技术特征：
技术总结
示例实现方式涉及使用FET对的双轨电路。例如，根据本公开的电路可以包括耦合到双轨电路的第一场效应晶体管(FET)对、耦合到所述双轨电路的第二FET对以及耦合到所述第一FET对和所述第二FET对的控制器。所述控制器可以使用所述第一FET对和所述第二FET对来切换电源到所述双轨电路。所述双轨电路可以将电源从耦合到所述第一FET对的第一电源或耦合到所述第二FET对的第二电源提供到计算设备。
技术研发人员：M·R·杜伦;R·C·布鲁克斯
受保护的技术使用者：惠普发展公司,有限责任合伙企业
技术研发日：2016.07.17
技术公布日：2018.12.21