1.一种加速管，包括：
多个加速腔；
耦合腔，其与所述多个加速腔中两个相邻的加速腔通过耦合口耦合；
能量调节元件，其耦接到所述耦合腔上以调节所述加速管的输出能量；
隔离元件，其连接到所述耦合腔的内壁上以将所述能量调节元件与所述加速腔真空密封地隔离开，其中，所述隔离元件是微波可透过的，并且所述隔离元件与所述耦合口偏离开。
2.根据权利要求1所述的加速管，其中，所述耦合腔具有从其内壁向内相对延伸而成的两个鼻锥，其中，所述隔离元件被布置到所述鼻锥和所述耦合口之间。
3.根据权利要求1所述的加速管，其中，还包括与所述耦合腔气体连通的阀门，其用于对所述耦合腔抽真空。
4.根据权利要求1所述的加速管，其中，所述耦合腔内填充有六氟化硫气体。
5.根据权利要求1所述的加速管，其中，还包括冷却管路，其邻近所述隔离元件和所述耦合腔的内壁的连接处布置，以冷却所述隔离元件。
6.根据权利要求1所述的加速管，其中，所述耦合腔限定了第一空间，所述隔离元件围绕所述能量调节元件连接到所述耦合腔的内壁上，其中，所述隔离元件连同所述耦合腔内壁共同限定独立于所述第一空间且与所述第一空间真空密封地隔离开的封闭的第二空间。
7.根据权利要求1所述的加速管，其中，所述隔离元件的数目为两个，且均为板状，其中一个布置在所述能量调节元件邻近所述耦合口的一侧，另一个布置在所述能量调节元件远离所述耦合口的一侧。
8.根据权利要求1所述的加速管，其中，所述隔离元件涂覆有防二次电子发射的材料。
9.根据权利要求8所述的加速管，其中，所述防二次电子发射的材料包括氮化钛、一氧化锰或氧化铬。
10.根据权利要求9所述的加速管，其中，所述防二次电子发射的材料的厚度为10-100nm。
11.根据权利要求1所述的加速管，其中，所述隔离元件通过导电金属材料连接到所述耦合腔的内壁上。
12.根据权利要求11所述的加速管，其中，所述导电金属材料包括铜、金或银。
13.一种直线加速器，其包括如权利要求1-12任一项所述的加速管。
14.一种加速管，包括：
多个加速腔；
耦合腔，其与所述多个加速腔中两个相邻的加速腔通过耦合口耦合；
能量调节元件，其耦接到所述耦合腔上以调节所述加速管的输出能量；
隔离元件，其布置在所述能量调节元件和所述耦合口之间，以将所述耦合腔位于所述能量调节元件侧的空间与所述耦合腔的位于所述耦合口侧的空间真空密封地隔离开，其中，所述隔离元件是微波可透过的。
15.根据权利要求14所述的加速管，其中，所述耦合腔内具有从其内壁向内相对延伸而成的两个鼻锥，其中，所述隔离元件与所述鼻锥间隔开。
16.一种加速管，包括：
多个加速腔；
耦合腔，其与所述多个加速腔中两个相邻的加速腔通过耦合口耦合；
能量调节元件，其耦接到所述耦合腔上以调节所述加速管的输出能量；
隔离元件，其连接到所述耦合腔的内壁上以将所述能量调节元件与所述加速腔真空密封地隔离开，其中，所述隔离元件是微波可透过的，并且所述隔离元件与所述耦合口相比其磁场强度更小。
17.根据权利要求16所述的加速管，其中，所述隔离元件远离所述耦合腔的最大电场强度区域。