上述比较器U2为TL431，该比较器的基准电压为2.5V或者1.25V。
[0031]而为达到更稳定安全的电路，所述双输出电源稳压保护电路8还包括第一电容Cl、第四电阻R4、第五电阻R5、第二电容C2、第六电阻R6和第七电阻R7。各器件在电路中的连接关系为:所述第一电容Cl的两端分别与所述比较器U2的阴极和所述比较器U2的参考端相连；所述第四电阻R4连接于所述比较器U2的阴极和所述第一三极管Ql的基极之间，所述第五电阻R5的两端分别与所述第一三极管Ql的基极和接地相连，所述第二电容C2的两端分别与所述第一三极管Ql的基极和接地相连；所述第六电阻R6的两端分别与所述第一三极管Ql的集电极和所述PMOS管Ul的栅极相连，所述第七电阻R7的两端分别与所述PMOS管Ul的漏极和栅极相连。
[0032]设置第一电容，可防止所述比较器发生自激振荡。
[0033]设置第四电阻、第五电阻和第二电容电路，可防止电路无动作。
[0034]第六电阻和第七电阻起到分压的作用。
[0035]所述双输出电源稳压保护电路8还包括一个稳压管ZD1，所述稳压管ZDl的阴极与所述PMOS管Ul的漏极相连，所述稳压管ZDl的阳极与所述PMOS管Ul的栅极相连。设置稳压管ZDl的作用是箝位所述PMOS管Ul的GS电压，防止尖峰干扰将所述PMOS管Ul的GS极间击穿。
[0036]所述双输出电源稳压保护电路8还包括输出短路保护电路12，所述输出短路保护电路12包括第八电阻R8、第九电阻R9和第二三极管Q2，所述第八电阻R8的两端分别与所述PMOS管Ul的漏极和所述第二三极管Q2的基极相连，所述第九电阻R9的两端分别与所述PMOS管Ul的源极和所述第二三极管Q2的基极相连，所述第二三极管Q2的集电极与所述第一三极管Ql的基极相连，所述第二三极管Q2的发射极接地。所述输出短路保护电路可在输出短路时，保护整个线路。
[0037]所述双输出电源稳压保护电路8还包括第三电容C3和第四电容C4，所述第三电容C3的两端分别与所述PMOS管的漏极和栅极相连，所述第四电容C4的两端分别与所述PMOS管的源极和栅极相连。设置第三电容C3和第四电容C4可延长稳压保护电路的作用时间。
[0038]所述双输出电源稳压保护电路8的工作原理如下:
[0039]通过在次绕组输出端上设置本发明所述的双输出电源稳压保护电路8，分压电路11从次绕组输出端取样，当取样电压大于比较器U2的参考电压时，比较器U2的阴极呈现低电位，第一三极管Ql为截止状态，此时，PMOS管Ul的GS间无电压差，PMOS管Ul为截止状态，使次绕组输出端电压降低；通过分压电路11取样，当取样电压小于比较器U2的参考电压时，比较器U2的阴极呈现高电位，第一三极管Ql为导通状态，此时，PMOS管Ul的GS间有电压差，PMOS管Ul导通，次绕组输出电压不变。通过上述的动态调节，使次绕组输出端的电压可维持稳定在额定电压范围内，有效保护负载。
[0040]并且，通过设置输出短路保护电路12，当输出短路时，第二三极管Q2的基极电压升高，第二三极管Q2为导通状态，将第一三极管Ql的基极电压拉低，使第一三极管Ql为截止状态，进而使PMOS管UI为截止状态，输出电压降低，因此保护了整个电路。
[0041]需要说明的是，本发明实施例以及本发明的其他实施例所涉及到的双输出电源稳压保护电路，除包括实施例中所涉及的电子元件之外，还包括本领域技术人员所公知的其他元件，为了突出本发明的发明思想，因此，在本发明的实施例中只对涉及本发明的发明思想的元件进行描述，对双输出电源稳压保护电路中所公知的其他元件不加赘述。
[0042]以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种双输出电源稳压保护电路，其特征在于:所述双输出电源稳压保护电路包括PMOS管、分压电路、比较器、第一电阻及第一三极管；所述PMOS管串联在双输出电源次绕组输出端，所述PMOS管的栅极与所述第一三极管的集电极相连；所述分压电路连接于所述PMOS管的源极与接地之间；所述比较器的参考端与所述分压电路相连，所述比较器的阴极与所述第一电阻的一端相连，所述比较器的阳极接地；所述第一电阻的另一端与所述PMOS管的源极相连；所述比较器的阴极还与所述第一三极管的基极相连，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极与所述PMOS管的栅极相连。2.根据权利要求1所述的一种双输出电源稳压保护电路，其特征在于:所述分压电路包括第二电阻和第三电阻，所述第二电阻和第三电阻为串联连接。3.根据权利要求1所述的一种双输出电源稳压保护电路，其特征在于:所述比较器为TL431。4.根据权利要求1所述的一种双输出电源稳压保护电路，其特征在于:所述双输出电源稳压保护电路还包括第一电容，所述第一电容的两端分别与所述比较器的阴极和所述比较器的参考端相连。5.根据权利要求1所述的一种双输出电源稳压保护电路，其特征在于:所述双输出电源稳压保护电路还包括第四电阻、第五电阻和第二电容，所述第四电阻连接于所述比较器的阴极和所述第一三极管的基极之间，所述第五电阻的两端分别与所述第一三极管的基极和接地相连，所述第二电容的两端分别与所述第一三极管的基极和接地相连。6.根据权利要求1所述的一种双输出电源稳压保护电路，其特征在于:所述双输出电源稳压保护电路还包括第六电阻和第七电阻，所述第六电阻的两端分别与所述第一三极管的集电极和所述PMOS管的栅极相连，所述第七电阻的两端分别与所述PMOS管的漏极和栅极相连。7.根据权利要求1所述的一种双输出电源稳压保护电路，其特征在于:所述双输出电源稳压保护电路还包括一稳压管，所述稳压管的阴极与所述PMOS管的漏极相连，所述稳压管的阳极与所述PMOS管的栅极相连。8.根据权利要求1所述的一种双输出电源稳压保护电路，其特征在于:所述双输出电源稳压保护电路还包括输出短路保护电路，所述输出短路保护电路包括第八电阻、第九电阻和第二三极管，所述第八电阻的两端分别与所述PMOS管的漏极和所述第二三极管的基极相连，所述第九电阻的两端分别与所述PMOS管的源极和所述第二三极管的基极相连，所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的基极相连，所述第二三极管的发射极接地。
【专利摘要】本发明属于直流电源稳压控制技术领域，公开了一种双输出电源稳压保护电路。所述双输出电源稳压保护电路包括PMOS管、分压电路、比较器、第一电阻及第一三极管；PMOS管串联在双输出电源次绕组输出端，PMOS管的栅极与第一三极管的集电极相连；分压电路连接于PMOS管的源极与接地之间；比较器的参考端与分压电路相连，比较器的阴极与第一电阻的一端相连，比较器的阳极接地；第一电阻的另一端与PMOS管的源极相连；比较器的阴极还与第一三极管的基极相连，第一三极管的发射极接地，第一三极管的集电极与PMOS管的栅极相连。所述双输出电源稳压保护电路无需借助辅助电源和滤波电容即可实现稳定电压的输出，电路结构简单。
【IPC分类】H02M1/32
【公开号】CN104917363
【申请号】CN201510226143
【发明人】张晓 , 陈东华, 张世桐
【申请人】惠州三华工业有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月4日