的交流市电AC，输出直流电压作为直流变换器3的输入电压VIN。
[0046]具体地，EMI滤波器4包括输入电容Cl、晶体管Ql以及控制电路41。
[0047]输入电容Cl并联连接在直流变换器4的输入端，用以对所述输入电压Vin进行滤波。
[0048]晶体管Ql，其第一端连接至输入电容Cl的第二端，输入电容Cl的第一端连接至整流电路I的第一输出端a，晶体管Ql的第二端连接至地，也即整流电路I的第二输出端b。在本发明实施例中，晶体管Ql以N沟道增强型的场效应晶体管为例加以说明。晶体管Ql受控地动态改变其第一端(本实施例中为晶体管Ql的漏极)的电压Vdl—Drain，来补偿开关电源中输入电容Cl的纹波，以得到平滑的且无开关频率纹波的输入电流。
[0049]控制电路41，用于根据表征输入电压纹波信息的反馈电压Vfb和流过晶体管Ql的电流Iq1，或者，根据表征输入电压纹波信息的反馈电压Vfb和晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain，生成晶体管Ql的控制信号VC，控制信号￥(；用于调整晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain，以使得输入电流不含有开关频率的纹波。这里，表征输入电压纹波信息的反馈电压Vfb可以是晶体管Ql第一端的电压VQl—Drain的电压米样信号，也可是输入电容Cl两端的电压的纹波电压。
[0050]优选地，控制电路41可以包括电压采样电路42、参考信号生成电路43以及控制信号生成电路44。其中，
[0051]电压采样电路42，用于根据表征输入电压纹波信息的反馈电压Vfb生成一电压采样信号Vs;参考信号生成电路43，用于根据电压采样信号Vs，生成参考信号Vref;控制信号生成电路44，用于根据参考信号Vref和流过晶体管Ql的电流Iq1，或者根据参考信号Vref和晶体管Ql第一端的电压Vqi—Drain，生成控制信号Vg。控制信号Vg用于调整晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain，以使得输入电流不含有开关频率的纹波。
[0052]由此，本发明技术采用主动式的EMI滤波器，通过动态改变晶体管第一端的电压，来补偿开关电源的输入电容上的纹波，得到平滑的无开关频率纹波的输入电流。达到防止高频谐波流入电网，造成谐波污染的目的，且本发明技术实现方法简单，利用半导体器件滤除开关频率的纹波，比无源器件大大节省了空间，更可以适用于全表面贴装器件的应用场入口 ο
[0053]以下结合具体实施例，详细说明依据本发明的EMI滤波器的控制电路41中各电路结构的具体实现方式及工作原理。
[0054]参考图3，所示为依据本发明第二实施例的开关电源中控制电路的电路示意图。
[0055]在本实施例中，EMI滤波器4中的控制电路41包括:
[0056]第一电压采样电路421，用于接收晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain，生成第一电压采样信号Vsi。优选地，第一电压米样电路421包括:
[0057]微分电路4211，连接在晶体管Ql的第一端和地之间，用于接收晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain并将其进行微分运算。在本实施例中，微分电路4211由电容C3和电阻Rl串联构成，且电阻Rl的一端接地。微分电路4211将晶体管Ql第一端的电压Vqi—Drain进行微分运算后，在电容C3和电阻Rl的公共节点输出微分电压信号Vdif，并获取流过电阻Rl的电流作为微分电流信号Idlf。可以理解的是，微分电路4211也可以选用其他形式的微分电路结构，只要能够进行微分运算即可。
[0058]过零检测电路4212，用于根据微分电压信号VdlfS微分电流信号Idlf，生成过零检测信号Vzerci。如图4所不，由于晶体管Ql第一端的电压Vqi—Drain是一个具有较大波动的电压信号，将其进行微分运算处理后，有利于方便地采样其峰值电压或谷值电压。根据电路原理，在微分电路4211输出的微分电压信号Vdif或微分电流信号Idif过零时，即为晶体管Ql第一端的电压Vdl—Drain的峰值点或者谷值点。进一步地，在微分电压信号Vdif或微分电流信号Idif由正到负过零时，即为晶体管Ql第一端的电压Vqi—Drain的峰值点;在微分电压信号Vdif或微分电流信号Idlf由负到正过零时，即为晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain的谷值点。因此，可以通过在微分电压信号Vdif或微分电流信号Idif过零时，生成一个过零检测信号Vzerci，以方便米样晶体管Ql第一端的电压Vdl—Drain的峰值或谷值。
[0059]需要说明的是，在本实施例中，为了获得最优的效率，采样的是晶体管Ql第一端的电压Vdl—Drain的谷值。从而，在微分电压信号Vdif或微分电流信号Idif由负到正过零时，生成所述过零检测信号VZERO。
[0060]采样保持电路4213，用于根据晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain和过零检测信号Vzerci，生成第一电压米样信号Vsi。米样保持电路4213在过零检测信号Vzerci为有效电平时，获取晶体管Ql第一端的电压VQl—Drain，以获得晶体管Ql第一端的电压VQl—Drain的谷值作为第一电压米样信号Vsi。
[0061]可以理解的是，若在其他实施方式中，第一电压采样电路421采样的是晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain的平均值时，则不需要微分电路4211和过零检测电路4212。
[0062]第一参考信号生成电路431，用于根据第一电压米样信号Vsi，生成电流参考信号Viref。优选地，第一参考信号生成电路431包括:
[0063]第一运算放大器AMPl，其同相输入端接收第一电压米样信号Vsi，反相输入端接收一基准电压VI;
[0064]补偿电路4311，连接在第一运算放大器AMPl的输出端和地之间，在其非接地的一端生成电流参考信号Viref。其包括串联连接在第一运算放大器AMPI的输出端和地之间的电阻R2和电容C4，以及连接在第一运算放大器AMPl的输出端和地之间的电容C5。第一运算放大器AMPl根据基准电压Vl和第一电压采样信号Vs1的差值向补偿电路4311注入或抽取电流。从而可以根据基准电压Vl和第一电压采样信号Vs1的差值在补偿电路4311非接地的一端生成电流参考信号Viref。基准电压Vl用于表征晶体管Ql第一端的电压Vqi—Drain的谷值。应理解，补偿电路4311还可以采用其它结构，例如采用仅包括电容的补偿电路。
[0065]由此，可以通过第一电压采样电路421，得到晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain每个开关周期的谷底电压，且可以通过第一参考信号生成电路431的调节使得晶体管Ql第一端的电压Vqi—Drain的谷值稳定在基准电压Vl。参考图4所不的晶体管Ql第一端的电压Vqi—Drain的电压波形，可以知道这样只对晶体管Ql第一端的电压VQ1—Drain的下包络线进行控制，同时基准电压Vl也应选取尽量小的值(只要保证一定的可调节余地即可)，可以实现使得晶体管Ql第一端的电压Vdl—Drain几乎只含有开关频率纹波电压成分，不含有过多的直流成分，这样不仅降低了晶体管Ql的损耗，更不会给系统造成多余的损耗。
[0066]第一控制信号生成电路441，用于根据电流参考信号V皿F和流过晶体管Ql的电流IQ1，生成晶体管Ql的第一控制信号VC1。第一控制信号生成电路441包括第二运算放大器AMP2，其同相输入端接收电流参考信号Viref，反相输入端接收流过晶体管Ql的电流Iq1，输出晶体管Ql的第一控制信号Vg1。这里，通过电流采样电阻R3获得流过晶体管Ql的电流Iq1。晶体管Ql的第一控制信号Vg1连接至晶体管Ql的控制端，以改变晶体管Ql的导通状态，从而调整流过其的电流I W。
[0067]由第一参考信号生成电路431输出的电流参考信号Viref是一个没有开关纹波的信号，更进一步地，设置补偿电路4311内元器件的参数，可以实现电流参考信号Viref是一个与输入电压VIN同相位的近似正弦的信号，如图4中所示。以此电流参考信号作为流过晶体管Ql的电流Iq1的参考基准，可以实现使得输入电流只跟踪开关电流Isw的工频分量，而没有开关频率分量。