0还可以包括:与所述IGBT逆变模块并联的滤波电路，所述滤波电路可以为滤波电容C1，优选地，滤波电容C1两端还可以并联滤波电阻R1。
[0094]其中，当所述第一电磁器件和第二电磁器件为电抗器时，为了保证所述电抗器的输出信号的稳定性，参见图5，本申请上述实施例公开的技术方案中，所述电抗器与逆变模块200之间还设置有一单向二极管D0和滤波电容C2，所述单向二极管D0与所述电抗器串联且其阳极与所述电抗器的第二端相连，阴极与所述逆变模块200相连，所述滤波电容C2的一端与所述单向二极管D0的阴极相连，另一端接地。
[0095]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0096]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种逆变器，包括逆变模块，其特征在于，所述逆变器还包括至少一个降压隔离模块，所述降压隔离模块的输出端与所述逆变模块相连，所述降压隔离模块包括: 第一 IGBT逆变模块，及与所述第一 IGBT逆变模块的输出端相连的第一电磁器件； 第二 IGBT逆变模块，及与所述第二 IGBT逆变模块的输出端相连的第二电磁器件； 所述第一 IGBT逆变模块与所述第二 IGBT逆变模块的输入端串联或并联，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件的输出端并联后作为所述降压隔离模块的输出端； 所述第一 IGBT逆变模块与所述第二 IGBT逆变模块的电路相同且输出电压的相位相反；所述第一电磁器件和所述第二电磁器件的规格相同。2.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述第一IGBT逆变模块与所述第二 IGBT逆变模块均包括开关管，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件之间的距离为所述开关管开关频率电磁噪音波长的整数倍。3.根据权利要求2所述的逆变器，其特征在于，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件设置在同一支架上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的逆变器，其特征在于，所述电磁器件为电抗器或变压器。5.根据权利要求4所述的逆变器，其特征在于，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件均为变压器时，所述降压隔离模块还包括: 与所述第一电磁器件输出端相连的第一整流电路，所述第一整流电路的输出端与所述逆变模块相连； 与所述第二电磁器件输出端相连的第二整流电路，所述第一整流电路的输出端与所述逆变模块相连。6.根据权利要求5所述的逆变器，其特征在于，所述第一整流电路和第二整流电路为桥式整流电路。7.根据权利要求5或6所述的逆变器，其特征在于，所述第一IGBT逆变模块和第二 IGBT逆变模块均为Η桥逆变电路； 所述Η桥逆变电路包括: 并联的第一开关管支路和第二开关管支路，所述第一开关管支路和第二开关管支路的两个公共端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输入端和负输入端； 所述第一开关管支路和第二开关管支路均包括: 串联的第一开关管和第二开关管;所述第一开关管的第二端与第二开关管的第一端相连，且所述第一开关管的第一端和第二开关管的第二端作为所述第一开关管和第二开关管的公共端； 与所述第一开关管反向并联的第一二极管，第一二极管的阳极与所述第一开关管的第二端相连； 与所述第二开关管反向并联的第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述第二开关管的第二端相连； 所述第一开关管支路中所述第一开关管和第二开关管的公共端分别作为所述第一IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输出端，所述第二开关管支路中所述第一开关管和第二开关管的公共端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的负输出端； 所述第一电磁器件变压器的初级线圈的两端分别与所述第一 IGBT逆变模块正输出端和负输出端相连，次级线圈与所述第一整流电路的输入端相连;所述第二电磁器件变压器的初级线圈的两端分别与所述第二 IGBT逆变模块正输出端和负输出端相连，次级线圈与所述第二整流电路的输入端相连。8.根据权利要求5或6所述的逆变器，其特征在于，所述第一IGBT逆变模块和第二 IGBT逆变模块均为半桥逆变电路， 所述半桥逆变电路包括:串联的第三开关管和第四开关管;所述第三开关管的第二端与第四开关管的第一端相连，且所述第三开关管的第一端与第四开关管的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输入端和负输入端； 第三开关管两端反向并联第三二极管，所述第三二极管的阳极与所述第三开关管的第二端相连； 第四开关管两端反向并联第四二极管，所述第四二极管的阳极与所述第四开关管的第二端相连； 所述第四开关管的第一端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输出端;所述第四开关管的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的负输出端； 所述第一电磁器件变压器的初级线圈的两端分别与所述第一 IGBT逆变模块的正输出端和负输出端一一对应相连，所述第一电磁器件变压器的次级线圈与所述第一整流电路的输入端相连;所述第二电磁器件变压器的初级线圈的两端分别与所述第二 IGBT逆变模块的正输出端和负输出端一一对应相连，所述第二电磁器件变压器的次级线圈与所述第二整流电路的输入端相连。9.根据权利要求4所述的逆变器，其特征在于，所述第一电磁器件和第二电磁器件均为电抗器，所述第一 IGBT逆变模块和第二 IGBT逆变模块均为半桥逆变电路， 所述半桥逆变电路包括: 所述半桥逆变电路包括:串联的第三开关管和第四开关管;所述第三开关管的第二端与第四开关管的第一端相连，且所述第三开关管的第一端与第四开关管的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输入端和负输入端； 第三开关管两端反向并联第三二极管，所述第三二极管的阳极与所述第三开关管的第二端相连； 第四开关管两端反向并联第四二极管，所述第四二极管的阳极与所述第四开关管的第二端相连； 所述第四开关管的第一端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输出端;所述第四开关管的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的负输出端； 所述第一电磁器件电抗器的第一端与所述第一 IGBT逆变模块的正输出端相连，第二端及所述负输出端与所述逆变模块相连;所述第二电磁器件电抗器的第一端与所述第二 IGBT逆变模块的正输出端相连，第二端及所述负输出端与所述逆变模块相连。10.根据权利要求4所述的逆变器，其特征在于，所述降压隔离模块还包括:设置于所述第一 IGBT逆变模块和第一电磁器件变压器之间的隔直电容；设置于所述第二 IGBT逆变模块和第二电磁器件变压器之间的隔直电容。
【专利摘要】一种逆变器，通过在所述逆变器内设置为两个独立且规格相同的第一电磁器件和第二电磁器件，通过控制所述第一IGBT逆变模块和第二IGBT逆变模块分别向所述第一电磁器件和第二电磁器件输出相位相反的激励信号，即可使得所述第一电磁器件和第二电磁器件产生的电磁噪音的频率和振幅相同，并且本领域技术人员通过调节两个电磁器件的位置可进一步使得所述第一电磁器件和第二电磁器件产生的电磁噪音相互抵消，且由所述第一电磁器件和第二电磁器件漏磁引起的电磁辐射也会有一定程度的相互抵消，因此无需采用吸音材料，相较于现有技术而言成本较低。
【IPC分类】H02M7/5387, H02M1/44, H02M3/335
【公开号】CN105450011
【申请号】CN201511032514
【发明人】唐传明, 杨北辉
【申请人】深圳市英威腾交通技术有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年12月31日