本发明涉及水位检测技术，具体是用于调理水位检测终端检测信号的模块。
背景技术：
目前人们常常通过对江河、湖泊、水库、河口、渠道、船闸及各种水工建筑物处水位进行测量，来实现对水文系统的监测。具体检测时由传感器采集数据，并上传至汇集中心站，中心站根据汇集的数据进行模型演算进行预警服务。现有水位检测终端应用时，其受检测距离的影响，检测到的电压信号会在较大范围内波动，而电压过大时易对水位检测终端内部元器件造成损伤，因此，将将检测到的电压信号限制在一定范围之内尤其必要。最简单直接的限压措施是降低耦合系数，现今人们常常通过调整水位检测终端的输入电容来降低耦合系数，然而，改水位检测终端的输入电容，即是改变谐振频率，降低耦合系数，水位检测终端中传送的功率也会降低，在大规模集成电路设计中电容的实现会占用较大的芯片面积，而且电容的参数浮动相对较大。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种便于操作控制，结构简单，且在进行电压限压时不会影响传送功率的用于调理水位检测终端检测信号的模块。
本发明的目的主要通过以下技术方案实现：用于调理水位检测终端检测信号的模块，包括nmos管一、nmos管二、nmos管三、nmos管四、电容一及多个串联的p沟道增强型场效应管，nmos管三、nmos管四及多个p沟道增强型场效应管均为二极管连接的mos管，所述nmos管三的漏极和源极分别与nmos管四漏极和nmos管一漏极连接，nmos管二的漏极与nmos管四源极连接，nmos管一源极和nmos管二源极均接地，所述多个串联的p沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联电阻三和电阻四后与电容一并联构成串并联线路，该串并联线路一端与nmos管三漏极和nmos管四漏极之间的线路连接，其另一端接地，所述nmos管一和nmos管二两者的栅极均与多个串联的p沟道增强型场效应管和电阻四之间的线路连接；所述电容二与第五电阻串联，电容二和第五电阻的串联支路一端与nmos管三漏极和nmos管四漏极之间的线路连接，其另一端与多个串联的p沟道增强型场效应管和电阻四之间的线路连接。本发明中二极管连接的mos管是将mos管的栅极和源极连接在一起，由于mos管在一定电压下存在漏电流，所以本发明中二极管连接的mos管用来模拟一个阻值很大的电阻，并且可以通过调整mos管的参数来实现对阻值的控制。
所述nmos管一漏极和nmos管三源极之间的线路上连接有电阻一；所述nmos管二漏极与nmos管四源极之间的线路上连接有电阻二。
作为优选，所述p沟道增强型场效应管的数量为五个。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明整体结构简单，使用电子元件的数量少，集成在模块上时体积小，便于实现、成本低，且本发明在应用时通过提高nmos管一和第二增强型场效应管的栅极电压，不会对功率产生影响，在输入电压高于一定电压值时使并联分流电路导通，使电路的电流变大，从而使电压稳压在一定的范围内。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
附图中附图标记所对应的名称为：n1—nmos管一，n2—nmos管二，n3—nmos管三，n4—nmos管四，p1—pmos管一，p2—pmos管二，p3—pmos管三，p4—pmos管四，p5—pmos管五，c1—电容一，c2—电容二，r1—电阻一，r2—电阻二，r3—电阻三，r4—电阻四，r5—第五电阻，ant1—信号输入线路一，ant2—信号输入线路二。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步的详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例：
如图1所示，用于调理水位检测终端检测信号的模块，包括外壳及设置在外壳内的内部电路，内部电路包括nmos管一n1、nmos管二n2、nmos管三n3、nmos管四n4、第五电阻r5、电容一c1、电容二c2及多个串联的p沟道增强型场效应管，其中，nmos管三n3、nmos管四n4及多个p沟道增强型场效应管均为二极管连接的mos管，在此二极管连接的mos管为mos管中的栅极与源极连接，p沟道增强型场效应管的数量优选为五个，即为串联的pmos管一p1、pmos管二p2、pmos管三p3、pmos管四p4及pmos管五p5。
nmos管三n3的漏极和源极分别与nmos管四n4漏极和nmos管一n1漏极连接，nmos管二n2的漏极与nmos管四n4源极连接，nmos管一n1源极和nmos管二n2源极均接地，nmos管一n1漏极和nmos管三n3源极之间的线路上连接有电阻一r1，nmos管二n2漏极与nmos管四n4源极之间的线路上连接有电阻二r2。五个串联的p沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联电阻三r3和电阻四r4后与电容一c1并联构成串并联线路，该串并联线路一端与nmos管三n3漏极和nmos管四n4漏极之间的线路连接，其另一端接地。nmos管一n1和nmos管二n2两者的栅极均与多个串联的p沟道增强型场效应管和电阻四r4之间的线路连接。电容二c2与第五电阻r5串联，电容二c2和第五电阻r5的串联支路一端与nmos管三n3漏极和nmos管四n4漏极之间的线路连接，其另一端与多个串联的p沟道增强型场效应管和电阻四r4之间的线路连接。
电阻一r1与nmos管一n1漏极之间的线路上连接有信号输入线路一ant1，电阻二r2与nmos管二n2漏极之间的线路上连接有信号输入线路二ant2。
本实施例应用时，天线的一个信号输入端连接在电阻一与nmos管一漏极之间的线路上，天线的另一个信号输入端连接在电阻二与nmos管二漏极之间的线路上，nmos管三、nmos管四及电容一用于采样限压信号，电阻三、电阻四及多个串联的p沟道增强型场效应管形成参考控制电压，nmos管一和nmos管二为泄流管，nmos管一和nmos管二并联在天线两端进行限压分流。当采样的信号高于参考电平时，流经电阻四的电流增加，因此控制nmos管一和nmos管二两者栅极的电位提高，增加nmos管一和nmos管二的导通能力，流经nmos管一和nmos管二的电流增加，降低标签天线的有效负载，从而限制天线信号的电压幅度。本发明中电阻三、电阻四、电容一及多个串联的p沟道增强型场效应管构成的串并联线路为低通滤波回路，其对低频信号变化产生反应，该低通滤波回路反馈调整nmos管一和nmos管二的导通程度，从而保证本发明应用时电压的稳定；第五电阻和电容二构成高通通路，其对接收信号的突变做出迅速反映，以此增加限压能力。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。