一种防止非接触ic卡受到接力攻击的装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，包括电源、控制电路和非接触IC卡，其中，所述电源与所述控制电路连接；所述控制电路包括控制输入端、第一输入端和第二输入端，所述控制输入端与控制电路连接，所述第一输入端和第二输入端分别与所述非接触IC卡的两端连接；所述非接触IC卡包括IC卡和线圈，所述IC卡与所述线圈并联连接。本实用新型提供的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置能够防止非接触IC卡受到接力攻击，减少了结构设计的复杂度并且降低了制作难度。
【专利说明】一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种防接力攻击装置，具体涉及一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置。
【背景技术】
[0002]非接触IC卡是最近几年发展起来的一项新技术，能够在近距离内与读卡器通过无线电磁信号通信，其简易的操作方式使其广泛应用于日常生活中。
[0003]由于非接触IC卡进行信息读写操作时不需要与非接触IC卡持有者之间直接接触，不能与卡片持有者进行认证，因此可能在非接触IC卡持有者完全不知情的情况下使用。非接触IC卡受到某种接拉力操作后自行使用的工作方式被称为接力攻击。
[0004]现有技术中，常采用物理开关防止非接触IC卡受到接力攻击，当需要使用非接触IC卡时，闭合物理开关，使得线圈与非接触IC卡触点接通，当不需要使用非接触IC卡时，断开物理开关，使得线圈与非接触IC卡触点断开，这种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置虽然能够防止非接触IC卡受到接力攻击，但是由于开关是物理实现的，因此结构设计复杂、制作难度大。
实用新型内容
[0005]有鉴于此，本实用新型实施例提供一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，以解决防止非接触IC卡受到接力攻击装置中结构设计复杂和制作难度大的问题。
[0006]本实用新型实施例提供了一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，所述装置包括电源、控制电路和非接触IC卡，
[0007]其中，所述电源与所述控制电路连接，用于为所述装置供电；
[0008]所述控制电路包括控制输入端、第一输入端和第二输入端，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号，所述第一输入端和第二输入端分别与所述非接触IC卡的两端连接，用于接收所述非接触IC卡感应出来的信号；
[0009]所述非接触IC卡包括IC卡和线圈，所述IC卡与所述线圈并联连接，所述线圈用于产生电流，所述IC卡用于产生信号。
[0010]进一步地，所述控制电路包括:第一晶体管、第二晶体管和电阻，
[0011]其中，所述第一晶体管的第一端与所述第一输入端连接，所述第一晶体管的第二端接地，所述第一晶体管的第三端与所述第二晶体管的第三端连接，所述第二晶体管的第一端与所述第二输入端连接，所述第二晶体管的第二端接地，所述第二晶体管的第三端与所述第一晶体管的第三端连接，同时，所述第二晶体管的第三端通过所述电阻与所述电源的正极连接。
[0012]进一步地，所述第一晶体管和第二晶体管为N沟道MOS管，所述第一晶体管和第二晶体管的第一端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第一晶体管和第二晶体管的第二端为所述N沟道MOS管的源极，所述第一晶体管和第二晶体管的第三端为所述N沟道MOS管的栅极。
[0013]进一步地，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号具体为:
[0014]当所述控制输入端输入高电平时，所述非接触IC卡断开非接触式通信；
[0015]当所述控制输入端输入低电平时，所述非接触IC卡开通非接触式通信。
[0016]进一步地，所述第一晶体管和第二晶体管为P沟道MOS管，所述第一晶体管和第二晶体管的第一端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第一晶体管和第二晶体管的第二端为所述N沟道MOS管的源极，所述第一晶体管和第二晶体管的第三端为所述N沟道MOS管的栅极。
[0017]进一步地，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号具体为:
[0018]当所述控制输入端输入低电平时，所述非接触IC卡断开非接触式通信；
[0019]当所述控制输入端输入高电平时，所述非接触IC卡开通非接触式通信。
[0020]进一步地，所述第一晶体管和第二晶体管为NPN型三极管，所述第一晶体管和第二晶体管的第一端为所述NPN型三极管的集电极，所述第一晶体管和第二晶体管的第二端为所述NPN型三极管的发射极，所述第一晶体管和第二晶体管的第三端为所述NPN型三极管的基极。
[0021]进一步地，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号具体为:
[0022]当所述控制输入端输入高电平时，所述非接触IC卡断开非接触式通信；
[0023]当所述控制输入端输入低电平时，所述非接触IC卡开通非接触式通信。
[0024]进一步地，所述第一晶体管和第二晶体管为PNP型三极管，所述第一晶体管和第二晶体管的第一端为所述PNP型三极管的集电极，所述第一晶体管和第二晶体管的第二端为所述PNP型三极管的发射极，所述第一晶体管和第二晶体管的第三端为PNP型三极管的基极。
[0025]进一步地，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号具体为:
[0026]当所述控制输入端输入低电平时，所述非接触IC卡断开非接触式通信；
[0027]当所述控制输入端输入高电平时，所述非接触IC卡开通非接触式通信。
[0028]本实用新型实施例提供的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，通过控制电路控制非接触IC卡的线圈中能否产生感应电流，实现了非接触IC卡的非接触式通信的开通和断开，防止非接触IC卡受到接力攻击，减少了结构设计的复杂度并且降低了制作难度。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1是根据本实用新型第一实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置结构图；
[0030]图2是根据本实用新型第二实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置结构图；
[0031]图3是根据本实用新型第三实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置结构图；
[0032]图4是根据本实用新型第四实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置结构图；
[0033]图5是根据本实用新型第五实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置结构图；
[0034]图6是根据本实用新型第六实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置结构图。
【具体实施方式】
[0035]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。
[0036]在图1中示出了本实用新型的第一实施例。
[0037]图1是根据本实用新型第一实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置的结构图。如图1所示，所述一种防止双界面SIM卡受到接力攻击的装置包括电源11、控制电路12和非接触IC卡13，其中，所述非接触IC卡13包括IC卡131和线圈132。
[0038]所述电源11与所述控制电路12连接，用于为所述防止非接触IC卡受到接力攻击的装置供电。
[0039]所述非接触IC卡13可以是射频加密卡、射频存储卡、射频CPU卡以及双界面客户识别模块卡(Subscriber Identity Module,简称SIM)等中的任意一种。
[0040]所述控制电路12包括控制输入端、第一输入端和第二输入端，所述控制输入端与所述控制电路12连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号，所述第一输入端和第二输入端分别与所述非接触IC卡13的两端连接，用于接收所述非接触IC卡13感应出来的信号。
[0041]所述非接触IC卡13包括IC卡131和线圈132，所述IC卡131与所述线圈132并联连接，所述线圈132用于产生电流，所述IC卡用于产生信号。
[0042]非接触IC卡13在使用时，读卡器不断向周围发出一组固定的电磁波，当非接触IC卡13靠近读写器时，所述线圈132切割读写器发出来的磁场的磁力线，从而产生电流，通过所述IC卡131产生信号。
[0043]当所述控制电路12的控制输入端输入的控制非接触IC卡断开非接触式通信的控制信号时，非接触IC卡13周围的磁场无法在线圈132中感应出足够强的电流，非接触IC卡的非接触式通信不可用；当所述控制电路12的控制输入端输入的控制非接触IC卡开通非接触式通信的控制信号时，非接触IC卡13周围的磁场可以在线圈中感应出足够强的电流，非接触IC卡的非接触式通信可以使用。
[0044]本实用新型实施例提供的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，通过控制电路控制非接触IC卡的线圈中能否产生感应电流，由此，实现了非接触IC卡的非接触式通信的开通和断开，防止非接触IC卡受到接力攻击，减少了结构设计的复杂度并且降低了制作难度。
[0045]在图2中示出了本实用新型的第二实施例。
[0046]图2是根据本实用新型第二实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置的结构图，该实施例以上述实施例为基础，如图2所示，所述一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置包括电源21、控制电路22和非接触IC卡23，其中，所述非接触IC卡23包括IC卡231和线圈232。
[0047]具体地，所述控制电路22优选可包括第一晶体管221、第二晶体管222和电阻223，其中，所述第一晶体管221的第一端与所述第一输入端INl连接，所述第一晶体管221的第二端接地，所述第一晶体管221的第三端与所述第二晶体管222的第三端连接，所述第二晶体管222的第一端与所述第二输入端IN2连接，所述第二晶体管222的第二端接地，所述第二晶体管222的第三端与所述第一晶体管221的第三端连接，同时，所述第二晶体管222的第三端通过所述电阻223与所述电源21的正极连接，所述控制信号输入端连接于所述第二晶体管222的第三端与所述电阻223的中点之间。
[0048]当所述控制电路22的控制输入端输入的控制非接触IC卡断开非接触式通信的控制信号时，线圈232与地接通，IC卡231被短路，非接触IC卡的非接触式通信不可用；当所述控制电路22的控制输入端输入的控制非接触IC卡开通非接触式通信的控制信号时，线圈232与地断开连接，所述线圈232切割读写器发出来的磁场的磁力线，从而产生电流，通过所述IC卡231产生信号，非接触IC卡的非接触式通信可以使用。
[0049]本实用新型实施例提供的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，通过控制电路控制非接触IC卡的线圈中能否产生感应电流，由此，实现了非接触IC卡的非接触式通信的开通和断开，防止非接触IC卡受到接力攻击，减少了结构设计的复杂度，由电子开关实现，并且不影响非接触IC卡的通信。
[0050]在图3中示出了本实用新型的第三实施例。
[0051]图3是根据本实用新型第三实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置的结构图，该实施例以上述实施例为基础，如图3所示，所述一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置包括电源31、控制电路32和非接触IC卡33，其中，所述非接触IC卡33包括IC卡331和线圈332。
[0052]具体地，所述控制电路32优选可包括第一 N沟道MOS管321和第二 N沟道MOS管322和电阻323，其中，所述第一晶体管321的漏极D与所述第一输入端INl连接，所述第一晶体管321的源极S接地，所述第一晶体管321的栅极G与所述第二晶体管322的栅极G连接，所述第二晶体管322的漏极D与所述第二输入端IN2连接，所述第二晶体管322的源极S接地，所述第二晶体管322的栅极G与所述第一晶体管321的栅极G连接，同时，所述第二晶体管322的栅极G通过所述电阻323与所述电源31的正极连接。所述电阻323的阻值可以在1K Ω-1M Ω的范围内选择，使得所述第一晶体管321和第二晶体管322处于稳定状态，所述控制信号输入端与所述第二晶体管322的漏极D与电阻323的中点连接。
[0053]对于N沟道MOS管，当栅极G的电势大于源极S的电势时，MOS管处于导通状态，即非接触IC卡33的线圈332的两端与地连通，所述IC卡331被短路；当栅极G的电势小于源极S的电势时，MOS管处于截止状态，即非接触IC卡33的线圈332与地不连通，所述线圈332切割读写器发出来的磁场的磁力线，从而产生电流，通过所述IC卡331产生信号。
[0054]在本实施例中，当在控制电路32的控制输入端输入高电平时，第一 N沟道MOS管321和第二 N沟道MOS管322的栅极G的电势不小于源极S电势，第一 N沟道MOS管321和第二 N沟道MOS管322导通，非接触IC卡33的线圈332的两端与地连通，IC卡331被短路，非接触IC卡33无法完成非接触式通信功能；当在控制电路32的控制输入端输入低电平时，第一 N沟道MOS管321和第二 N沟道MOS管322的栅极G电势小于源极S电势，第一N沟道MOS管321和第二 N沟道MOS管322断开，非接触IC卡33的线圈332的两端与地不相连，所述线圈332和IC卡331形成回路，所述线圈332切割读写器发出来的磁场的磁力线，从而产生电流，通过所述IC卡331产生信号，非接触IC卡可以完成非接触式通信功能。
[0055]本实用新型实施例提供的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，通过控制电路的输入端输入控制线圈状态的信号，实现非接触IC卡的非接触式通信的开通和断开，解决了非接触IC卡的接力攻击问题，不会增加结构复杂性，完全由电子开关实现，且不影响非接触IC卡的通信。
[0056]在图4中示出了本实用新型的第四实施例。
[0057]图4是根据本实用新型第四实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置的结构图，该实施例以上述实施例为基础，如图4所示，所述一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置包括电源41、控制电路42和非接触IC卡43，所述非接触IC卡43包括IC卡431和线圈432。
[0058]具体地，所述控制电路42优选可包括第一 P沟道MOS管421和第二 P沟道MOS管422和电阻423，其中，所述第一晶体管421的漏极D与所述第一输入端INl连接，所述第一晶体管421的源极S接地，所述第一晶体管421的栅极G与所述第二晶体管422的栅极G连接，所述第二晶体管422的漏极D与所述第二输入端IN2连接，所述第二晶体管422的源极S接地，所述第二晶体管422的栅极G与所述第一晶体管421的栅极G连接，同时，所述第二晶体管422的栅极G通过所述电阻423与所述电源41的正极连接。所述电阻423的阻值可以在1K Ω-1M Ω的范围内选择，使得所述第一晶体管421和第二晶体管422处于稳定状态，所述控制信号输入端与第二晶体管422的栅极G和电阻423的中点连接。
[0059]对于P沟道MOS管，当栅极G的电势小于源极S的电势时，MOS管处于导通状态，即非接触IC卡43的线圈432的两端与地连通，所述IC卡431被短路；当栅极G的电势大于源极S的电势时，MOS管处于截止状态，即非接触IC卡43的线圈432与地不连通，所述线圈432切割读写器发出来的磁场的磁力线，从而产生电流，通过所述IC卡431产生信号。
[0060]在本实施例中，当在控制电路42的控制输入端输入低电平时，第一 P沟道MOS管421和第二 P沟道MOS管422的栅极G的电势不大于源极S的电势，第一 P沟道MOS管421和第二 P沟道MOS管422导通，非接触IC卡43的线圈432的两端与地连通，IC卡431被短路，非接触IC卡43无法完成非接触式通信功能；当在控制电路42的控制输入端输入高电平时，第一 P沟道MOS管421和第二 N沟道MOS管422的栅极G的电势大于源极S的电势，第一 P沟道MOS管421和第二 N沟道MOS管422断开，非接触IC卡43的线圈432的两端与地不相连，所述线圈432切割读写器发出来的磁场的磁力线，从而产生电流，通过所述IC卡431产生信号，非接触IC卡可以完成非接触式通信功能。
[0061]本实用新型实施例提供的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，通过控制电路的输入端输入控制线圈状态的信号，实现非接触IC卡的非接触式通信的开通和断开，解决了非接触IC卡的接力攻击问题，不会增加结构复杂性，完全由电子开关实现，且不影响非接触IC卡的非接触通信。
[0062]在图5中示出了本实用新型的第五实施例。
[0063]图5是根据本实用新型第五实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置的结构图，该实施例以上述实施例为基础，如图5所示，所述一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置包括电源51、控制电路52和非接触IC卡53，其中，所述非接触IC卡53包括IC卡531和线圈532。
[0064]具体地，所述控制电路52优选可包括第一 NPN型三极管521和第二 NPN型三极管522和电阻523，其中，所述第一 NPN型三极管521的集电极C与所述第一输入端INl连接，所述第一 NPN型三极管521的发射极E接地，所述第一 NPN型三极管521的基极B与所述第二 NPN型三极管522的基极B连接，所述第二 NPN型三极管522的集电极C与所述第二输入端IN2连接，所述第二 NPN型三极管522的发射极E接地，所述第二 NPN型三极管522的基极B与所述第一 NPN型三极管521的基极B连接，同时，所述第二 NPN型三极管522的基极B通过所述电阻523与所述电源51的正极连接。所述电阻523的阻值可以在10ΚΩ-1ΜΩ的范围内选择，使得所述第一 NPN型三极管521和第二 NPN型三极管522处于稳定状态，所述控制信号输入端与所述第二 NPN型三极管522的基极B和电阻523的中点连接。
[0065]在本实施例中，当在控制电路52的控制输入端输入高电平时，第一 NPN型三极管521和第二 NPN型三极管522导通，非接触IC卡53的线圈532的两端与地连通，IC卡531被短路，非接触IC卡53无法完成非接触式通信功能；当在控制电路52的控制输入端输入低电平时，第一 NPN型三极管521和第二 NPN型三极管522断开，非接触IC卡53的线圈532的两端与地不相连，所述线圈532切割读写器发出来的磁场的磁力线，从而产生电流，通过所述IC卡531产生信号，非接触IC卡53可以完成非接触式通信功能。
[0066]本实用新型实施例提供的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，通过控制电路的输入端输入控制线圈状态的信号，实现非接触IC卡的非接触式通信的开通和断开，解决了非接触IC卡的接力攻击问题，不会增加结构复杂性，完全由电子开关实现，且不影响非接触IC卡的非接触通信。
[0067]在图6中示出了本实用新型的第六实施例。
[0068]图6是根据本实用新型第六实施例的一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置的结构图，该实施例以上述实施例为基础，如图6所示，所述一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置包括电源61、控制电路62和非接触IC卡63，其中，所述非接触IC卡63包括IC卡631和线圈632。
[0069]具体地，所述控制电路62优选可包括第一 PNP型三极管621和第二 PNP型三极管622和电阻623，其中，所述第一 PNP型三极管621的集电极C与所述第一输入端INl连接，所述第一 PNP型三极管621的发射极E接地，所述第一 PNP型三极管621的基极B与所述第二 PNP型三极管622的基极B连接，所述第二 PNP型三极管622的集电极C与所述第二输入端IN2连接，所述第二 PNP型三极管622的发射极E接地，所述第二 PNP型三极管622的基极B与所述第一 PNP型三极管621的基极B连接，同时，所述第二 PNP型三极管622的基极B通过所述电阻623与所述电源61的正极连接。所述电阻623的阻值可以在1K Ω-1M Ω的范围内选择，使得所述第一 PNP型三极管621和第二 PNP型三极管622处于稳定状态，所述控制信号输入端与所述第二 PNP型三极管622的基极B和电阻623的中点连接。
[0070]在本实施例中，当在控制电路62的控制输入端输入低电平时，第一 PNP型三极管621和第二 PNP型三极管622导通，非接触IC卡63的线圈632的两端与地连通，IC卡631被短路，非接触IC卡63无法完成非接触式通信功能；当在控制电路62的控制输入端输入高电平时，第一 PNP型三极管621和第二 PNP型三极管622断开，非接触IC卡63的线圈632的两端与地不相连，所述线圈632切割读写器发出来的磁场的磁力线，从而产生电流，通过所述IC卡631产生信号，非接触IC卡可以完成非接触式通信功能。
[0071]本实用新型实施例提供的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，通过控制电路的输入端输入控制线圈状态的信号，实现非接触IC卡的非接触式通信的开通和断开，解决了非接触IC卡的接力攻击问题，不会增加结构复杂性，完全由电子开关实现，且不影响非接触IC卡的非接触通信。
[0072]注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
【权利要求】
1.一种防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述装置包括电源、控制电路和非接触IC卡， 其中，所述电源与所述控制电路连接，用于为所述装置供电； 所述控制电路包括控制输入端、第一输入端和第二输入端，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号，所述第一输入端和第二输入端分别与所述非接触IC卡的两端连接，用于接收所述非接触IC卡感应出来的信号； 所述非接触IC卡包括IC卡和线圈，所述IC卡与所述线圈并联连接，所述线圈用于产生电流，所述IC卡用于产生信号。
2.根据权利要求1所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述控制电路包括:第一晶体管、第二晶体管和电阻， 其中，所述第一晶体管的第一端与所述第一输入端连接，所述第一晶体管的第二端接地，所述第一晶体管的第三端与所述第二晶体管的第三端连接，所述第二晶体管的第一端与所述第二输入端连接，所述第二晶体管的第二端接地，所述第二晶体管的第三端与所述第一晶体管的第三端连接，同时，所述第二晶体管的第三端通过所述电阻与所述电源的正极连接。
3.根据权利要求2所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为N沟道MOS管，所述第一晶体管和第二晶体管的第一端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第一晶体管和第二晶体管的第二端为所述N沟道MOS管的源极，所述第一晶体管和第二晶体管的第三端为所述N沟道MOS管的栅极。
4.根据权利要求3所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号具体为: 当所述控制输入端输入高电平时，所述非接触IC卡断开非接触式通信； 当所述控制输入端输入低电平时，所述非接触IC卡开通非接触式通信。
5.根据权利要求2所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为P沟道MOS管，所述第一晶体管和第二晶体管的第一端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第一晶体管和第二晶体管的第二端为所述N沟道MOS管的源极，所述第一晶体管和第二晶体管的第三端为所述N沟道MOS管的栅极。
6.根据权利要求5所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号具体为: 当所述控制输入端输入低电平时，所述非接触IC卡断开非接触式通信； 当所述控制输入端输入高电平时，所述非接触IC卡开通非接触式通信。
7.根据权利要求2所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为NPN型三极管，所述第一晶体管和第二晶体管的第一端为所述NPN型三极管的集电极，所述第一晶体管和第二晶体管的第二端为所述NPN型三极管的发射极，所述第一晶体管和第二晶体管的第三端为所述NPN型三极管的基极。
8.根据权利要求7所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号具体为: 当所述控制输入端输入高电平时，所述非接触IC卡断开非接触式通信； 当所述控制输入端输入低电平时，所述非接触IC卡开通非接触式通信。
9.根据权利要求2所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为PNP型三极管，所述第一晶体管和第二晶体管的第一端为所述PNP型三极管的集电极，所述第一晶体管和第二晶体管的第二端为所述PNP型三极管的发射极，所述第一晶体管和第二晶体管的第三端为PNP型三极管的基极。
10.根据权利要求9所述的防止非接触IC卡受到接力攻击的装置，其特征在于，所述控制输入端与所述控制电路连接，用于接收输入的控制非接触IC卡开通和断开非接触式通信的控制信号具体为: 当所述控制输入端输入低电平时，所述非接触IC卡断开非接触式通信； 当所述控制输入端输入高电平时，所述非接触IC卡开通非接触式通信。
【文档编号】H03K17/687GK204013454SQ201420175393
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年4月11日 优先权日:2014年4月11日
【发明者】田若征 申请人:杭州信雅达科技有限公司