三相整流桥模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种三相整流桥模块。
【背景技术】
[0002]现有的三相整流桥模块通常将6个二极管芯片分成两组按照两种方向安装，在生产加工时，需要分辨二极管的电极朝向，容易发生装反的问题，导致产品合格率低，而且不易采用自动化规模化生产，产品的价格高，性价比低。
【发明内容】
[0003]由于上述原因，本实用新型的目的在于提供一种结构简单，体积小，工艺简化，品质稳定易于规模化生产，性价比高的三相整流桥模块。
[0004]为实现上述目的，本实用新型采用一种三相整流桥模块，包括底板、外壳、陶瓷片、二极管芯片、可控硅芯片、正电极、负电极、L型电极、R2电极、G电极，所述陶瓷片真空焊接在底板上，L型电极焊接在一侧的陶瓷片上，负电极焊接在另一侧的陶瓷片上，6个二极管芯片按阴极朝上分两列分别焊接在3个L型电极和负电极上，L型电极的下端横跨焊接在另一列二极管芯片的上端的阴极面上，可控硅芯片下端焊接有连接片，连接片焊接在陶瓷片上，连接片向一侧延伸形成引出端，R2电极连接在L型电极一侧的二极管芯片的阴极面上和可控硅芯片的引出端上，正电极连接在可控硅芯片上端的阴极面上，G电极通过软线连接在可控硅芯片的触发门极上，外壳盖在底板上，正电极、负电极、L型电极、R2电极、G电极的引出端伸出到外壳外。
[0005]本实用新型的具体设置为所述L型电极的下端形成拱形横跨连接在二极管芯片的上端阴极面上。
[0006]本实用新型的具体设置为所述R2电极的一端为“M”状拱桥形分别与3个二极管芯片和可控硅芯片的引出端连接，R2电极的另一端为“L”状悬空引出端。
[0007]本实用新型的有益效果是二极管全部正烧(芯片上面是阴极，下面是阳极)，并采用下端为拱形的L型电极，串联二极管芯片的阴极和阳极，以及采用“M”状拱桥形的R2电极连接构成整流正极，使模块的工艺简化，品质稳定易于规模化生产，具有体积小、性价比高等优点，应用前景广泛。
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型具体实施例的示意图。
[0009]图2是本实用新型具体实施例去掉外壳的示意图。
[0010]图3是本实用新型具体实施例去掉外壳的俯视图。
[0011]图4是本实用新型具体实施例去掉外壳的侧视图。
[0012]图5是本实用新型具体实施例的R2电极的示意图。
[0013]图6是本实用新型具体实施例的L电极的示意图。
【具体实施方式】
[0014]如图1-图6所示，本实用新型的具体实施例是一种三相整流桥模块，包括底板1、外壳2、陶瓷片3、二极管芯片4、可控硅芯片5、正电极6、负电极7、L型电极8、R2电极9、G电极10，陶瓷片3真空焊接在底板I上，L型电极8焊接在一侧的陶瓷片3上，负电极7焊接在另一侧的陶瓷片3上，6个二极管芯片4按阴极朝上分两列分别焊接在3个L型电极8和负电极7上，L型电极8的下端形成拱形81横跨焊接在另一列二极管芯片4的上端的阴极面上，可控硅芯片5下端焊接有连接片51，连接片51焊接在陶瓷片3上，连接片51向一侧延伸形成引出端52，R2电极9的一端为“M”状拱桥形91分别与3个二极管芯片4和可控硅芯片5的引出端连接，R2电极9的另一端为“L”状悬空引出端，正电极6连接在可控硅芯片5上端的阴极面上，G电极10通过软线连接在可控硅芯片5的触发门极上，外壳2盖在底板I上，正电极6、负电极7、L型电极8、R2电极9、G电极10的引出端伸出到外壳2外。
【主权项】
1.一种三相整流桥模块，包括底板、外壳、陶瓷片、二极管芯片、可控硅芯片、正电极、负电极、L型电极、R2电极、G电极，其特征在于:所述陶瓷片真空焊接在底板上，L型电极焊接在一侧的陶瓷片上，负电极焊接在另一侧的陶瓷片上，6个二极管芯片按阴极朝上分两列分别焊接在3个L型电极和负电极上，L型电极的下端横跨焊接在另一列二极管芯片的上端的阴极面上，可控硅芯片下端焊接有连接片，连接片焊接在陶瓷片上，连接片向一侧延伸形成引出端，R2电极连接在L型电极一侧的二极管芯片的阴极面上和可控硅芯片的引出端上，正电极连接在可控硅芯片上端的阴极面上，G电极通过软线连接在可控硅芯片的触发门极上，外壳盖在底板上，正电极、负电极、L型电极、R2电极、G电极的引出端伸出到外壳外。2.根据权利要求1所述的三相整流桥模块，其特征在于:所述L型电极的下端形成拱形横跨连接在二极管芯片的上端阴极面上。3.根据权利要求1或2所述的三相整流桥模块，其特征在于:所述R2电极的一端为“M”状拱桥形分别与3个二极管芯片和可控硅芯片的引出端连接，R2电极的另一端为“L”状悬空引出端。
【专利摘要】本实用新型涉及一种三相整流桥模块，包括底板、外壳、陶瓷片、二极管芯片、可控硅芯片、正电极、负电极、L型电极、R2电极、G电极，L型电极焊接和负电极焊接在陶瓷片上，6个二极管芯片按阴极朝上分两列分别焊接在3个L型电极和负电极上，L型电极的下端横跨焊接在另一列二极管芯片的上端的阴极面上，可控硅芯片通过连接片焊接在陶瓷片上，连接片向一侧延伸形成引出端，R2电极连接在L型电极一侧的二极管芯片的阴极面上和可控硅芯片的引出端上，正电极连接在可控硅芯片上端的阴极面上，G电极通过软线连接在可控硅芯片的触发门极上，外壳盖在底板上。本实用新型的品质稳定易于规模化生产，具有体积小、性价比高等优点。
【IPC分类】H01L25/07, H02M7/00
【公开号】CN205029569
【申请号】CN201520857070
【发明人】张彭春, 黄红兵, 黄泽彬
【申请人】欣大电气有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年10月26日