全电压线性调节器调光驱动电路的制作方法

本实用新型涉及LED的驱动器调光控制技术领域，特别涉及一种全电压线性调节器调光驱动电路。

背景技术：

可控硅调光是目前常用的调光方法，可控硅调节器采用相位控制方法来实现调光，即在正弦波每半个周期控制可调硅调节器导通，获得相同的导通相角。通过调节可控硅调节器的斩波相位，可以改变导通相角的大小，实现调光。

现有的可控硅调节器在进行LED驱动调光时，一般需要工作在三种调光情况下，即对三种电压范围的LED输入信号进行调整，以将其调整为稳定、连续的合适范围，提高LED的显示效果。这种情况下，一般需要三种电位器加载在可控硅调节器的检测输入端，使得三种电位器分别调整上述的三种电压范围，以使得输入可控硅调节器的检测输入端的电压在合适的范围内。对可控硅调节器在不同的LED调光应用中来说，需根据需要更换不同的电位器，使用较为不便。

特别是AC120V到AC277V两线制双向可控硅调光时出现了调光驱动不稳定的情况，比如：出了闪烁或者电流偏大的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种全电压线性调节器调光驱动电路，以解决现有的可控硅调节器在进行LED驱动调光时所存在的适应性较差，不能自动适应不同的调光需要的问题。

本实用新型的另一目的在于提供一种全电压线性调节器调光驱动电路，以解决现有的两线制双向可控硅调光时出现的调光驱动不稳定的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种全电压线性调节器调光驱动电路，用于调整可控硅调节器的输入信号，包括晶体管及晶体管的驱动电路，

其中，所述晶体管的第一端与所述可控硅调节器的检测输入端相连，所述晶体管的第二端与所述晶体管的驱动电路的驱动输出端相连，所述晶体管的驱动电路用于使所述晶体管工作在放大区；所述输入信号所在支路的部分电流通过所述第一端加载在所述晶体管上，通过所述晶体管构成的可调电阻，得到调整电压并输出至所述可控硅调节器的检测输入端。

较佳地，所述晶体管的第三端接地。

较佳地，所述晶体管的第三端与一负反馈网络相连。

较佳地，所述负反馈网络包括第一电阻。

较佳地，所述第一端与一分压电路的分压输出端相连，所述分压电路的一端加载有直流电源，另一端接地。

较佳地，所述晶体管的驱动电路为一偏置电路，所述偏置电路的电压输出端与所述晶体管的第二端相连，以使其正常工作。

较佳地，所述偏置电路的电压输出端与第二电容的一端相连，所述第二电容的另一端接地。

较佳地，所述晶体管为三极管或金属氧化物场效应管。

较佳地，所述晶体管的第一端与接地的第三电容相连。

本实用新型提供的全电压线性调节器调光驱动电路具有以下有益效果：

(1)采用晶体管替代可调电位器，实现了对输入可控硅调节器的不同的检测输入信号的自适应调整，使得可控硅调节器在不同电压条件下依然保持良好工作状态，实现调光的良好适应性；

(2)采用该驱动电路，提高了可控硅调节器的稳定性，避免了由于市电不稳定，使输入信号的不稳定造成的调光信号出现闪烁或偏大或不易控制的现象。

附图说明

图1为本实用新型全电压线性调节器调光驱动电路组成图；

图2为本实用新型实施例一的全电压线性调节器调光驱动电路图；

图3为本实用新型实施例二的全电压线性调节器调光驱动电路图；

图4为本实用新型实施例二的全电压线性调节器调光电路图。

具体实施方式

为更好地说明本实用新型，兹以一优选实施例，并配合附图对本实用新型作详细说明，具体如下：

实施例一：

如图1所示，本实施例提供的全电压线性调节器调光驱动电路，用于调整可控硅调节器10的输入信号，该全电压线性调节器调光驱动电路包括晶体管20及晶体管的驱动电路30，

其中，晶体管20的第一端与可控硅调节器的检测输入端相连，晶体管20的第二端与晶体管的驱动电路30的驱动输出端相连，晶体管的驱动电路30用于使晶体管20工作在放大区；输入信号通过I端口输入，其所在支路的部分电流通过晶体管20的第一端加载在晶体管20上，还有一部分直接流入可控硅调节器10。工作在放大区的晶体管20构成可调电阻，流入晶体管20的电流通过晶体管20构成的可调电阻，在不同电流输入的情况下，即可得到不同的调整电压，并输出调整电压至可控硅调节器的检测输入端，以调整可控硅调节器的检测输入信号，使得该输入信号始终保持在可控硅调节器的预设的有效调节范围内。

可控硅调节器根据输入信号，进行LED调光，并通过端口O输出信号至LED灯，实现对LED的调光。

如图2所示，本实施例提供的晶体管为NPN型的三极管Q4，该三极管Q4的发射极直接接地。

三极管Q4的第一端(集电极)与一分压电路的分压输出端相连，集电极与一分压电路的分压输出端之间还串接有电阻R32，该分压电路包括串联的电阻R3、R4及R13，R4及R13之间作为分压输出端输出的电压加载在晶体管上。该分压电路的一端加载有直流电源VIN，另一端接地。

三极管Q4的驱动电路为一偏置电路，该偏置电路为基极分压式偏置电路，包括串联的电阻R30、R31及R33。该偏置电路的一端也加载有上述的直流电源VIN，另一端接地。偏置电路的电压输出端与晶体管的基极相连，以使其在线性放大区正常工作。

此外，本实施例中的偏置电路的电压输出端与电容C13的一端相连，电容C13的另一端接地。

晶体管的第一端与可控硅调节器的检测输入端(输入电压采样端)相连，C14是滤波电容。

实施例二：

参见图3，本实施例提供的晶体管为三极管Q4，该三极管Q4的发射极与一负反馈网络相连。其中，本实施例中的负反馈网络包括电阻R34。电阻R34作为负反馈网络在一定程度上提高发射极的电压，配合基极的电压差，可进一步确保使晶体管工作在适合区间。

其中，参见图4本实施例中的可控硅调节器U1采用了MP4030芯片，输入信号V_U1输入该芯片后由该芯片进行调光，进而输出调光信号给LED灯即可实现调光输出(D、S输出端即为提供给LED的驱动信号)。通过上述的全电压线性调节器调光驱动电路，使得该LED驱动芯片适合工作在更宽的电压范围内的LED的调光。当然，实施例1中的可控硅调节器也可使用其他芯片。

在另一优选实施例中，上述实施例中的晶体管还可为其他类型的三极管或金属氧化物场效应管(MOSFFET)，配合相应的外围电路使其工作在放大状态即可。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何本领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，对本实用新型所做的变形或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述的权利要求的保护范围为准。