M2的漏极，M0S管M2的栅极连接M0S管M4的栅极。M0S管M7的漏极连接M0S管M6的漏极，M0S管 M7的源极连接电阻R2的上端。电阻R2的下端连接电阻R3的上端，电阻R3的下端连接电阻R4 的上端，电阻R4的下端接地。晶体管Q2的基极连接电阻R3的下端，晶体管Q2的集电极连接电 阻R2的下端，晶体管Q2的发射极接地。M0S管M8的栅极连接M0S管M6的漏极，M0S管M8的漏极 连接M0S管M5的源极，M0S管M8的源极连接电阻R1的上端。晶体管Q1的基极连接电阻R1的上 端，晶体管Q1的集电极连接M0S管M8的栅极，晶体管Q1的发射极连接电阻R1的下端。1号工作 电压输出端口 VH0连接电阻R1的下端，电容C1的上端连接1号工作电压输出端口 VH0，电容C1 的下端接地。
[0026] 如图3所示，低压稳压供电电路用于输出电压值相对较低的2号工作电压Vr供相关 用电模块使用。低压稳压供电电路包括1号工作电压输入端口 VHI、2号基准电流输入端口 1八12、2号工作电压输出端口￥1^0、]?05管19至組3、晶体管〇3至〇4、电阻1?5至1?10、电容02。其 中，晶体管Q3、M0S管M11、M0S管M12以及电阻R9组成限流电路，限制低压稳压供电电路的输 出电流超过预定值。电阻R10与电容C2构成频率补偿电路，稳定低压稳压供电电路的输出电 压。低压稳压供电电路输出的2号工作电压Vr的表达式如下所不：
[0027]
[0028] 其中，VL为2号工作电压Vr的电压值，12为2号基准电流Ia2的电流值，R5为电阻R5的 阻值，R6为电阻R6的阻值，R7为电阻R7的阻值，R1Q为电阻R10的阻值，Vbe为晶体管Q4的基射极 电压值，II为低压稳压供电电路输出电流的电流值。低压稳压供电电路将高压稳压供电电 路的输出电压Vh做为其输入电压进行进一步的稳压，因此其输出具有更高的精准度，能够 满足低压用电模块对工作电压稳定性的要求。例如，当输入电压Vin为48V，外界温度变化范 围为-30°C至120°C，输出电流Ir变化范围为0至6mA，则2号工作电压Vr的变化范围为4.92V 至5.11V〇
[0029] 低压稳压供电电路中，1号工作电压输入端口 VHI连接M0S管Μ9的源极，M0S管Μ9的 栅极连接M0S管Μ10的栅极，M0S管Μ9的漏极连接晶体管Q4的集电极。2号基准电流输入端口 ΙΑΙ2连接M0S管Μ10的漏极，M0S管Μ10的源极连接M0S管Μ9的源极。晶体管Q4的集电极连接 MOS管M9的漏极，晶体管Q4的发射极连接电阻R7的上端，电阻R7的下端接地。晶体管Q3的集 电极连接M0S管Ml 2的漏极，晶体管Q3的发射极连接电阻R5的上端，电阻R5的下端连接电阻 R6的上端，电阻R6的下端接地。M0S管M13的栅极连接2号基准电流输入端IAI2，M0S管M13的 漏极连接晶体管Q3的基极，晶体管Q3的基极连接电阻R9的上端，电阻R9的下端连接电阻R5 的上端。2号工作电压输出端口 VL0连接电阻R10的下端，电阻R10的上端连接电阻R9的下端。 电容C2的上端连接2号工作电压输出端口 VL0，电容C2的下端接地。
[0030]如图4所示，PTAT基准电流电路主要用于产生与温度成正比例变化的电流，并作为 基准电流输入到高压稳压供电电路和低压稳压供电电路中。PTAT基准电流电路包括输入电 压端口 VIN，1号基准电流输出端口 IA01、2号基准电流输出端口 IA02、M0S管M14至M31、晶体 管Q5至Q8、电阻R11至R12、二极管D1。其中输入电压端口 VIN连接M0S管M31的漏极，M0S管M31 的源极连接M0S管Ml 6的源极，M0S管M31的栅极连接M0S管Ml 4的源极。电阻R11的上端连接输 入电压端口 VIN，电阻R11的下端连接M0S管M14的漏极。M0S管M14的源极连接M0S管M15的漏 极，M0S管M15的源极连接二极管D1的阴极，二极管D1的阳极接地。晶体管Q5的集电极连接 M0S管M16的漏极，晶体管Q5的基极连接晶体管Q7的基极，晶体管Q5的发射极连接晶体管Q6 的集电极。晶体管Q6的基极连接晶体管Q8的集电极，晶体管Q6的发射极连接电阻R12的上 端，电阻R12的下端接地。晶体管Q7的集电极连接M0S管Ml 7的漏极，晶体管Q7的发射极连接 晶体管Q8的集电极。晶体管Q8的基极连接晶体管Q6的漏极，晶体管Q8的发射极接地。1号基 准电流输出端口 IA01连接M0S管M29的漏极，M0S管M29的栅极连接M0S管M25的漏极。M0S管 M30的漏极连接M0S管M29的源极，M0S管M30的栅极连接M0S管M26的漏极，M0S管M30的源极接 地。2号基准电流输出端口 IA02连接M0S管M27的漏极，M0S管M27的栅极连接M0S管M25的漏 极。M0S管M28的漏极连接M0S管M27的源极，M0S管M28的栅极连接M0S管M26的漏极，M0S管M28 的源极接地。
[0031 ]需要说明的是，上述各技术特征继续相互组合，形成未在上面列举的各种实施例， 均视为本发明说明书记载的范围；并且，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加 以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1. 应用于反激式开关电源控制芯片的稳压供电电路，其特征在于，其包括输入电压端 口、PTAT基准电流电路、高压稳压供电电路、低压稳压供电电路； 输入电压端口提供输入电压给高压稳压供电电路和PTAT基准电流电路； PATA基准电流电路输出1号基准电流到高压稳压供电电路，并输出2号基准电流到低压 稳压供电电路； 高压稳压供电电路输出1号工作电压给高压用电模块使用，并将1号工作电压输入到低 压稳压供电电路中； 低压稳压供电电路输出2号工作电压给低压用电模块使用。2. 根据权利要求1所述应用于反激式开关电源控制芯片的稳压供电电路，其特征在于， 高压稳压供电电路包括输入电压端口、1号基准电流输入端口、1号工作电压输出端口、1至8 号MOS管、1至2号晶体管、1至4号电阻、1号电容。3. 根据权利要求2所述应用于反激式开关电源控制芯片的稳压供电电路，其特征在于， 输入电压端口连接1号MOS管的源极，1号MOS管的栅极连接3号MOS管的栅极，1号MOS管的漏 极连接2号MOS管的源极； 1号基准电流输入端口连接2号MOS管的漏极，2号MOS管的栅极连接4号MOS管的栅极； 7号MOS管的漏极连接6号MOS管的漏极，7号MOS管的源极连接2号电阻的上端； 2号电阻的下端连接3号电阻的上端，3号电阻的下端连接4号电阻的上端，4号电阻的下 端接地； 2号晶体管的基极连接3号电阻的下端，2号晶体管的集电极连接2号电阻的下端，2号晶 体管的发射极接地； 8号MOS管的栅极连接6号MOS管的漏极，8号MOS管的漏极连接5号MOS管的源极，8号MOS 管的源极连接1号电阻的上端； 1号晶体管的基极连接1号电阻的上端，1号晶体管的集电极连接8号MOS管的栅极，1号 晶体管的发射极连接1号电阻的下端； 1号工作电压输出端口连接1号电阻的下端，1号电容的上端连接1号工作电压输出端 口，1号电容的下端接地。4. 根据权利要求1所述应用于反激式开关电源控制芯片的稳压供电电路，其特征在于， 低压稳压供电电路包括1号工作电压输入端口、2号基准电流输入端口、2号工作电压输出端 口、9至13号MOS管、3至4号晶体管、5至10号电阻、2号电容。5. 根据权利要求4所述应用于反激式开关电源控制芯片的稳压供电电路，其特征在于， 1号工作电压输入端口连接9号MOS管的源极，9号MOS管的栅极连接10号MOS管的栅极，9号 MOS管的漏极连接4号晶体管的集电极； 2号基准电流输入端口连接10号MOS管的漏极，10号MOS管的源极连接9号MOS管的源极； 4号晶体管的集电极连接9号MOS管的漏极，4号晶体管的发射极连接7号电阻的上端，7 号电阻的下端接地； 3号晶体管的集电极连接12号MOS管的漏极，3号晶体管的发射极连接5号电阻的上端，5 号电阻的下端连接6号电阻的上端，6号电阻的下端接地； 13号MOS管的栅极连接2号基准电流输入端，13号MOS管的漏极连接3号晶体管的基极，3 号晶体管的基极连接9号电阻的上端，9号电阻的下端连接5号电阻的上端； 2号工作电压输出端口连接10号电阻的下端，10号电阻的上端连接9号电阻的下端； 2号电容的上端连接2号工作电压输出端口，2号电容的下端接地。6. 根据权利要求1所述应用于反激式开关电源控制芯片的稳压供电电路，其特征在于， PTAT基准电流电路包括输入电压端口，1号基准电流输出端口、2号基准电流输出端口、14至 31号MOS管、5至8号晶体管、11至12号电阻、1号二极管。7. 根据权利要求6所述应用于反激式开关电源控制芯片的稳压供电电路，其特征在于， 输入电压端口连接31号MOS管的漏极，31号MOS管的源极连接16号MOS管的源极，31号MOS管 的栅极连接14号MOS管的源极； 11号电阻的上端连接输入电压端口，11号电阻的下端连接14号MOS管的漏极； 14号MOS管的源极连接15号MOS管的漏极，15号MOS管的源极连接1号二极管的阴极，1号 二极管的阳极接地； 5号晶体管的集电极连接16号MOS管的漏极，5号晶体管的基极连接7号晶体管的基极，5 号晶体管的发射极连接6号晶体管的集电极； 6号晶体管的基极连接8号晶体管的集电极，6号晶体管的发射极连接12号电阻的上端， 12号电阻的下端接地； 7号晶体管的集电极连接17号MOS管的漏极，7号晶体管的发射极连接8号晶体管的集电 极； 8号晶体管的基极连接6号晶体管的漏极，8号晶体管的发射极接地； 1号基准电流输出端口连接29号MOS管的漏极，29号MOS管的栅极连接25号MOS管的漏 极； 30号MOS管的漏极连接29号MOS管的源极，30号MOS管的栅极连接26号MOS管的漏极，30 号MOS管的源极接地； 2号基准电流输出端口连接27号MOS管的漏极，27号MOS管的栅极连接25号MOS管的漏 极； 28号MOS管的漏极连接27号MOS管的源极，28号MOS管的栅极连接26号MOS管的漏极，28 号MOS管的源极接地。
【专利摘要】本发明提供了一种应用于反激式开关电源控制芯片的稳压供电电路，其包括四个部分，分别为输入电压端口、PTAT基准电流电路、高压稳压供电电路、低压稳压供电电路。本发明输出的工作电压有两路，且电压值不同，能够为开关电源控制芯片不同用电模块提供稳定的工作电压。通过设计相应稳压模块和限流模块，本发明充分保证了输出的稳定性，受输入电压及外界温度变化的影响很小，具有较高的精准度，充分满足了反激式开关电源控制芯片稳压供电的需求。
【IPC分类】H02M3/156
【公开号】CN105515380
【申请号】CN201510900986
【发明人】栗伟周, 罗书克, 侯克淅, 邵珠雷
【申请人】许昌学院
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月5日