本发明涉及分离频率互不相同的多个信号的分波器。
背景技术：
近年来，在以手机或智能手机为代表的小型移动通信设备中，多功能化、多元系统(多频带)化正在推进。另外，该小型移动通信设备中，从小型化、省空间化、低成本化的观点出发，广泛使用设置在系统及使用频带不同的多个应用中共同地使用的天线，使用分波器分离该天线收发的多个信号的结构。
一般地，分离频带互不相同的两个信号的分波器具备共同端口、第一信号端口、第二信号端口、设置于共同端口和第一信号端口之间的第一滤波器、设置于共同端口和第二信号端口之间的第二滤波器。
近年来，从市场方面要求小型移动通信设备的小型化、节省空间化，还要求其通信设备所使用的分波器的小型化。作为适合小型化的分波器，如日本专利申请公开2006-93996号公报所示，已知有使用包含被层叠的多个电介质层和多个导体层的层叠体的分波器。
在使用层叠体而构成的分波器中，有以下结构：从共同端口侧观察时的向第一滤波器的路径和向第二滤波器的路径的分支点处于远离共同端口的位置，设置有连接共同端口和分支点的共同路径。另外，在使用层叠体而构成的分波器中，包含上述共同路径且从共同端口到两个滤波器的至少一方的路径有时包含被串联连接的多个通孔。以下，将串联连接的多个通孔的集合体叫做通孔列。特别是在层叠体的底面配置有包含与共同端口相对应的端子的多个端子的分波器中，有时不得不使用比较长的通孔列构成从共同端口到两个滤波器的至少一方的路径。
通孔列具有电感。因此，目前，在使用通孔列构成从共同端口到两个滤波器的至少一方的路径的分波器中，由于通孔列的电感，在共同端口和两个滤波器的至少一方之间引起阻抗的失配，与设计时相比，存在分波器的特性变差这样的问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种即使从共同端口到两个滤波器的至少一方的路径具有电感，也可以实现良好的特性的分波器。
本发明的分波器具备共同端口、第一信号端口、第二信号端口、第一滤波器、第二滤波器、连接路径、第一电容器。第一滤波器设置于共同端口和第一信号端口之间，使第一通带内的频率的信号选择性地通过。第二滤波器设置于共同端口和第二信号端口之间，使与第一通带不同的第二通带内的频率的信号选择性地通过。连接路径包含第一电感器，连接共同端口和第一滤波器。第一电容器设置于连接路径和地线之间。第二滤波器与连接路径连接。第一电感器具有作为共同端口侧的一端的第一端和作为第一滤波器侧的一端的第二端。第一电容器在存在于包含第一端和第二端的第一电感器中的任意位置的第一分支点与第一电感器连接。
在本发明的分波器中，也可以是连接路径还包含设置于第一电感器和第一滤波器之间的第二电感器。该情况下，也可以是第二滤波器在存在于包含第一端和第二端的第一电感器中的任意位置的第二分支点与第一电感器连接。另外，第一分支点也可以位于第一电感器中的、包含第一端和第二分支点的从第一端到第二分支点之间。
连接路径包含第二电感器的情况下，本发明的分波器还可以具备第二电容器。第二电容器设置于存在于包含第一端和第二端的第一电感器中的任意位置的第三分支点和第一滤波器之间。
本发明的分波器也可以还具备用于构成第一滤波器、第二滤波器、连接路径及第一电容器的层叠体。层叠体包含被层叠的多个电介质层和多个导体层。该情况下，本发明的分波器还可以具备第二电容器。第二电容器由层叠体构成，设置于存在于包含第一端和第二端的第一电感器中的任意位置的第三分支点和第一滤波器之间。另外，第一电感器也可以由串联连接的多个通孔构成。
在本发明的分波器中，第二通带也可以是比第一通带低的频带。
根据本发明的分波器，通过具备第一电容器，即使从共同端口到两个滤波器的至少一方的路径具有电感，也能够实现良好的特性。
本发明的其他目的、特征及利益由以下的说明而变得充分清楚。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的分波器的电路结构的电路图。
图2是表示本发明的一个实施方式的分波器的外观的立体图。
图3是表示图2所示的分波器的层叠体的内部的立体图。
图4是将图3所示的层叠体的内部的一部分放大表示的立体图。
图5a～图5d是分别表示图2所示的层叠体中的第1层～第4层的电介质层的图案形成面的说明图。
图6a～图6d是分别表示图2所示的层叠体中的第5层～第8层的电介质层的图案形成面的说明图。
图7a是图2所示的层叠体中的第9层的电介质层的图案形成面的说明图。
图7b是表示图2所示的层叠体中的第10层及第11层的电介质层的图案形成面的说明图。
图7c及图7d是分别表示图2所示的层叠体中的第12层及第13层的电介质层的图案形成面的说明图。
图8a是表示图2所示的层叠体中的第14层的电介质层的图案形成面的说明图。
图8b是表示图2所示的层叠体中的第15层～第23层的电介质层的图案形成面的说明图。
图8c及图8d是分别表示图2所示的层叠体中的第24层及第25层的电介质层的图案形成面的说明图。
图9a及图9b是分别表示图2所示的层叠体中的第26层及第27层的电介质层的图案形成面的说明图。
图10是表示第一比较例的分波器的电路结构的电路图。
图11是表示第二比较例的分波器的电路结构的电路图。
图12是表示第二比较例的分波器的特性的一个例子的特性图。
图13是表示第二比较例的分波器的阻抗特性的一个例子的说明图。
图14是表示图1所示的分波器的特性的一个例子的特性图。
图15是表示图1所示的分波器的阻抗特性的一个例子的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式详细地进行说明。首先，参照图1，对本发明的一个实施方式的分波器的电路结构进行说明。本实施方式的分波器1是分离第一频带内的频率的第一信号和与第一频带不同的第二频带内的频率的第二信号的分波器。
本实施方式的分波器1具备共同端口2、第一信号端口3、第二信号端口4、第一滤波器10、第二滤波器20、连接路径30、第一电容器c41。
第一滤波器10设置于共同端口2和第一信号端口3之间，使第一通带内的频率的信号选择性地通过。所述的第一频带也可以和第一通带一致，也可以为第一通带的一部分。第二滤波器20设置于共同端口2和第二信号端口4之间，使与第一通带不同的第二通带内的频率的信号选择性地通过。所述的第二频带也可以和第二通带一致，也可以为第二通带的一部分。
在本实施方式中，特别是第二通带为比第一通带低的频带。另外，第一滤波器10为高通滤波器，第二滤波器20为低通滤波器。
连接路径30包含第一电感器l31，连接共同端口2和第一滤波器10。第一电容器c41设置于连接路径30和地线之间。第二滤波器20连接于连接路径30。
第一电感器l31具有作为共同端口2侧的一端的第一端l31a和作为第一滤波器10侧的一端的第二端l31b。第一电容器c41在存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一电感器l31中的任意位置的第一分支点p1与第一电感器l31连接。
连接径路30还包含设置于第一电感器l31和第一滤波器10之间的第二电感器l32。第二滤波器20在存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一电感器l31中的任意位置的第二分支点p2与第一电感器l31连接。第一分支点p1也可以位于第一电感器l31中的、包含第一端l31a和第二分支点p2的从第一端l31a到第二分支点p2之间。
分波器1还具备第二电容器c42。第二电容器c42设置于存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一电感器l31中的任意位置的第三分支点p3和第一滤波器10之间。
分波器1还具备电容器c43。电容器c43设置于连接路径30与第一滤波器10的连接点和地线之间。
第一滤波器10具有作为共同端口2侧的一端的第一端10a和作为第一信号端口3侧的一端的第二端10b。第一滤波器10包含从第一端10a侧起依次串联设置在第一端10a和第二端10b之间的电容器c11和电容器c12。第一滤波器10还包含电容器c13和电感器l11。电容器c13设置于第一端10a和第二端10b之间。电感器l11设置于电容器cl1与电容器c12的连接点和地线之间。
第二滤波器20具有作为共同端口2侧的一端的第一端20a和作为第二信号端口4侧的一端的第二端20b。第二滤波器20包含从第一端20a侧起依次串联设置在第一端20a和第二端20b之间的电感器l21、电感器l23和电感器l22。第二滤波器20还包含相对于电感器l21并联连接的电容器c21和相对于电感器l22并联连接的电容器c22。第二滤波器20还包含电容器c23和电容器c24。电容器c23设置于电感器l23与电感器l22的连接点和地线之间。电容器c24设置于第二信号端口4和地线之间。
在此，将从共同端口2到第一信号端口3的路径叫做第一信号路径，将从共同端口2到第二信号端口4的路径叫做第二信号路径。第一频带内的频率的第一信号选择性地通过第一及第二信号路径中的第一信号路径。第二频带内的频率的第二信号选择性地通过第一及第二信号路径中的第二信号路径。
接下来，对分波器1的构造的一个例子进行说明。图2是分波器1的立体图。图2所示的分波器1具备用于构成共同端口2、第一信号端口3、第二信号端口4、第一滤波器10、第二滤波器20、连接路径30及电容器c41、c42、c43的层叠体50。随后详细地进行说明，层叠体50包含被层叠的多个电介质层和多个导体层。
层叠体50形成具有外周部的长方体形状。层叠体50的外周部包含上面50a、底面50b、4个侧面50c～50f。上面50a和底面50b互相朝向相反侧，侧面50c、50d也互相朝向相反侧，侧面50e、50f也互相朝向相反侧。侧面50c～50f相对于上面50a及底面50b垂直。在层叠体50中，垂直于上面50a及底面50b的方向为多个电介质层及多个导体层的层叠方向。图2中，用附带记号t的箭头表示该层叠方向。
图2所示的分波器1具备共同端子102、第一端子103、第二端子104、三个接地端子105、106、107。端子102、103、104分别与图1所示的共同端口2、第一信号端口3及第二信号端口4相对应。接地端子105、106、107与地线连接。端子102～107配置在层叠体50的底面50b。
接下来，参照图3～图9b详细地对层叠体50进行说明。层叠体50具有被层叠的27层电介质层。以下，将该27层电介质层从下起依次叫做第1层～第27层电介质层。图3是表示层叠体50的内部的立体图。图4是将层叠体50的内部的一部分放大表示的立体图。图5a～图5d分别表示第1层～第4层电介质层的图案形成面。图6a～图6d分别表示第5层5层～第8层电介质层的图案形成面。图7a表示第9的电介质层的图案形成面，图7b表示第10层及第11层电介质层的图案形成面，图7c、图7d分别表示第12层及第13层电介质层的图案形成面。图8a表示第14层电介质层的图案形成面，图8b表示第15层～第23层电介质层的图案形成面，图8c、图8d分别表示第24层及第25层电介质层的图案形成面。图9a、图9b分别表示第26层及第27层电介质层的图案形成面。
如图5a所示，在第1层电介质层51的图案形成面上，形成有共同端子102、第一端子103、第二端子104、三个接地端子105、106、107。另外，在电介质层51上，形成有用于构成第一电感器l31的通孔51t2和分别与端子103、104、105、106连接的通孔51t3、51t4、51t5、51t6。通孔51t2与端子102连接。
如图5b所示，在第2层电介质层52的图案形成面，形成有用于构成电容器c23和第一电容器c41的导体层521。另外，在电介质层52上，形成有用于构成第一电感器l31的通孔52t2、通孔52t3、52t4、52t5。在通孔52t2～52t4分别连接有图5a所示的通孔51t2～51t4。通孔52t5和图5a所示的通孔51t5、51t6与导体层521连接。
如图5c所示，在第3层电介质层53的图案形成面上，形成有用于构成电容器c12的导体层531、用于构成电容器c23的导体层532、用于构成电容器c24的导体层533、用于构成第一电容器c41的导体层534。另外，在电介质层53上，形成有用于构成第一电感器l31的通孔53t2和通孔53t3、53t4、53t5、53t8。通孔53t2和图5b所示的通孔52t2与导体层534连接。通孔53t3和图5b所示的通孔52t3与导体层531连接。通孔53t4和图5b所示的通孔52t4与导体层533连接。在通孔53t5连接有图5b所示的通孔52t5。通孔53t8与导体层532连接。
如图5d所示，在第4层电介质层54的图案形成面上，形成有用于构成电容器c12的导体层541、用于构成电容器c23、c24的导体层542。另外，在电介质层54上，形成有用于构成第一电感器l31的通孔54t2和通孔54t3、54t4、54t5、54t7、54t8。在通孔54t2～54t4、54t8分别连接有图5c所示的通孔53t2～53t4、53t8。通孔54t5与导体层542和图5c所示的通孔53t5连接。通孔54t7与导体层541连接。
如图6a所示，在第5层电介质层55的图案形成面上，形成有用于构成电容器c12的导体层551、用于构成电容器c22、c23的导体层552、用于构成电容器c24的导体层553。另外，在电介质层55上，形成有用于构成第一电感器l31的通孔55t2和通孔55t3、55t4、55t5、55t7、55t8。在通孔55t2、55t5、55t7分别连接有图5d所示的通孔54t2、54t5、54t7。通孔55t3与导体层551和图5d所示的通孔54t3连接。通孔55t4与导体层553和图5d所示的通孔54t4连接。通孔55t8和图5d所示的通孔54t8与导体层552连接。
如图6b所示，在第6层电介质层56的图案形成面上，形成有用于构成电容器c11、c12的导体层561、用于构成电容器c22的导体层562。另外，在电介质层66上，形成有用于构成第一电感器l31的通孔56t2和通孔56t3、56t4、56t5、56t7、56t8。在通孔56t2、56t3、56t5、56t8分别连接有图6a所示的通孔55t2、55t3、55t5、55t8。通孔56t4与导体层562和图6a所示的通孔55t4连接。通孔56t7与导体层561和图6a所示的通孔55t7连接。
如图6c所示，在第7层电介质层57的图案形成面上，形成有用于构成电容器c11的导体层571、用于构成第二电容器c42的导体层572和导体层573。另外，在电介质层57上，形成有通孔57t1、57t3、57t4、57t5、57t7、57t8和用于形成第一电感器l31的通孔57t2。通孔57t1与导体层571连接。通孔57t2与导体层572和图6b所示的通孔56t2连接。在通孔57t3～57t5、57t7分别连接有图6b所示的通孔56t3～56t5、56t7。通孔57t8和图6b所示的通孔56t8与导体层573连接。
如图6d所示，在第8层电介质层58的图案形成面上，形成有用于构成电容器c13和第二电容器c42的导体层581。另外，在电介质层58上，形成有通孔58t1、58t3、58t4、58t5、58t7、58t8和用于构成第一电感器l31的通孔58t2。通孔58t1和图6c所示的通孔57t1与导体层581连接。在通孔58t2～58t5、58t7、58t8分别连接有图6c所示的通孔57t2～57t5、57t7、57t8。
如图7a所示，在第9层电介质层59的图案形成面上，形成有用于构成电容器c13的导体层591。另外，在电介质层59上，形成有通孔59t1、59t4、59t5、59t7、59t8和用于构成第一电感器l31的通孔59t2。在通孔59t1、59t2、59t4、59t5、59t7、59t8分别连接有图6d所示的通孔58t1、58t2、58t4、58t5、58t7、58t8。图6d所示的通孔58t3与导体层591连接。
如图7b所示，在第10层及第11层电介质层60、61上，分别形成有通孔60t1、60t4、60t5、60t7、60t8和用于构成第一电感器l31的通孔60t2。在电介质层60、61中，上下邻接的相同符号的通孔彼此互相连接。在形成于电介质层60的通孔60t1、60t2、60t4、60t5、60t7、60t8，分别连接有图7a所示的通孔59tl、59t2、59t4、59t5、59t7、59t8。
如图7c所示，在第12层电介质层62的图案形成面上，形成有用于构成电感器l11的导体层621、用于构成电感器l22的导体层622。导体层621，622各自具有第一端和第二端。另外，在电介质层62上，形成有通孔62t1、62t4、62t5、62t6、62t7、用于构成第一电感器l31的通孔62t2、用于构成电感器l23的通孔62t8。在通孔62t1、62t2、62t4、62t5，分别连接有形成于图7b所示的电介质层61的通孔60t1、60t2、60t4、60t5。通孔62t6与导体层622中的第一端的附近部分连接。通孔62t7与导体层621中的第一端的附近部分连接。通孔62t8与导体层622中的第二端的附近部分和形成于图7b所示的电介质层61的通孔60t8连接。形成于图7b所示的电介质层61的通孔60t7与导体层621中的第二端的附近部分连接。
如图7d所示，在第13层电介质层63的图案形成面上，形成有用于构成电感器l11的导体层631和用于构成电感器l22的导体层632。导体层631、632各自具有第一端和第二端。另外，在电介质层63上，形成有通孔63t1、63t4、63t5、63t6、63t7、用于构成第一电感器l31的通孔63t2、用于构成电感器l23的通孔63t8。在通孔63t1、63t2、63t4、63t5、63t8，分别连接有图7c所示的通孔62t1、62t2、62t4、62t5、62t8。通孔63t6与导体层632中的第一端的附近部分连接。通孔63t7与导体层631中的第一端的附近部分连接。图7c所示的通孔62t6与导体层632中的第二端的附近部分连接。图7c所示的通孔62t7与导体层631中的第二端的附近部分连接。
如图8a所示，在第14层电介质层64的图案形成面上，形成有用于构成电感器l11的导体层641和用于构成电感器l22的导体层642。导体层641、642各自具有第一端和第二端。另外，在电介质层64上，形成有通孔64t1、用于构成第一电感器l31的通孔64t2、用于构成电感器l23的通孔64t8。在通孔64t1、64t2、64t8，分别连接有图7d所示的通孔63t1、63t2、63t8。图7d所示的通孔63t4与导体层642中的第一端的附近部分连接。图7d所示的通孔63t5与导体层641中的第一端的附近部分连接。图7d所示的通孔63t6与导体层642中的第二端的附近部分连接。图7d所示的通孔63t7与导体层641中的第二端的附近部分连接。
如图8b所示，在第15层～第23层电介质层65～73上，分别形成有通孔65t1、用于构成第一电感器l31的通孔65t2、用于构成电感器l23的通孔65t8。在电介质层65～73中上下邻接的相同符号的通孔彼此互相连接。在形成于电介质层65的通孔65t1、65t2、65t8，分别连接有图8a所示的通孔64t1、64t2、64t8。
如图8c所示，在第24层电介质层74的图案形成面上，形成有用于构成电感器l21的导体层741。导体层741具有第一端和第二端。另外，在电介质层74上，形成有通孔74t1、74t8和用于构成第一电感器l31的通孔74t2。在通孔74t1、74t2，分别连接有形成于图8b所示的电介质层73的通孔65t1、65t2。通孔74t8与导体层741中的第一端的附近部分连接。形成于图8b所示的电介质层73的通孔65t8与导体层741中的第二端的附近部分连接。
如图8d所示，在第25层电介质层75的图案形成面上，形成有用于构成电感器l21的导体层751和用于构成第二电感器l32的导体层752。导体层751、752各自具有第一端和第二端。另外，在电介质层75上，形成有通孔75t1、75t8和用于构成第一电感器l31的通孔75t2。通孔75t1与导体层752中的第一端的附近部分连接。在通孔75t2连接有图8c所示的通孔74t2。通孔75t8与导体层751中的第一端的附近部分连接。图8c所示的通孔74t1与导体层752中的第二端的附近部分连接。图8c所示的通孔74t8与导体层751中的第二端的附近部分连接。
如图9a所示，在第26层电介质层76的图案形成面上，形成有用于构成电感器l21的导体层761和用于构成第二电感器l32的导体层762。导体层761、762各自具有第一端和第二端。导体层761的第一端和导体层762的第一端互相连接。图9a中，用虚线表示导体层761和导体层762的边界。图8d所示的通孔75t1与导体层762的第二端的附近部分连接。图8d所示的通孔75t2与导体层761的第一端的附近部分和导体层762的第一端的附近部分连接。图8d所示的通孔75t8与导体层761的第二端的附近部分连接。
如图9b所示，在第27层电介质层77的图案形成面上，形成有标记771。
图2所示的层叠体50以第1层电介质层51的图案形成面成为层叠体50的底面50b的方式，层叠第1层～第27层电介质层51～77而构成。
图3表示层叠体50的内部。图4放大表示层叠体50的内部的一部分。
以下，对图1所示的分波器1的电路的结构要件和图5a～图9b所示的层叠体50的内部的结构要件的对应关系进行说明。连接路径30的第一电感器l31由图5a～图7a所示的通孔51t2、52t2、53t2、54t2、55t2、56t2、57t2、58t2、59t2、形成于图7b所示的电介质层60、61的两个通孔60t2、图7c～图8a所示的通孔62t2、63t2、64t2、形成于图8b所示的电介质层65～73的九个通孔65t2、图8c、图8d所示的通孔74t2、75t2构成。上述的通孔51t2～75t2串联连接。以下，将通孔51t2～75t2的集合体叫做通孔列t31。通孔51t2与共同端子102连接。与共同端子102接连的通孔51t2的端部与第一电感器l31的第一端l31a相对应。
在通孔52t2、53t2之间的位置，导体层534与通孔列t31连接。如图3、图4及图5c所示，通孔列t31的、与导体层534连接的位置与第一分支点p1相对应。
在通孔56t2、57t2之间的位置，导体层672与通孔列t31连接。如图3、图4及图6c所示，通孔列t31的、与导体层572连接位置与第三分支点p3相对应。
导体层761、762通过与通孔75t2连接而与通孔列t31连接。如图3及图9a所示，通孔列t31的、与导体层761、762连接的位置与第二分支点p2相对应。另外，与导体层761、762接连的通孔75t2的端部与第一电感器l31的第二端l31b相对应。
连接路径30的第二电感器l32由图8d、图9a所示的导体层752、762和通孔75t1构成。导体层762与第二分支点p2连接。
第一电容器c41由图5b、图5c所示的导体层521、534、导体层521、534之间的电介质层52构成。导体层521经由通孔51t5、51t6与接地端子105、106连接。导体层534与第一分支点p1连接。
第二电容器c42由图6c、图6d所示的导体层572、581、导体层572、581之间的电介质层57构成。导体层572与第三分支点p3连接。导体层581经由通孔58tl、59t1、形成于电介质层60、61的两个通孔60t1、通孔62t1、63t1、64t1、形成于电介质层65～73的九个通孔65t1及通孔74t1，与构成第二电感器l32的导体层752连接。上述的通孔58t1～74t1串联连接。以下，将通孔58t1～74t1的集合体叫做通孔列t32。此外，电容器c43为导体层581和接地端子107之间产生的寄生电容。
第一滤波器10的电容器c11由图6b、图6c所示的导体层561、571、导体层561、571之间的电介质层56构成。第一滤波器10的电容器c12由图5c～图6b所示的导体层531、541、551、561、导体层531、541之间的电介质层53、导体层541、551之间的电介质层54、导体层551、561之间的电介质层55构成。导体层531经由通孔51t3、52t3与第一端子103连接。导体层541经由通孔54t7、55t7与导体层561连接。导体层551经由通孔53t3、54t3与导体层531连接。导体层571经由通孔57t1、导体层581及通孔列t32与构成第二电感器l32的导体层752连接。
第一滤波器10的电容器c13由图6d、图7a所示的导体层581、591、导体层581、591之间的电介质层58构成。导体层581经由通孔列t32与构成第二电感器l32的导体层752连接。导体层591经由通孔51t3、52t3、导体层531及通孔53t3、54t3、55t3、56t3、57t3、58t3与第一端子l03连接。
第一滤波器10的电感器l11由图7c～图8a所示的导体层621、631、641和通孔62t7、63t7构成。导体层621经由通孔56t7、57t7、58t7、59t7及形成于电介质层60、61的两个通孔60t7，与构成电容器cl1、cl2的导体层561连接。导体层641经由通孔51t5、导体层521、通孔52t5、53t5、54t5、55t5、56t5、57t5、58t5、59t5、形成于电介质层60、61的两个通孔60t5及通孔62t5、63t5，与接地端子105连接。
第二滤波器20的电感器l21由图8c～图9a所示的导体层741、751、761和通孔74t8、75t8构成。导体层761与第二分支点p2连接。此外，第二滤波器20的电容器c21为电感器l21产生的寄生电容。
第二滤波器20的电感器l22由图7c～图8a所示的导体层622、632、642和通孔62t6、63t6构成。导体层642经由通孔51t4、52t4、53t4、54t4、55t4、56t4、57t4、58t4、59t4、形成于电介质层60、61的两个通孔60t4及通孔62t4、63t4，与第二端子104连接。
第二滤波器20的电感器l23由图7c～图8a所示的通孔62t8、63t8、64t8图8b所示的形成于电介质层65～73的九个通孔65t8构成。上述的通孔62t8～65t8串联连接。以下，将通孔62t8～65t8的集合体叫做通孔列t23。通孔62t8与构成电感器l22的导体层622连接。形成于电介质层73的通孔65t8与构成电感器l21的导体层741连接。
第二滤波器20的电容器c22由图6a、图6b所示的导体层552、562、导体层552、562之间的电介质层55构成。第二滤波器20的电容器c23由图5b～图6a所示的导体层521、532、542、552、导体层521、532之间的电介质层52、导体层532、542之间的电介质层53、导体层542、552之间的电介质层54构成。导体层521经由通孔51t5、51t6与接地端子105、106连接。导体层532经由通孔53t8、54t8与导体层552连接。导体层542经由通孔52t5、53t5、54t5与导体层521连接。导体层552经由通孔55t8、56t8、导体层573、通孔57t8、58t8、59t8及形成于电介质层60、61的两个通孔60t8，与构成电感器l22的导体层622和构成电感器l23的通孔62t8连接。导体层562经由通孔51t4、52t4、导体层533及通孔53t4、54t4、55t4与第二端子104连接。
第二滤波器20的电容器c24由图5c～图6a所示的导体层533、542、553、导体层533、542之间的电介质层53、导体层542、553之间的电介质层54构成。导体层533经由通孔51t4、52t4与第二端子104连接。导体层542经由通孔51t5、导体层521及通孔52t5、53t5与接地端子105连接。导体层553经由通孔53t4、54t4与导体层533连接。
以下，与第一及第二比较例的分波器进行比较，对本实施方式的分波器1的特征和效果进行说明。首先，参照图10，对第一比较例的分波器111的结构进行说明。分波器111是未考虑构造所引起的寄生电感及寄生电容而设计的。分波器111不具备本实施方式的分波器1中的第一电感器l31、第一电容器c41、电感器l23及电容器c43。另外，分波器111具备电感器ll32和电容器c142来替代分波器1中的电感器l32和电容器c42。另外，第二滤波器20的第一端20a与共同端口2连接。
在分波器111中，电感器l132的一端和电容器c142的一端连接于共同端口2。电感器l132的另一端和电容器c142的另一端连接于第一滤波器10的第一端10a。电感器l132和电容器c142构成并联谐振电路。该并联谐振电路具有比第一频带高的谐振频率。由此，在从共同端口2到第一信号端口3的第一信号路径的通过衰减特性中，在上述并联谐振电路的谐振频率下形成衰减极。另外，上述并联谐振电路作为低通滤波器起作用。分波器111中，由上述并联谐振电路和第一滤波器10构成使第一频带的频率的第一信号选择性地通过的带通滤波器。
接下来，对使用在底面配置有多个端子的层叠体构成分波器111的情况下的问题进行说明。该情况下，为了不妨碍各电感器l21、l132产生的磁通量的通过，优选构成电感器l21的导体层和构成电感器l132的导体层，配置于远离层叠体的底面的位置。因此，需要由包括串联连接的多个通孔的通孔列构成共同路径，该共同路径连接从共同端口2侧看时的向第一滤波器10的路径与向第二滤波器20的路径的分支点和共同端口2。但是，这样的话，由于通孔列的电感，在共同端口2和第一滤波器10及第二滤波器20的至少一方之间引起阻抗的失配，与设计时相比，产生分波器111的特性变差这样的问题。
接下来，参照图11，对第二比较例的分波器121的结构进行说明。分波器121具有从本实施方式的分波器1去除第一电容器c41的结构。分波器121与本实施方式的分波器1同样，包含由通孔列t31构成的第一电感器l31。在该分波器121中，在第一电感器l31中的分支点p3和第一滤波器10的第一端10a之间设有电容器c42。而且，由第一电感器l31中的从分支点p3到第二端l31b的部分、电感器l32、电容器c42构成并联谐振电路。
根据分波器121，通过改变分支点p2的位置，可以调节从共同端口2到第二信号端口4的第二信号路径的阻抗特性。另外，根据分波器121，通过改变分支点p3的位置，可以调节从共同端口2到第一信号端口3的第一信号路径的阻抗特性。由此，根据分波器121，能够分别调节第一信号路径的阻抗特性和第二信号路径的阻抗特性。
在此，参照图12及图13对分波器121的特性的一个例子进行说明。图12是表示分波器121的特性的一个例子的特性图。在图12中，横轴为频率，纵轴为衰减量。在图12中，附带符号181的曲线表示第一信号路径的通过衰减特性。另外，附带符号182的曲线表示第二信号路径的通过衰减特性。另外，附带符号183的曲线表示从共同端口2观察滤波器10、20时的反射衰减特性。在此，设第一频带为约1.7ghz至约2.7ghz的频带，设第二频带为约0.7ghz至约0.96ghz的频带。
图13是表示分波器121的阻抗特性的一个例子的特性图。具体地说，图13是表示从共同端口2观察滤波器10、20时的阻抗特性的史密斯圆图。图13中表示0.96ghz的点、1.71ghz的点和2.69ghz的点。图12及图13所示的特性通过模拟而求得。
在图13所示的阻抗特性中，在第一及第二频带中，反射系数的虚数部具有正的值，由此，反射系数的绝对值比0增大一定程度。由此，在图12所示的反射衰减特性183中，在第一及第二频带中，衰减量不会变得很大。这些现象产生原因是，处于从共同端口2到第一及第二滤波器10、20的路径第一电感器l31具有电感。
接下来，参照图14及图15，对本实施方式的分波器1的特性的一个例子进行说明。图14是表示分波器1的特性的一个例子的特性图。在图14中，横轴为频率、纵轴为衰减量。在图14中，附带符号81的曲线表示第一信号路径的通过衰减特性。另外，附带符号82的曲线表示第二信号路径的通过衰减特性。另外，附带符号83的曲线表示从共同端口2观察滤波器10、20时的反射衰减特性。在此，设第一频带为约1.7ghz至约2.7ghz的频带，设第二频带为约0.7ghz至约0.96ghz的频带。
图15是表示分波器1的阻抗特性的一个例子的特性图。具体地说，图15是表示从共同端口2观察滤波器10、20时的阻抗特性的史密斯圆图。图15中表示有0.96ghz的点、1.71ghz的点和2.69ghz的点。图14及图15所示的特性通过模拟而求得。
在图15所示的阻抗特性中，与图13所示的阻抗特性相比较，在第一及第二频带中，反射系数的虚数部的值接近于0，其结果，反射系数的绝对值也接近于0。由此，在图14所示的反射衰减特性83中，与图12所示的反射衰减特性183相比较，在第一及第二频带中，衰减量变大。
这样，根据本实施方式的分波器1，通过具备第一电容器c41，即使从共同端口2到两个滤波器10、20的至少一方(在本实施方式中，至少滤波器10)的路径具有电感，也能够实现良好的特性。
与分波器121相比较，通过设置第一电容器c41而改善分波器1的特性的理由，可以如下定性地进行说明。第一电感器l31和第一电容器c41具有在史密斯圆图上，使反射系数的绝对值为0或接近于0的值的点向相反方向移动的作用。具体地说，第一电感器l31与没有第一电感器l31的情况相比，具有在史密斯圆图上，使反射系数的绝对值为0或接近于0的值的点，向反射系数的虚数部变大的方向(上方向)移动的作用。另一方面，第一电容器c41与没有第一电容器c41的情况相比，具有在史密斯圆图上，使反射系数的绝对值为0或接近于0的值的点，向反射系数的虚数部变小的方向(下方向)移动的作用。
因此，因第一电感器l31具有电感的原因，通过在具有图13所示的特性的分波器121中增加第一电容器c41而构成分波器1，如图15所示，在第一及第二频带中，能够使反射系数的虚数部的值接近于0，反射系数的绝对值也接近于0。
接下来，对具备第一电容器c41的分波器1的其他效果进行说明。
与图12所示的分波器121的第二信号路径的通过衰减特性182相比较，在图14所示的分波器1的第二信号路径的通过衰减特性82中，比第二频带高的频带中的衰减量变大。另外，与图12所示的分波器121的第一信号路径的通过衰减特性181相比较，在图14所示的分波器1的第一信号路径的通过衰减特性81中，比第一频带高的频带中的衰减量变大。由此，根据本实施方式的分波器1，与分波器121相比较，也能够实现良好的特性。
以下，对本实施方式的分波器1的更深一层的效果进行说明。在分波器1中，第一电容器c41在存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一电感器l31中的任意位置的第一分支点p1与第一电感器l31连接。在本实施方式中，通过改变第一分支点p1的位置，可以调节第一信号路径的阻抗特性和第二信号路径的阻抗特性。
在本实施方式中，特别是第一电感器l31由通孔列t31构成。因此，在分波器1的构造的设计阶段，在通孔列t31中，通过改变用于构成电容器c41的导体层534被连接的通孔，能够容易地改变第一分支点pl的位置。
另外，在分波器1中，第二滤波器20在存在于包含第一端l31a和第二端l31b的第一电感器l31中的任意位置的第二分支点p2，与第一电感器l31连接。在本实施方式中，通过改变第二分支点p2的位置，可以改变从共同端口2到第二滤波器20的路径的电感，其结果，可以调节第二信号路径的阻抗特性。因此，根据本实施方式，可以分别地调节第一信号路径的阻抗特性和第二信号路径的阻抗特性。
此外，在图3及图9a中，表示用于构成电感器l21的导体层761和用于构成电感器l32的导体层762配置在相同的电介质层76之上的例子。但是，在本实施方式中，也可以将导体层761和导体层762配置在互不相同的电介质层之上。再有，在分波器1的构造的设计阶段，在通孔列t31中，通过改变导体层761被连接的通孔，可以容易地改变第二分支点p2的位置。
另外，在分波器1中，在第一电感器l31中的分支点p3与第一滤波器10的第一端10a之间设有电容器c42。再有，由第一电感器l31中的从分支点p3到第二端l31b的部分、电感器l32、电容器c42构成了并联谐振电路。该并联谐振电路具有比第一频带高的谐振频率。由此，在第一信号路径的通过衰减性中，在上述并联谐振电路的谐振频率下形成衰减极。另外，上述并联谐振电路作为低通滤波器起作用。在分波器1中，由上述并联谐振电路和第一滤波器10构成使第一频带的频率的第一信号选择性地通过的带通滤波器。
在本实施方式中，通过改变第三分支点p3的位置，可以调节第一信号路径的阻抗特性。因此，根据本实施方式，可以分别调节第一信号路径的阻抗特性和第二信号路径的阻抗特性。
在本实施方式中，特别是由于第一电感器l31由通孔列t31构成，因此，在分波器1的构造的设计阶段，在通孔列t31中，通过改变用于构成电容器c42的导体层572被连接的通孔，可以容易地改变第三分支点p3的位置。
此外，本发明不限定于上述实施方式，可以进行各种变更。例如，本发明的第一滤波器的特性和第二滤波器的特性，不限定于实施方式所示的特性，可以是任意的特性，只要满足权利要求即可。
基于以上的说明，显然可以实施本发明的各种方式或变形例。因而，在权利要求的均等的范围内，以上述的优选的方式以外的方式也可以实施本发明。