技术特征：
技术总结
本文涉及低功率架构，其中描述了用于在阈下区域附近或阈下区域中操作晶体管以降低功耗的系统和方法。在一个实施例中，一种用于低功率操作的方法包括经由包括多个晶体管的时钟路径(225)将时钟信号(Ck)发送到触发器(150)，其中该时钟信号具有与高于时钟路径(225)中的晶体管的阈值电压的高电压(VH)相对应的高状态。该方法还包括经由包括多个晶体管的数据路径(135)将数据信号(D)发送到该触发器(150)，其中该数据信号具有与低于数据路径(135)中的晶体管的阈值电压的低电压(VL)相对应的高状态。该方法还包括在触发器(150)处使用时钟信号(Ck)来锁存数据信号(D)。
技术研发人员：M·J·布鲁诺利
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2014.03.14
技术公布日：2017.10.27