原边反馈内置mos管芯片的开关电源的制作方法
【专利说明】
[技术领域]
[0001]本实用新型涉及一种原边反馈内置MOS管芯片的开关电源。
[【背景技术】]
[0002]现有技术中，市场上的开关电源，要么是S0T23-6，有六管脚搭配MOS管，电源体积较大；要么是DIP-8，有八管脚搭配插件八只脚，MOS管集成在内，体积较大。
[0003]为此，需要一种能实现相同功率、体积较小的开关电源，满足市场小体积需求。
[【实用新型内容】]
[0004]本实用新型提供了一种原边反馈内置MOS管芯片的开关电源，其能实现相同功率、且体积小，满足市场小体积的需求。
[0005]本实用新型的技术方案是:
[0006]一种原边反馈内置MOS管芯片的开关电源，包括桥堆和变压器，还包括:PWM芯片、第一至第四电容、电感、第一至第五电阻、第一二极管和第二二极管；其中，PffM芯片型号为G1158 ；
[0007]桥堆的输出端分别与电感的一端、第一电容的一端连接，电感的另一端分别与第二电容的一端、第一电阻的一端、第三电容的一端、第二电阻的一端及变压器原边的结束端连接，第一电容的另一端和第二电容的另一端分别接地，第三电容的另一端与第二电阻的另一端连接、并与第一二极管的负极端连接，第一二极管的正极端与变压器原边的起始端连接；
[0008]第一电阻的另一端通过第四电容接地，变压器辅助绕组的起始端与第二二极管的正端、第三电阻的一端连接，第二二极管的负端与PWM芯片的VDD管脚连接，变压器辅助绕组的结束端接地；
[0009]第三电阻的另一端通过第四电阻接地、并与PffM芯片的INV管脚连接，PffM芯片的COMP管脚通过第五电容接地，PffM芯片的CS管脚通过第五电阻接地，PffM芯片的GND管脚接地，PffM芯片的两个DRAIN管脚分别与变压器原边的起始端连接。
[0010]本实用新型将内置MOS管的PffM芯片G1158应用到开关电源里，并通过变压器辅助绕组供电，第三电阻和第四电阻的连接点作为电压侦测点，以此来启动控制PWM芯片，该PWM芯片采用S0P-7搭配贴片七只脚、内置MOS管，可以实现相同功率、体积较小的优点，满足市场小体积的需求。
[【附图说明】]
[0011]图1是本实用新型开关电源的电路原理图。
[【具体实施方式】]
[0012]为了使本实用新型的目的、技术方案以及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施方式，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的【具体实施方式】仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0013]下面结合附图对本实用新型的具体实施例做一详细的阐述。
[0014]请参照图1，一种原边反馈内置MOS管芯片的开关电源，包括桥堆BDl和变压器Tl，还包括:PWM芯片、第一至第四电容C1-C4、电感L1、第一至第五电阻R1-R5、第一二极管Dl和第二二极管D2 ;其中，PffM芯片型号为G1158，为市场上可以购买得到的芯片，具体生产厂家为环球半导体有限公司、英文名为GLOBAL SEMICONDUCTOR LIMITED ；
[0015]桥堆BDl的输出端分别与电感LI的一端、第一电容Cl的一端连接，电感LI的另一端分别与第二电容C2的一端、第一电阻Rl的一端、第三电容C3的一端、第二电阻R2的一端及变压器Tl原边的结束端连接，第一电容Cl的另一端和第二电容C2的另一端分别接地，第三电容C3的另一端与第二电阻R2的另一端连接、并与第一二极管Dl的负极端连接，第一二极管Dl的正极端与变压器Tl原边的起始端连接；
[0016]第一电阻Rl的另一端通过第四电容C4接地，变压器辅助绕组NAUX的起始端与第二二极管D4的正端、第三电阻R3的一端连接，第二二极管D2的负端与PffM芯片的VDD管脚连接，变压器辅助绕组NAUX的结束端接地；
[0017]第三电阻R3的另一端通过第四电阻R4接地、并与PffM芯片的INV管脚连接，PffM芯片的COMP管脚通过第五电容C5接地，PffM芯片的CS管脚通过第五电阻R5接地，PffM芯片的GND管脚接地，PffM芯片的两个DRAIN管脚分别与变压器Tl原边的起始端连接，变压器Tl的输出端接负载。
[0018]本实用新型将内置MOS管的PffM芯片G1158应用到开关电源里，并通过变压器辅助绕组供电，第三电阻和第四电阻的连接点作为电压侦测点，以此来启动控制PWM芯片，该PWM芯片采用S0P-7搭配贴片七只脚、内置MOS管，可以实现相同功率、体积较小的优点，满足市场小体积的需求。
[0019]以上所述的本实用新型实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。
【主权项】
1.一种原边反馈内置MOS管芯片的开关电源，包括桥堆和变压器，其特征在于，还包括:PWM芯片、第一至第四电容、电感、第一至第五电阻、第一二极管和第二二极管；其中，PffM芯片型号为G1158 ； 桥堆的输出端分别与电感的一端、第一电容的一端连接，电感的另一端分别与第二电容的一端、第一电阻的一端、第三电容的一端、第二电阻的一端及变压器原边的结束端连接，第一电容的另一端和第二电容的另一端分别接地，第三电容的另一端与第二电阻的另一端连接、并与第一二极管的负极端连接，第一二极管的正极端与变压器原边的起始端连接; 第一电阻的另一端通过第四电容接地，变压器辅助绕组的起始端与第二二极管的正端、第三电阻的一端连接，第二二极管的负端与PWM芯片的VDD管脚连接，变压器辅助绕组的结束端接地； 第三电阻的另一端通过第四电阻接地、并与PffM芯片的INV管脚连接，PffM芯片的COMP管脚通过第五电容接地，PWM芯片的CS管脚通过第五电阻接地，PffM芯片的GND管脚接地，PWM芯片的两个DRAIN管脚分别与变压器原边的起始端连接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种原边反馈内置MOS管芯片的开关电源，包括桥堆和变压器，还包括：PWM芯片、第一至第四电容、电感、第一至第五电阻、第一二极管和第二二极管；其中，PWM芯片型号为G1158。本实用新型将内置MOS管的PWM芯片G1158应用到开关电源里，并通过变压器辅助绕组供电，第三电阻和第四电阻的连接点作为电压侦测点，以此来启动控制PWM芯片，该PWM芯片采用SOP-7搭配贴片七只脚、内置MOS管，可以实现相同功率、体积较小的优点，满足市场小体积的需求。
【IPC分类】H02M7/217, H02M3/335
【公开号】CN204906208
【申请号】CN201520743417
【发明人】王刚, 岁金占
【申请人】深圳市港祥辉电子有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年9月23日