专利名称：一种提高三极管热稳定性的电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种提高三极管热稳定性的电路。
背景技术：
三极管也称晶体三极管，在电子电路中，三极管可以说是无处不在，三极管以其放大，扩流，代换等作用被广泛应用于各种电路。比较典型的就是利用三极管的电流放大作用将三极管置于电路中构成放大电路和利用三极管的高速反应性将三极管置于电路中作为开关电路。晶体三极管有着较大的动态工作电压和电流，并接近其极限与运用状态，电路的热不稳定性会引起三极管的功耗不断增加，也会导致三极管各参数的不稳定，同时，三极管长时间工作引起的自身的温度变化也将引起三极管各参数的不稳定。为了保持三极管的热稳定性，经常采用热敏电阻补偿方式进行补偿，但是热敏电阻与三极管的温度特性不明确，而且两者的特性也不完全一致，在高温的情况下，该种补偿方式的补偿效果非常差。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构简单，易于实现，能够使三极管集电极电流的大小与三极管的温度等参数无关，排除三极管温度特性的影响，提闻二极管的一种提闻二极管热稳定性的电路。本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种提高三极管热稳定性的电路，它包括三极管V1、三极管V2、滑动变阻器Rp和电容C，三极管Vl的基极和三极管V2的基极相互连接，三极管Vl的集电极经电阻Rl接地，三极管Vl的发射极依次串接相互并联的滑动变阻器Rp与电阻R3以及相互并联的电阻R4与电阻R5，电阻R4经电容C接地，电阻R5连接于三极管V2的发射极，三极管V2的基极和集电极相互连接并经电阻R2接地，所述的三极管Vl和V2均为MMBT2907A型三极管，电容C为104p，滑动变阻器Rp最大电阻为5ΚΩ，所述的电阻Rl为5·1ΚΩ，电阻R2为150ΚΩ，电阻R3和R4均为IK Ω，电阻R5为IOK Ω。本实用新型的有益效果是:I)本实用新型能够使三极管集电极电流的大小与三极管的温度等参数无关，排除了三极管温度特性的影响，提高了三极管的热稳定性；2)本实用新型构思巧妙，结构简单，易于实现。
图1为本实用新型电路图。
具体实施方式
以下结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案:如图1所示，一种提高三极管热稳定性的电路，它包括三极管Vl、三极管V2、滑动变阻器Rp和电容C，三极管Vl的基极和三极管V2的基极相互连接，三极管Vl的集电极经电阻Rl接地，三极管Vl的发射极依次串接相互并联的滑动变阻器Rp与电阻R3以及相互并联的电阻R4与电阻R5，电阻R4经电容C接地，电阻R5连接于三极管V2的发射极，三极管V2的基极和集电极相互连接并经电阻R2接地，所述的三极管Vl和V2均为MMBT2907A型三极管，电容C为104p，滑动变阻器Rp最大电阻为5ΚΩ，所述的电阻Rl为51ΚΩ，电阻R2为150ΚΩ，电阻R3和R4均为IK Ω，电阻R5为1 0ΚΩ。
权利要求1.一种提高三极管热稳定性的电路，其特征在于:它包括三极管V1、三极管V2、滑动变阻器Rp和电容C，三极管Vl的基极和三极管V2的基极相互连接，三极管Vl的集电极经电阻Rl接地，三极管Vl的发射极依次串接相互并联的滑动变阻器Rp与电阻R3以及相互并联的电阻R4与电阻R5，电阻R4经电容C接地，电阻R5连接于三极管V2的发射极，三极管V2的基极和集电极相互连接并经电阻R2接地。
2.根据权利要求1所述的一种提高三极管热稳定性的电路，其特征在于:所述的三极管Vl和V2均为MMBT2907A型三极管。
3.根据权利要求1所述的一种提高三极管热稳定性的电路，其特征在于:所述的电容C为 104p。
4.根据权利要求1所述的一种提高三极管热稳定性的电路，其特征在于:所述的滑动变阻器Rp最大电阻为5ΚΩ。
5.根据权利要求1所述的一种提高三极管热稳定性的电路，其特征在于:所述的电阻Rl 为 51ΚΩ。
6..根据权利要求1所述的一种提高三极管热稳定性的电路，其特征在于:所述的电阻R2 为 150ΚΩ。
7.根据权利要求1所述的一种提高三极管热稳定性的电路，其特征在于:所述的电阻R3和R4均为IK Ω。
8.根据权利要求1所述的一种提高三极管热稳定性的电路，其特征在于:所述的电阻R5 为 10ΚΩ。
专利摘要本实用新型公开了一种提高三极管热稳定性的电路，它包括三极管V1、三极管V2、滑动变阻器Rp和电容C，三极管V1的基极和三极管V2的基极相互连接，三极管V1的集电极经电阻R1接地，三极管V1的发射极依次串接相互并联的滑动变阻器Rp与电阻R3以及相互并联的电阻R4与电阻R5，电阻R4经电容C接地，电阻R5连接于三极管V2的发射极，三极管V2的基极和集电极相互连接并经电阻R2接地。本实用新型结构简单，易于实现，能够使三极管集电极电流的大小与三极管的温度等参数无关，排除了三极管温度特性的影响，提高了三极管的热稳定性。
文档编号H03K17/14GK203104387SQ20132000431
公开日2013年7月31日 申请日期2013年1月6日 优先权日2013年1月6日
发明者李化龙 申请人:成都市金天之微波技术有限公司