本实用新型的核心部分，用反向串联的相同功率的两只稳压二极管管，来替代双向二极管。这样，可以通过选择功率足够大的稳压二极管，来保证稳压二极管流过的触发电流可以满足大功率双向可控硅触发电流的需求。可以通过调整这两只稳压管的稳压值，来匹配双向可控硅正负半周不一样的触发电压值，从而保证正负半周过压保护值比较一致。
[0034]5、整流模块:通过整流桥或者四只二极管，把交流电源整流为直流电源。
[0035]6、滤波模块:通过大容量铝电解电容，或者CLC滤波电路实现滤波，以获得更加理想的直流电。
[0036]7、直流用电设备:可以是实现一定功能的单元板，也可以是摄像机，传感器等用电设备。
[0037]如图3所示，一种交流电流源过压保护电路，它包括稳压单元和双向可控硅Q1，所述稳压单元的一端通过电阻Rl与电流输入端INA连接，通过电容Cl与电流输入端INB连接，稳压单元的另一端通过电阻R2与双向可控硅Ql的G极和电容C2连接，电容C2的另一端和双向可控硅Ql的Tl极均与电流输入端INB连接，双向可控硅Ql的T2极与电流输入端INA连接。
[0038]所述的稳压单元包括反向串联的稳压二极管Zl和稳压二极管Z2。
[0039]所述的稳压二极管Zl的正极与稳压二极管Z2的正极连接，稳压二极管Zl的负极与稳压单元的一端连接，稳压二极管Z2的负极与稳压单元的另一端连接。
[0040]或者，所述的稳压二极管Zl的负极与稳压二极管Z2的负极连接，稳压二极管Zl的正极与稳压单元的一端连接，稳压二极管Z2的正极与稳压单元的另一端连接。
[0041]所述的双向可控硅Ql为三象限双向可控硅。
[0042]所述的稳压二极管Zl和稳压二极管Z2的功率相同。
[0043]所述的稳压二极管Zl和稳压二极管Z2的稳压值可以相同。
[0044]所述的稳压二极管Zl和稳压二极管Z2的稳压值也可以不同。
[0045]假设稳压二极管Zl的稳压值为VZ1，稳压二极管Z2的稳压值为VZ2，稳压二极管Zl的正向导通电压为VF1，稳压二极管Z2的正向导通电压为VF2，双向可控硅Ql的一象限门限触发电压值(即Tl极的门限触发电压)为VG1，双向可控硅的三象限门限触发电压值(即G极的门限触发电压)为VG3。
[0046]输入过压保护分以下两种情况
[0047](I)输入电压INA大于输入电压INB时。
[0048]当输入电压INA大于输入电压INB时，电流流过电阻R1，给滤波电容Cl充电。
[0049]C点电位(即稳压二极管Zl的正极、电阻Rl和电容Cl间的交点)相对于INB电位的电位差逐步升高，当C电位和INB电位间的电位差大于VFl与VZ2之和时，电流依次流过稳压二极管Z1、稳压二极管Z2和电阻R2，给电容C2充电，特别的是，此时稳压二极管Zl两端压降为VF1，而稳压二极管Z2两端压降为VZ2。
[0050]D点电位(即电阻R2、电容C2和双向可控硅Ql的G极间的交点)相对于INB电位的电位差逐步升高，当D电位和INB电位间的电位差大于双向可控硅Ql的一象限门限触发电压值VGl时，双向可控硅Ql的Tl极和T2极导通，电流依次流过双向可控硅Ql的T2极和Tl极，实现输入过压保护功能。
[0051 ] (2)输入电压INB大于输入电压INA时。
[0052]当输入电压INB大于输入电压INA时，电流流过电阻R1，滤波电容Cl放电。
[0053]C点电位相对于INB电位的电位差逐步降低，当C电位和INB电位间的电位差大于VZl与VF2之和时，电流依次流过稳压二极管Z1、稳压二极管Z2和电阻R2，给电容C2充电，特别的是，此时稳压二极管Zl两端压降为VZ1，而稳压二极管Z2两端压降为VF2。
[0054]D点电位相对于INB电位的电位差逐步降低，当D电位和INB电位间的电位差等于双向可控硅Ql的第三象限门限触发电压值VG3时，双向可控硅Ql的Tl极和T2极导通，电流依次流过双向可控硅Ql的Tl极和T2极，实现输入过压保护功能。
[0055]由于一般情况下，大功率的双向可控硅的门极触发电流更大，因此在本实用新型中，需选择功率足够大的稳压二极管，这样就可以稳定可靠的触发大功率的双向可控硅。
[0056]通过稳压二极管Z1、稳压二极管Z2和双向可控硅的一三象限门极触发配对，就可以保证正向和负向的过压保护值一致，即，使VZ2+VG1=VZ1+VG2。
【主权项】
1.一种交流电流源过压保护电路，其特征在于:它包括稳压单元和双向可控硅Q1，所述稳压单元的一端通过电阻Rl与输入端INA连接，通过电容Cl与输入端INB连接，稳压单元的另一端通过电阻R2与双向可控硅Ql的G极和电容C2连接，电容C2的另一端和双向可控硅Ql的Tl极均与输入端INB连接，双向可控硅Ql的T2极与输入端INA连接； 所述的稳压单元包括反向串联的稳压二极管Zl和稳压二极管Z2。
2.根据权利要求1所述的一种交流电流源过压保护电路，其特征在于:所述的稳压二极管Zl的负极与稳压二极管Z2的负极连接，稳压二极管Zl的正极与稳压单元的一端连接，稳压二极管Z2的正极与稳压单元的另一端连接。
3.根据权利要求1所述的一种交流电流源过压保护电路，其特征在于:所述的稳压二极管Zl的正极与稳压二极管Z2的正极连接，稳压二极管Zl的负极与稳压单元的一端连接，稳压二极管Z2的负极与稳压单元的另一端连接。
4.根据权利要求1所述的一种交流电流源过压保护电路，其特征在于:所述的双向可控硅Ql为三象限双向可控硅。
5.根据权利要求1所述的一种交流电流源过压保护电路，其特征在于:所述的稳压二极管Zl和稳压二极管Z2的功率相同。
6.根据权利要求1所述的一种交流电流源过压保护电路，其特征在于:所述的稳压二极管Zl和稳压二极管Z2的稳压值相同。
7.根据权利要求1所述的一种交流电流源过压保护电路，其特征在于:所述的稳压二极管Zl和稳压二极管Z2的稳压值不同。
【专利摘要】本实用新型公开了一种交流电流源过压保护电路，它包括稳压单元和双向可控硅Q1，所述稳压单元的一端通过电阻R1与输入端INA连接，通过电容C1与输入端INB连接，稳压单元的另一端通过电阻R2与双向可控硅Q1的G极和电容C2连接，电容C2的另一端和双向可控硅Q1的T1极均与输入端INB连接，双向可控硅Q1的T2极与输入端INA连接；所述的稳压单元包括反向串联的稳压二极管Z1和稳压二极管Z2。本实用新型采用两只稳压二极管代替传统双向可控硅过压保护电路中的双向二极管；可以确保过压保护电路的稳定可靠；可以确保正负半周过压保护触发值一致。
【IPC分类】H02H3-20
【公开号】CN204578059
【申请号】CN201520238373
【发明人】李绍飞, 宋昌林, 陈方春
【申请人】四川汇源光通信有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年4月20日