接触器、功率管，其特征在于:接触器(Jl)的一端分别连接电源、二极管七(D7)的阴极、电阻七(R7)的一端及光电耦合器一(Ul)的集电极；接触器(Jl)的另一端分别连接二极管七(D7)的阳极、功率管(T9)的漏电极；功率管(T9)的源极分别连接电容三(C3)的负极、三极管(Ql)的集电极、电阻六(R6)的一端、光电耦合器二(U2)的发射极及接地；功率管(T9)的门极分别连接电阻七(R7)的另一端、电容三(C3)的正极、三极管(Ql)的发射极及光电率禹合器二(U2)的集电极；光电稱合器一(Ul)发光管的正极分别连接电阻五(R5)的一端、电阻三(R3)的一端、电阻四(R4)的一端及光电耦合器二(U2)发光管的正极；电耦合器一(Ul)发光管的负极分别连接电阻五(R5)的另一端及稳压二极管一(Zl)的阴极；电耦合器二(U2)发光管的负极分别连接电阻四(R4)的另一端、稳压二极管二(Tl)的阴极；稳压二极管一(Zl)的阳极分别连接稳压二极管二(Tl)的阳极、电容一(Cl)的一端、电阻二(R2)的一端、二极管六(D6)的阳极、二极管四(D4)的阳极及二极管二(D2)的阳极；电阻三(R3)的另一端连接稳压二极管三(TVSl)的阳极，稳压二极管三(TVSl)的阴极分别连接电阻一(Rl)的一端、二极管五(D5)的阴极、二极管三(D3)的阴极及二极管一(Dl)的阴极；电容一(Cl)的另一端分别连接电阻一(Rl)的另一端及电阻二(R2)的另一端；二极管一(Dl)的阳极连接二极管二(D2)的阴极；二极管三(D3)的阳极连接二极管四(D4)的阴极；二极管五(D5)的阳极连接二极管六(D6)的阴极。
2.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的三极管(Ql)基极分别连接电阻六(R6)的另一端、光电耦合器一(Ul)的发射极。
3.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的稳压二极管二(Tl)为可编程稳压管TL431，并且稳压二极管二(Tl)的R脚分别连接电容一(Cl)的另一端、电阻一(Rl)的另一端及电阻二(R2)的另一端。
4.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的二极管一(Dl)与二极管二(D2)之间连接Ua电压。
5.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的二极管三(D3)与二极管四(D4)之间连接Ub电压。
6.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的二极管五(D5)与二极管六(D6)之间连接Uc电压。
7.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的电容三(C3)为电解电容。
8.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的光电稱合器一(Ul)及光电稱合器二(U2)的型号为PC817。
9.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的功率管(T9)的型号为2N7002K。
10.根据权利要求1所述的一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，其特征在于:所述的接触器(Jl)的型号为LC1-D2510。
【专利摘要】本发明涉及焊机电路技术领域，具体地说是一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路。一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，包括二极管、电阻、电容、光电耦合器、三极管、接触器、功率管。同现有技术相比，一种三相过压、欠压、缺相一体保护电路，通过执行机构切断供电线路从而起到保护用电设备和电网的作用，电路简单，成低廉，设计巧妙，实现了多种保护功能，不需要使用敏感的检测芯片，可靠性高。
【IPC分类】H02H3-20, H02H3-253
【公开号】CN104577968
【申请号】CN201510060790
【发明人】王金成, 何蒋
【申请人】上海和宗焊接设备制造有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年2月5日