一种基于晶体管特性的电源保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电源保护电路，具体是一种基于晶体管特性的电源保护电路。
【背景技术】
[0002]现世面上常用适配器输出电压多样化5V、9V、12V、24V等，且上述电压适配器DC头目前没有统一的技术标准，若家庭中上述各个电压的适配器共存同时所有适配器的DC头在不同电压需求产品上均能拔插，则存在适配器混淆的可能性。
[0003]当出现混淆使用时，适配器电压低于使用机器时，机器工作状态不确定，会出现开机部分功能不正常或者完全不开机的可能性；当适配器高于使用机器时，则会出现烧毁整个电源系统，甚至打火以至于引发更多严重后果。
[0004]另外，若出现适配器异常，适配器输出电压不正常时，也会出现上述现象。
[0005]综上所诉，若适配器提供电压与机器输入电压不匹配时，会有很多诸多异常现象出现。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的在于提供一种基于晶体管特性的电源保护电路，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0007]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0008]—种基于晶体管特性的电源保护电路，包括三极管Q1、三极管Q2和电阻R1，所述电阻Rl的一端连接电阻R3、三极管Ql的发射极、三极管Q2的发射极和电源VCC，三极管Ql的基极连接电阻Rl和电阻R2，电阻R2的另一端连接电阻R4并接地，三极管Ql的集电极连接电阻R3的另一端、电阻R4的另一端和三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接电阻R5和DC-DC芯片。
[0009]作为本实用新型的优选方案:所述三极管Ql和三极管Q2均为PNP型三极管。
[0010]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型基于晶体管特性的电源保护电路具有以下优点:1、实现电压高于或低于某一设定值时整个电源系统不工作，来实现对整机的保护作用；2、采用较简单的晶体管以及外围配合电阻，在实现保护功能的同时，成本控制在最低。
【附图说明】
[0011]图1为基于晶体管特性的电源保护电路的电路图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合【具体实施方式】对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0013]请参阅图1，一种基于晶体管特性的电源保护电路，包括三极管Ql、三极管Q2和电阻R1，所述电阻Rl的一端连接电阻R3、三极管Ql的发射极、三极管Q2的发射极和电源VCC，三极管Ql的基极连接电阻Rl和电阻R2，电阻R2的另一端连接电阻R4并接地，三极管Ql的集电极连接电阻R3的另一端、电阻R4的另一端和三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接电阻R5和DC-DC芯片。
[0014]三极管Ql和三极管Q2均为PNP型三极管。
[0015]本实用新型的工作原理是:电路由两个PNP型硅管三极管Q1、Q2，偏置电阻R1、R2、R3、R4，下拉负载电阻R5组成。偏置电阻通过分压，三极管基极会有一个偏置电压。
[0016]RU R2、QU R4组成的放大电路，此处称为Vl系统。当Rl与R2的理论分压值大于Vcc-0.7V时，三极管Ql处于饱和状态，Ql导通，集电极电压等于Vcc ;当町与R2的理论分压值小于Vcc-0.7V时，三极管Ql处于放大或截止状态，输出电压小于Vcc。放大区域较小，且对电阻参数略有影响，因此下文均忽略放大区域，当分压值小于Vcc-0.7V时，视为截止区。当Ql工作在截止区时，集电极输出电压为低，输出电压跟随后段电路电压。
[0017]R3、R4、Q2、R5组成的放大电路，此处称为V2系统，同时该电路受Vl系统影响，当Ql导通时集电极输出高电平Vcc，Q2处于截止状态，集电极输出低电平；当Ql截止时，Ql集电极随V2系统偏置电阻变化而变化，即是Vl系统对V2系统无任何影响。此时，V2系统工作原理与Vl系统完全一样。
[0018]当输入电压为正常工作电压范围内时，要求DC-DC—EN网络输出高电平给到DC-DC模块。此时要求Vl系统三极管Ql截止，V2系统三极管Q2导通，DC-DCEN网络输出电压即为Vcc ;当输入电压不在正常范围内时，要求DC-DC—EN网络输出低电平给到DC-DC模块。此时要求Vl系统三级管Ql导通或者Vl系统三极管Ql截止、V2系统三级管Q2也截止，DC-DCEN网络输出电压即为O。
[0019]理论偏置电压为Vcc/(R1+R2)*R2，由此可见，理论偏置电压与Vcc成正比。此处把Vl系统作为低压保护系统，将V2系统作为高压保护系统。当电压低压1V时，Vl导通，DC-DCEN输出低电平；当电压高于14V时Vl截止。V2导通，DC-DCEN输出低电平。
[0020]计算电阻阻值，此处已12V电源输入为例。低于1V低压保护时:
[0021]10-0.7 = 10/(R1+R2)*R2
[0022]高于14V高压保护时:
[0023]14-0.7 = 14/(R3+R4)*R4
[0024]因此计算方法忽略放大区，实际使用时还需要在理论结果上微调。另外，此电路只是需要提供高低电平状态，驱动能力不需要太强。为了减少功耗，偏置电阻中较大的可选择百K级。
[0025]当5V、9V等其他电源系统需要保护时，原理相同。只需要改变偏置电阻参数即可。
[0026]上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。
【主权项】
1.一种基于晶体管特性的电源保护电路，包括三极管Q1、三极管Q2和电阻R1，其特征在于，所述电阻Rl的一端连接电阻R3、三极管Ql的发射极、三极管Q2的发射极和电源VCC，三极管Ql的基极连接电阻Rl和电阻R2，电阻R2的另一端连接电阻R4并接地，三极管Ql的集电极连接电阻R3的另一端、电阻R4的另一端和三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接电阻R5和DC-DC芯片。2.根据权利要求1所述的基于晶体管特性的电源保护电路，其特征在于，所述三极管Ql和三极管Q2均为PNP型三极管。
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于晶体管特性的电源保护电路，包括三极管Q1、三极管Q2和电阻R1，所述电阻R1的一端连接电阻R3、三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极和电源VCC，三极管Q1的基极连接电阻R1和电阻R2，电阻R2的另一端连接电阻R4并接地，三极管Q1的集电极连接电阻R3的另一端、电阻R4的另一端和三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接电阻R5和DC-DC芯片。本实用新型基于晶体管特性的电源保护电路具有以下优点：1、实现电压高于或低于某一设定值时整个电源系统不工作，来实现对整机的保护作用；2、采用较简单的晶体管以及外围配合电阻，在实现保护功能的同时，成本控制在最低。
【IPC分类】H02H7/10
【公开号】CN204858528
【申请号】CN201520686437
【发明人】谢斌
【申请人】深圳市视维科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年9月7日